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国家自然科学基金(61331003)

作品数:17 被引量:11H指数:2
相关作者:毛陆虹张世林谢生刘志芹张小波更多>>
相关机构:天津大学中国电子科技集团第五十四研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 15篇电子电信

主题

  • 4篇振荡器
  • 4篇毫米波
  • 4篇放大器
  • 4篇CMOS
  • 3篇电容
  • 3篇压控
  • 3篇太赫兹
  • 3篇相控阵
  • 2篇调谐
  • 2篇调谐范围
  • 2篇压控振荡器
  • 2篇锁相
  • 2篇锁相环
  • 2篇通信
  • 2篇相控阵雷达
  • 2篇开关电容
  • 2篇开关电容阵列
  • 2篇可调
  • 2篇可调电容
  • 2篇宽调谐

机构

  • 10篇天津大学
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 5篇毛陆虹
  • 3篇谢生
  • 3篇张世林
  • 1篇赵帆
  • 1篇郭维廉
  • 1篇闫冬
  • 1篇刘一波
  • 1篇张小波
  • 1篇刘志芹

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇南京大学学报...
  • 1篇天津大学学报...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微波学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇南开大学学报...
  • 1篇深圳大学学报...
  • 1篇天津理工大学...
  • 1篇China ...
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种宽调谐范围的毫米波LC压控振荡器设计被引量:3
2020年
基于TSMC 65 nm CMOS工艺,设计了一种具有宽调谐范围的毫米波电感电容压控振荡器,振荡器采用开关电容阵列、大容值范围可调电容和大滤波电容实现频率调谐范围与相位噪声的双优化.通过三组开关电容阵列来获得八条子频段,优选容值范围较大的可调电容来细调每一个频段的振荡频率,获得较大的调谐增益Kvco,从而最大程度地提高频率调谐范围.通过大滤波电容与尾电流源构成的低通滤波器抑制偶次谐波附近的噪声,从而优化相位噪声.仿真结果表明,在1.2 V的工作电源电压下,压控振荡器的频率调谐范围22.2 G^29.2 GHz,中心频率25.7 GHz,在1 MHz频率偏移处的相位噪声-100.9 dBc·Hz^-1,功耗10.81 mW,芯片核心面积为0.056 mm^2.
王敏谢生毛陆虹刘一波杜永超
关键词:压控振荡器开关电容阵列可调电容宽调谐范围毫米波
用于有源相控阵的X波段SiGe BiCMOS功放设计
2016年
设计了一款应用于有源相控阵雷达T/R组件的X波段功率放大器,放大器采用单端两级放大的共源共栅结构,包括输入与输出匹配网络,偏置电路采用自适应线性化技术,实现高增益和高线性的输出。基于IBM 0.18μm Si Ge Bi CMOS 7WL工艺流片,测试结果表明,在3.3 V电源电压下,在8.5 GHz时增益为21.8 d B,1 d B压缩点输出功率为10.4 d Bm,输入输出匹配良好,芯片面积为1.4 mm×0.8 mm。芯片面积较小,实现了与整个T/R芯片的集成。
姜沛锴毛陆虹张世林
关键词:SIGEBICMOS
用于相控阵雷达的高线性度低噪声放大器
2016年
基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS工艺,提出了一种用于Ku波段相控阵雷达的高线性度低噪声放大器。该放大器采用2级级联结构,第1级优化可获得最小的噪声性能,第2级优化可提高电路的增益和线性输出功率。为了提高线性度,第2级采用了具有线性补偿功能的线性化偏置电路。仿真结果表明,在中心频率为16.5GHz,带宽为2GHz的频带范围内,噪声系数小于3.9dB,其最小值为3.22dB,功率增益大于23.5dB,输出1-dB压缩点在中心频率处大于6.5dBm。在3.3V电源电压下,静态功耗为66mW,芯片面积为(1 245×580)μm2。
张小波谢生毛陆虹
关键词:相控阵低噪声放大器SIGEBICMOS单片集成
宽调谐范围低相位噪声的小面积VCO设计与实现被引量:2
2021年
为了解决压控振荡器的调谐范围、相位噪声、功耗和芯片面积等指标难以多重优化的问题,本文基于TSMC40 nmCMOS工艺,通过设计改进型开关电容阵列、高Q值LC谐振电路和大滤波电容等结构,实现了一种宽调谐范围低相位噪声的小面积压控振荡器.采用NMOS型负阻结构,以适应于0.9 V的低电源电压电路.将改进型开关电容阵列与可调电容相结合,获得8条工作于不同频率的子频段,通过选择合理的电容,使8个子频段首尾重叠,从而获得一段连续的振荡频率.与传统结构相比,改进型开关电容阵列添加了两个上拉电阻和一个输入端反相器,既能获得更宽的调谐范围,又可以抑制电源噪声,从而优化相位噪声.通过大滤波电容与尾电流MOS管并联构成低通滤波器,滤除共模点处的高频分量,抑制偶次谐波噪声,同时使输出波形更加对称,仿真结果表明,添加大滤波电容后相位噪声降低了3.02 dB.在满足电路要求的情况下,选择Q值更高的电感和电容提高谐振电路的品质因数,从而降低功耗.版图采用抽头电感,减少电感的使用个数,节省版图面积,降低成本.测试结果表明,在0.9 V电源电压下,压控振荡器的频率调谐范围为2.65~3.84 GHz,中心频率为3.24 GHz,在1 MHz频率偏移处的相位噪声为-109.71 dBc/Hz,功耗为10.81 m W,芯片核心面积仅为0.13 mm~2.
谢生王敏毛陆虹刘一波
关键词:压控振荡器可调电容宽调谐范围
一种超高速太赫兹测试信号产生器的设计
2019年
太赫兹通信系统具有极高的数据率特性,对测试环境提出巨大挑战.本研究实现一种伪随机二进制序列(pseudo-random bit sequence,PRBS)发生器,能够支持正交相移编码(quadrature phase shift keying,QPSK)调制模式,实现在QPSK调制模式下高达40 Gbit/s码率的数据率输出,为太赫兹频带的通信系统应用测试环境提供必要条件.该PRBS发生器采用交叉存取的拓扑结构和高速数据选择器,延迟单元采用电流模式逻辑电路结构以保证高频工作情况下具有良好性能.电路采用标准40 nm互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)工艺,版图面积为0. 25×0. 15 mm2. PRBS产生器在电源电压为1. 0 V下功耗为37. 5 m W.该技术可解决太赫兹高速数据测试的瓶颈问题.
宋瑞良刘一波
关键词:太赫兹互补金属氧化物半导体
基于BiCMOS工艺的180GHz信号产生、调制与探测电路
2014年
在常规SiGe工艺下,设计了太赫兹频段的180 GHz信号产生、调制与探测电路。正交振荡器产生了四路相位相差90°的正弦信号,每路频率为45 GHz,线性叠加之后频率可达到180 GHz,开关交叉耦合结构在提高振荡器频率的同时,改善了振荡器的相位噪声;采用控制差分尾管电流的跨导切换式的调制方式,对180 GHz信号进行了10 MHz的幅度调制,输出功率为-27 dBm;探测电路主要为肖特基势垒二极管直接检波电路,实现对已调制的180 GHz信号解调。采用IBM 180 nm SiGe BiCMOS工艺进行流片验证,芯片面积为1 000μm×450μm,测试结果表明探测器能够成功解调太赫兹信号。
苏秋杰毛陆虹闫冬张世林谢生
关键词:锗硅调制
A fully integrated CMOS 60-GHz transceiver for IEEE802.11ad applications
2016年
A fully integrated 60-GHz transceiver for 802.11ad applications with superior performance in a 90-nm CMOS process versus prior arts is proposed and real based on a field-circuit co-design methodology.The reported transceiver monolithically integrates a receiver,transmitter,PLL(Phase-Locked Loop)synthesizer,and LO(Local Oscillator)path based on a sliding-IF architecture.The transceiver supports up to a 16QAM modulation scheme and a data rate of 6 Gbit/s per channel,with an EVM(Error Vector Magnitude)of lower than−20 dB.The receiver path achieves a configurable conversion gain of 36~64 dB and a noise figure of 7.1 dB over 57~64 GHz,while consuming only 177 mW of power.The transmitter achieves a conversion gain of roughly 26 dB,with an output P1dB of 8 dBm and a saturated output power of over 10 dBm,consuming 252 mW of power from a 1.2-V supply.The LO path is composed of a 24-GHz PLL,doubler,and a divider chain,as well as an LO distribution network.In closed-loop operation mode,the PLL exhibits an integrated phase error of 3.3ºrms(from 100 kHz to 100 MHz)over prescribed frequency bands,and a total power dissipation of only 26 mW.All measured results are rigorously loyal to the simulation.
ZHANG LeiLUO JunZHU WeiZHANG LiWANG YanYU Zhiping
关键词:TRANSCEIVERCMOSLNAPGA
X波段0.18μm CMOS5位数字移相器被引量:1
2016年
设计了一款应用于相控阵雷达系统,工作频段8 GHz^12 GHz,中心频率为10 GHz的5位数字移相器,该移相器采用UMC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现.五位移相单元分别为11.25°、22.5°、45°、90°和180°,其中180°移相单元采用高-低通滤波器型结构,其余移相单元采用低通π型滤波器结构.通过合理选择参数模型和拓扑结构,优化版图布局设计,实现了电路性能并给出仿真结果.在工作频率范围内,32种移相状态的相位均方根误差<1.08°,幅度均方根误差<1.14 d B,插入损耗值保持在14 d B^20 d B范围内,版图尺寸为2.85×1.15 mm2.
刘志芹毛陆虹
关键词:相控阵雷达数字移相器CMOS工艺
A millimeter wave linear superposition oscillator in 0.18 m CMOS technology
2014年
This paper presents a millimeter wave(mm-wave) oscillator that generates signal at 36.56 GHz. The mm-wave oscillator is realized in a UMC 0.18 m CMOS process. The linear superposition(LS) technique breaks through the limit of cut-off frequency(fT/, and realizes a much higher oscillation than fT. Measurement results show that the LS oscillator produces a calibrated –37.17 dBm output power when biased at 1.8 V; the output power of fundamental signal is –10.85 dBm after calibration. The measured phase noise at 1 MHz frequency offset is–112.54 dBc/Hz at the frequency of 9.14 GHz. This circuit can be properly applied to mm-wave communication systems with advantages of low cost and high integration density.
闫冬毛陆虹苏秋杰谢生张世林
关键词:毫米波通信系统CMOS技术CMOS工艺截止频率
共振隧穿型太赫兹波振荡器设计
2015年
本文设计的RTD结构,采用目前最新的发射极渐变In含量(GE)结构和集电区隔离层与势垒层之间的高In过渡层(HITL)结构,同时对发射区和集电区进行重掺杂。发射极设计面积为1μm2至几μm2的情况下,通过基于非平衡格林函数法的量子输运模拟器WinGreen模拟,将势阱厚度从4.5nm降低到4nm,峰值电流密度JP从13mA/μm2达到43mA/μm2,输出功率从235μW达到2.625mW。阵列型RTO可实现功率合成,使RTO的功率再增加一个数量级,达到毫瓦甚至几十毫瓦。同时建立包含各种寄生参数的等效电路模型,通过PSPICE工具仿真,得到振荡频率可达1.78THz的仿真结果。
毛陆虹贺鹏鹏赵帆郭维廉张世林谢生宋瑞良
关键词:功率合成
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