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高体分SiCp/Mg复合材料真空压力浸渗制备工艺研究被引量：2: 2007年; 进行了真空压力浸渗法制备高体积分数SiCp/Mg复合材料的工艺实验。结果表明,真空压力浸渗法具有良好的渗流条件,避免了气体和夹杂物的裹入等问题;在压力为300 kPa、温度为973 K及保压时间为5 min条件下,成功渗透了振实堆积的单一尺寸SiCp多孔体的最小粒径为32μm;浸渗后的复合材料中SiCp体积分数达到了58.21%。经OM、XRD分析表明,镁液渗透均匀,复合材料内部组织致密,无明显的孔洞及夹杂等铸造缺陷。; 汪志太余欢徐志锋严青松蔡长春; 关键词：复合材料

SiC_p/AZ91D复合材料真空压力浸渗制备工艺及微观组织的研究被引量：4: 2008年; 采用真空压力浸渗装置制备SiCp/AZ91D复合材料。对制备工艺进行了改进,提出了以SiC颗粒覆盖法保护镁合金熔体的措施,可以有效解决熔剂覆盖法易造成的熔剂夹杂问题;在压力0.4MPa、浸渗温度700℃、保压5min的条件下,制备SiC单一颗粒尺寸为5μm、体积分数为44.7%的SiCp/Mg复合材料;并且成功制备32μmSiC单一颗粒体积分数为56.4%的SiCp/AZ91D复合材料。经过光镜、扫描电镜和X射线衍射仪分析表明,采用SiC颗粒覆盖法制备SiCp/AZ91D复合材料组织致密、无明显孔洞及夹杂等铸造缺陷,有新相Mg2Si生成。; 刘文娜余欢徐志锋汪志太胡美忠蔡长春; 关键词：真空压力浸渗

激光熔化沉积钛合金及其复合材料的研究进展被引量：6: 2010年; 综述了近年国内外激光熔化沉积航空用钛合金及其复合材料的研究进展,并就目前研究中存在的问题和不足以及今后发展的方向提出了一些看法。; 熊博文徐志锋严青松郑玉惠; 关键词：激光熔化沉积钛合金钛基复合材料

碳化硅陶瓷预制体的选区激光烧结及真空压力渗铝被引量：5: 2008年; 提出采用选区激光烧结法（SLS）制备碳化硅（SiC）陶瓷预制体,探讨SiC陶瓷表面改性对激光烧结成形性的影响,进行SiC陶瓷粉末的激光烧结成形工艺实验,并对SiC陶瓷激光烧结件进行热脱脂和真空压力渗铝。结果表明：SiC陶瓷表面经硅烷偶联剂KH-570（5%）改性处理后的激光烧结成形性得到很大的改善;同时,所添加粘结剂中的无机磷酸二氢氨含量控制在8%,其激光能量密度在0.10～0.12J/mm2范围内均能烧结成形,而激光能量密度0.11J/mm2的烧结件密度为2.31g/cm3,抗弯强度达到0.81MPa。对SiC陶瓷激光烧结件的热脱脂和真空压力渗铝后的XRD和OM分析表明：脱脂过程中生成的SiP2O7是陶瓷预制体的新粘结剂;而真空浸渗过程中也仅有微量的AlPO4新生成相,并没有其它的残留物;且SiC陶瓷分布均匀,大小颗粒相互搭配,组织致密。此外,其外形形状与CAD模型吻合,可实现SiCp/Al复合材料的近净成形。; 徐志锋余欢郑玉惠蔡长春严青松; 关键词：碳化硅陶瓷预制体选区激光烧结表面改性

熔体浸渗法制备金属基复合材料的研究进展被引量：5: 2010年; 阐述了熔体浸渗法制备金属基复合材料在国内外的研究现状,指出了在熔体浸渗工艺研究中存在的问题,探讨了熔体浸渗工艺制备金属基复合材料的研究方向。; 李含建徐志峰蔡长春吴蒙; 关键词：浸渗复合材料金属熔体

激光选区烧结陶瓷粉末材料的研究进展被引量：9: 2009年; 根据国内外对激光选区烧结使用陶瓷粉末材料的研究成果,分别介绍了四类陶瓷粉末材料的研究现状,并分析了粘结剂直接混合、表面覆膜、表面改性等在陶瓷粉末材料激光烧结机制中的影响;结合陶瓷粉末材料在激光选区烧结应用中存在的问题,讨论了进一步研究陶瓷粉末材料的发展方向。; 郑玉惠余欢徐志锋蔡长春严青松熊博文汪志太; 关键词：激光选区烧结陶瓷粉末

直接选区激光烧结金属粉末材料的研究进展被引量：10: 2008年; 根据国内外对直接选区激光烧结使用材料的研究成果,分别详细介绍了三类金属粉末材料的研究现状,并分析了金属粉末材料的混合比、物理特性等在三类金属粉末材料激光烧结机制中的影响;结合金属粉末材料在直接选区激光烧结应用存在的问题,讨论了进一步研究金属粉末材料的发展方向。; 熊博文徐志锋严青松蔡长春郑玉惠; 关键词：金属粉末

高体分SiC_p/Mg复合材料真空气压浸渗工艺及其热膨胀性能被引量：2: 2007年; 采用真空气压浸渗法制备了高体分小尺寸SiCp/Mg复合材料,研究了真空压力对小尺寸SiCp多孔体浸渗的影响规律及SiCp/Mg复合材料的热膨胀性能。实验表明,在浸渗温度为983K,压力0.3MPa,保压5min的条件下,其中,能有效浸渗的振实堆积的单一尺寸SiCp多孔体的最小粒径达到了13μm;而32μm的SiCp/Mg复合材料的密度为2.625g/cm^3,SiC颗粒体积分数达到了58.2%。OM、XRD分析表明镁液渗透均匀,无明显的气孔、缩松和熔剂夹杂等铸造缺陷;Mg基体、α型SiC是复合材料的主要组成相,同时还含有少量的MgO、Mg2Si相。此外,32μmSiCp/Mg复合材料在30-200℃温度范围内的平均热膨胀系数为6.5×10^-6/K,表现出了优异的热膨胀性能。; 徐志锋余欢汪志太郑玉惠胡美忠蔡长春严青松; 关键词：SICP/MG复合材料热膨胀系数

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江西省自然科学基金(0650121)