江苏省自然科学基金(BK2002407)
- 作品数：3 被引量：10H指数：2
- 相关作者：李伟陈坤基徐骏梅嘉欣李雪飞更多>>
- 相关机构：南京大学更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 氢等离子体退火对氢化非晶硅结构有序度的影响被引量：4
- 2005年
- 室温下利用氢等离子体退火技术对氢化非晶硅 (a_Si:H)薄膜进行处理 ,通过傅立叶红外、光吸收、拉曼光谱 3种测试手段对非晶硅的微结构进行了分析 ,发现不同的退火时间对a_Si:H的微结构影响很大 ,氢等离子体在与薄膜的化学反应过程中主要表现为原子氢 (H0 )与薄膜的反应 .化学势很高的H0 能将Si_Si弱键转变成Si_Si强键 .硅网络结构发生弛豫 ,使结构由无序向有序转变 ,从而能够降低晶化温度与退火时间 .
- 芮云军徐骏梅嘉欣阳玲李伟陈坤基
- 关键词：氢化非晶硅微结构钝化
- 绝缘衬底上高密度均匀纳米硅量子点的形成与表面形貌被引量：5
- 2004年
- 利用等离子体增强化学气相淀积技术 ,在绝缘氮化硅 (SiNx)衬底上制备超薄非晶硅 (a Si:H)薄膜 ,通过超短脉冲激光辐照与准静态常规热退火技术处理 ,制备出高密度、均匀纳米硅 (nc Si)量子点 .使用原子力显微镜对处理前后样品的表面形貌进行了研究 ,发现激光辐照能量密度增加的同时 ,所形成的nc Si尺寸也随之增加 .在合适的能量密度范围内 ,可以得到面密度大于 10 1 1 /cm2 、尺寸分布标准偏差小于 2 0 %的 10nmnc Si量子点薄膜 ,表明所制备的nc Si量子点具有较好的均匀性及较高的面密度 .同时 ,对nc
- 李鑫王晓伟李雪飞乔峰梅嘉欣李伟徐骏黄信凡陈坤基
- 关键词：纳米硅衬底化学气相淀积等离子体增强能量密度热退火
- 氢化非晶碳膜的低阈值场发射被引量：1
- 2002年
- 在等离子增强气相化学沉积 (PECVD)系统中 ,利用氢稀释方法制备了氢化非晶碳 (a-C∶ H)薄膜样品。在高真空腔中测量了样品的场发射特性。与用纯甲烷 (CH4 )制备的 a-C∶H薄膜样品相比 ,经过氢稀释处理的样品场发射开启电场明显下降 ,达到 0 .5 V/μm。认为是样品的场增强因子的增大改善了样品的场发射特性 ,这种场增强可能来源于碳膜中电子结构的各相异性和碳膜表面氢终结的增加。
- 黄晓辉徐骏李伟王立徐岭陈坤基
- 关键词：场发射非晶碳
