国家重点基础研究发展计划(TG2000068302)
- 作品数：5 被引量：13H指数：3
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- 低噪声GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器被引量：1
- 2005年
- 提出了一种新结构的多量子阱红外探测器(QWIP)。在常规多量子阱结构的基础上加入P型欧姆接触层,实现以小的隧道电流代替原有的大的补偿电流,从而减小器件的暗电流实现低噪声器件。对器件暗电流的理论计算与实验曲线符合的很好。制备了新结构器件,其噪声只是同结构的常规QWIP的1/3。
- 邓军王斌韩军李建军沈光地
- 关键词：补偿电流
- 一种实用的精密复合式开关稳压电源的研制被引量：3
- 2004年
- 介绍一种双路输出的高效、精密、复合式开关稳压电源的设计方法。该电源既具有开关电源的高效 ,同时又具有线性稳压电源的稳压特性好的特点 。
- 宋鑫欣王林于海鹰沈光地
- 关键词：开关电源线性电源
- 利用光学薄膜模型研究垂直腔面发射激光器的光学特性被引量：1
- 2005年
- 可以把垂直腔面发射激光器看作是多层光学薄膜,应用光学薄膜原理对其光学薄膜的特性进行了研究。计算分析了布拉格反射镜和谐振腔模的反射谱受器件结构变化的影响。通过利用菲涅耳系数矩阵法计算,得到了光在垂直腔面发射激光器器件结构中形成的驻波场分布。结果表明,利用菲涅耳系数矩阵法设计垂直腔面发射激光器的光学薄膜是一种快捷准确的方法。
- 盖红星郭霞邓军李建军韩军邢艳辉俞波牛南辉陈建新沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器光学薄膜反射谱驻波场半导体激光器
- 金属有机化合物汽相淀积技术制备布拉格反射镜确定外延厚度的方法被引量：3
- 2006年
- 外延膜层厚度的精确性对垂直腔面发射激光器(VCSEL)是十分重要的。应用传输矩阵方法分析了厚度偏差对半导体布拉格反射镜(DBR)反射谱的影响,并利用这种影响提出了一种金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)制备布拉格反射镜精确确定外延厚度的方法。据此,应用MOCVD生长了980 nmVCSEL外延片,其反射谱中心波长为982 nm。结果表明,应用这种方法能够实现材料厚度、MOCVD系统生长参数的定标以及为VCSEL的材料生长提供可靠的依据。
- 盖红星陈建新邓军廉鹏俞波李建军韩军沈光地
- 关键词：布拉格反射镜反射谱
- MOCVD原位监测垂直腔面发射激光器材料生长被引量：5
- 2004年
- 利用MOCVD的原位监测控制生长垂直腔面发射激光器材料。通过GaAs/AlGaAsDBR结构生长表明系统的原位监测结果与实际结果间存在2%的偏差。修正原位监测的参数,可实现利用原位监测进行实时控制生长,从而有效地减少系统漂移对材料生长的影响,提高系统的控制精度。用于垂直腔面发射激光器(VCSEL)的外延生长中,可以有效减少生长次数并得到高质量的外延材料,制作的VCSEL器件在室温下得到10.1mW的脉冲功率和7.1mW的直流功率。
- 邓军李建军廉鹏韩军渠红伟董立闽郭霞沈光地
- 关键词：MOCVD垂直腔面发射激光器
