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国家高技术研究发展计划(2002AA302496)

作品数:1 被引量:0H指数:0
相关作者:徐桂英徐亚东葛昌纯更多>>
相关机构:北京科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇等静压
  • 1篇热等静压
  • 1篇热电材料
  • 1篇热电性能
  • 1篇合金
  • 1篇SIGE合金

机构

  • 1篇北京科技大学

作者

  • 1篇葛昌纯
  • 1篇徐亚东
  • 1篇徐桂英

传媒

  • 1篇粉末冶金技术

年份

  • 1篇2008
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
热等静压制备N型Si_(95)Ge_5合金及其热电性能
2008年
采用热等静压的工艺合成了掺杂GaP量为≤2.0%(摩尔分数)的N型Si95Ge5固溶体合金,对合成后的样品进行了物相结构分析及对微观形貌进行了表征,并研究了在室温下GaP掺杂量对载流子浓度、电导率、Seebeck系数及功率因子的影响。对于复合掺杂(P+GaP)的N型Si95Ge5合金,试验结果表明:Seebeck系数在GaP掺杂量为0.5%(摩尔分数)时最小,之后随着GaP掺杂量在0.5%~1.5%范围内的增加而增加;电导率在GaP掺杂量小于1.5%范围内随GaP掺杂量的增加而单调增加;GaP的掺杂量在0.5%~1.5%范围内时,其功率因子在303K时达到最大值。
徐亚东徐桂英葛昌纯
关键词:热电材料SIGE合金热电性能热等静压
共1页<1>
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