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国家自然科学基金(10274081)

作品数：2 被引量：1H指数：1
相关作者：罗向东徐仲英孙炳华葛惟昆谭平恒更多>>
相关机构：中国科学院南通大学香港科技大学更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇光谱
  • 1篇带隙
  • 1篇吸收光谱
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光光谱
  • 1篇合金
  • 1篇发光
  • 1篇发光光谱
  • 1篇XAS
  • 1篇GAA
  • 1篇GAASN
  • 1篇GAN
  • 1篇N
  • 1篇X

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇南通大学
  • 1篇香港科技大学

作者

  • 2篇徐仲英
  • 2篇罗向东
  • 1篇孙炳华
  • 1篇谭平恒
  • 1篇葛惟昆

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
GaN_xAs_(1-x)(x<0.01)中合金态的光学特性被引量：1
2005年
应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的 (0 0 1)GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中三元合金态的光学特性 .变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别 ,而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性 .最后还研究了GaNAs的吸收光谱特征 .
罗向东孙炳华徐仲英
关键词：光学特性吸收光谱
低N含量GaAsN材料的共振喇曼散射及其带边以上的光致发光光谱(英文)
2006年
利用显微光致发光技术,观测到了N含量为0 .1 %,0 .22 %,0 .36 %和0 .62 %的GaAsN合金的E_0, E_0+Δ_0和E+能级的光致发光峰.共振喇曼散射谱进一步证实了这些发光峰来源于所研究材料的本征能级,而不是来源于GaAsN合金中的一些局域激子发射.随着N组分的增加,E_0+Δ_0和E+能级分别向低能和高能方向移动并在N组分为0.16%时发生交错.文中提出了一种少量等电子掺杂和显微光致发光谱相结合的方法来直接观测半导体材料带边以上的跃迁能级,尽管光致发光谱通常没有用来观测这些能级位置.
谭平恒罗向东葛惟昆徐仲英Zhang YMascarenhas AXin H PTu C W
关键词：GAASN光致发光带隙
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共1页<1>
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