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国家自然科学基金(51072196)

作品数:6 被引量:5H指数:1
相关作者:陈一仁孙晓娟黎大兵宋航蒋红更多>>
相关机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院研究生院中国科学院大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇英文
  • 3篇ALN薄膜
  • 2篇氮化
  • 2篇应力
  • 2篇直流反应磁控...
  • 2篇溅射
  • 2篇反应磁控溅射
  • 2篇ALN
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化铝薄膜
  • 1篇氮化物
  • 1篇热扩散
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒尺寸
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱

机构

  • 5篇中国科学院长...
  • 4篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 5篇李志明
  • 5篇缪国庆
  • 5篇蒋红
  • 5篇宋航
  • 5篇黎大兵
  • 5篇孙晓娟
  • 5篇陈一仁
  • 3篇贾辉
  • 3篇王新建

传媒

  • 5篇发光学报
  • 1篇Journa...

年份

  • 5篇2012
  • 1篇2011
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文)被引量:2
2012年
通过直流磁控反应溅射装置,在蓝宝石(0001)衬底和氮化的蓝宝石(0001)衬底上成功制备了氮化铝(AIN)薄膜。利用X射线衍射仪、原子力学显微镜和双光束扫描分光计,研究了蓝宝石氮化对AIN薄膜结构、应力、晶粒尺寸、形貌和光学性质的影响。X射线衍射研究表明:制备的AIN薄膜具有较强的(0002)择优取向,蓝宝石衬底的氮化不仅能够改善AIN结晶质量,而且还可以减少薄膜的残余应力。但是,原子力学显微镜结果表明:在蓝宝石衬底上制备的AIN薄膜的晶粒大小分布比在氮化的蓝宝石衬底上制备的AIN薄膜的晶粒大小分布更加均匀。我们认为,蓝宝石衬底在氮化的过程中形成的AIN具有过多的位错和缺陷,正是这些位错和缺陷造成了在氮化的蓝宝石衬底上制备的AIN薄膜的晶粒大小分布的不均匀性。吸收光谱显示:蓝宝石衬底的氮化并没有对AIN薄膜的光学性质产生明显的改善。
王新建宋航黎大兵蒋红李志明缪国庆孙晓娟陈一仁贾辉
关键词:光吸收表面形貌
AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文)被引量:1
2012年
采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)在r面蓝宝石衬底上生长a-AlGaN外延膜,研究了AlN插入层对a-AlGaN外延膜的应力和光学性质的影响。根据高分辨X射线衍射(HRXRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)我们可以得到,AlN插入层有效地提高了a-AlGaN外延膜的晶体质量并减小了外延膜材料结构的各向异性。由拉曼光谱得到AlN插入层的引入减小了a-AlGaN外延膜的面内压应力,其原因是AlN插入层可以当作衬底有效的调制与减小a-AlGaN外延膜与r面蓝宝石衬底的晶格失配,从而使a-AlGaN的面内应力得到适当释放。对室温下的光致发光进行测量得到AlN插入层的使用使近带边发射峰(NBE)发生了红移,这可能是由于残余应力的减小引起。
贾辉陈一仁孙晓娟黎大兵宋航蒋红缪国庆李志明
关键词:应力拉曼光谱光致发光
GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling and its simulation
2011年
Based on the principles of metal-semiconductor-metal Schottky barrier photodetectors(MSM-PD), using the carrier rate equations,the circuit simulation model of a GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector is constructed through an appropriately equivalent process.By using the Pspice analytical function of Cadence soft on the model,the relationship between the photocurrent and the terminal voltage under different UV light powers is analyzed.The result shows that under the given UV power,the photocurrent increases and tends to become saturated gradually as the terminal voltage of the device increases,and that under different UV powers,the photocurrent increases with increasing incident power.Then the analysis of the relationship between the photocurrent and the terminal voltage under the different ratios of interdigital electrode space and width is carried out when the UV power is given.The results show that when the ratio of interdigital electrode space and width(L/W) equals 1,the photocurrent tends to be at a maximum.
陈一仁宋航黎大兵孙晓娟李志明蒋红缪国庆
关键词:SIMULATION
GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文)
2012年
通过直流磁控反应溅射制备了氮化铝(AlN)薄膜,研究了沉积条件与氮化镓(GaN)缓冲层对薄膜质量的影响。利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的晶体结构和表面形貌。XRD研究结果表明,低工作压强、短靶距和适当的氮气偏压有利于(002)择优取向的AlN薄膜沉积。随着沉积时间的增加,沉积在50 nm厚的GaN缓冲层上的AlN薄膜的(002)面的衍射峰的半高宽急剧减小,而沉积在1μm厚的GaN薄膜上的AlN薄膜的(002)面的衍射峰的半高宽几乎不变。SEM测试结果表明:在沉积的初期,沉积在1μm厚的GaN薄膜上的AlN薄膜的(002)面的晶粒大小分布比沉积在50 nm厚的GaN缓冲层上的AlN薄膜的均匀,而随着沉积时间的增加,它们的晶粒大小分布几乎趋向一致。
王新建宋航黎大兵蒋红李志明缪国庆陈一仁孙晓娟
关键词:ALNGAN缓冲层晶体结构晶粒尺寸
预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文)被引量:1
2012年
采用有机金属化学气相沉积设备用两步生长法在(0001)蓝宝石衬底上制备AlN薄膜。研究了预通三甲基铝(TMAl)使衬底铝化对外延AlN的影响。利用高分辨X射线衍射(XRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)分析了样品的结晶质量以及外延膜中的残余应力。通过SEM观察发现,短时间的预通TMAl处理对AlN薄膜表面的影响不大;但随着预通时间的增加,表面会出现六角形的岛。通过优化TMAl的预通时间可以保护衬底被氮化有利于Al极性面AlN的生长,从而得到的Al极性面AlN表面比较平整;但是预通TMAl时间过长会使衬底表面沉积金属态铝而不容易形成平整的表面。X射线双晶摇摆曲线结果表明:样品的(0002)和(1012)面的X射线双晶摇摆曲线的半峰宽随着预通TMAl时间的不断增加,由此得出薄膜的晶体质量不断下降。这可以解释为:预通TMAl使形成的晶核不再规则,从而在成核层形成了很多亚颗粒降低了晶体质量。进一步对XRD结果分析,我们也发现了这样的应力变化。这种应力的变化起源可以归结于内应力(岛的合并在其晶界引入的应力)与外应力(晶格失配与热失配引起的应力)共同作用的结果。
贾辉陈一仁孙晓娟黎大兵宋航蒋红缪国庆李志明
关键词:ALN应力
氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文)被引量:1
2012年
采用热扩散方法,对AlN薄膜进行了Si掺杂。利用电子能量散射谱(EDS)以及高温变温电导对薄膜进行了分析。EDS测试结果表明:在1 250℃的温度下,氮化硅(SiNx)作为Si的扩散源,可以实现对AlN薄膜的Si热扩散掺杂。高温电流-电压(I-V)测试表明:在460℃测试温度下,AlN薄膜在热扩散掺杂以后,其电导从1.9×10-3S.m-1增加到2.1×10-2S.m-1。高温变温电导测试表明:氮空位(V3N+)和Si在AlN中的激活能为1.03 eV和0.45 eV。
王新建宋航黎大兵蒋红李志明缪国庆陈一仁孙晓娟
关键词:氮化物热扩散
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