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陕西省教育厅自然科学基金(2004E117)

作品数:5 被引量:22H指数:3
相关作者:严文于灵敏范新会林贺张克良更多>>
相关机构:西安工业大学更多>>
发文基金:陕西省教育厅自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇纳米
  • 6篇纳米线
  • 6篇ZNO纳米
  • 6篇ZNO纳米线
  • 4篇气敏
  • 4篇气敏性
  • 4篇气敏性能
  • 2篇甲烷
  • 2篇掺杂
  • 1篇电场
  • 1篇氧化锌纳米
  • 1篇氧化锌纳米线
  • 1篇热蒸发
  • 1篇热蒸发法
  • 1篇外加电场
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能
  • 1篇氨气
  • 1篇ZNO

机构

  • 6篇西安工业大学

作者

  • 6篇范新会
  • 6篇于灵敏
  • 6篇严文
  • 4篇林贺
  • 2篇张克良
  • 1篇马雪红
  • 1篇牛迎宾

传媒

  • 2篇西安工业大学...
  • 1篇铸造技术
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2009
  • 4篇2007
  • 1篇2006
5 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
在外加电场下制备ZnO纳米线被引量:3
2006年
为了有效控制ZnO纳米线的生长,采用物理热蒸发法在外加电场的条件下制备ZnO纳米线.通过在沉积区引入外电场,制备出了定向生长的ZnO纳米线、纳米梳子及纳米锥.借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜以及X射线衍射仪,研究外加电场对ZnO纳米线生长的影响.与没有外加电场的情况相比,ZnO纳米线的生长方式发生了较大的改变,由一点向空间发散生长转变为沿某一方向定向生长,其平均直径约70 nm,长约12μm.结果表明,外加电场能有效控制半导体纳米线的生长,使其生长更具有方向性.
张克良范新会于灵敏严文
关键词:ZNO纳米线外加电场
Ni掺杂对ZnO纳米线甲烷气敏性能的影响
2007年
以采用物理热蒸发法制备的纯ZnO纳米线和Ni掺杂ZnO纳米线为气敏基料,制备成旁热式气敏元件,用静态配气法对浓度为10^-4的甲烷气体进行了气敏性能的测试.结果表明Ni掺杂使ZnO纳米线对甲烷灵敏度提高了182%,响应时间和恢复时间分别缩短了3和2s.Ni的掺杂,在ZnO半导体禁带中引入新的复合中心,形成附加能级,提高了ZnO纳米线对甲烷的灵敏度.
林贺范新会于灵敏严文
关键词:ZNO纳米线掺杂气敏性能甲烷
ZnO纳米线的制备及其光学性能被引量:11
2007年
采用物理热蒸发ZnS粉的方法,制备出了大规模的线状和棒状ZnO纳米结构。借助扫描电子显微镜、透射电子显微镜、激光拉曼光谱仪以及荧光光谱仪研究了ZnO纳米线的表面形貌、内部结构及其光学性能。结果表明,所得到的ZnO纳米线是六方的单晶结构,而且具有较好的发光性能和良好的结晶性。纳米线长约2~5μm,直径约60nm,其生长机制为气—固(VS)机制。
张克良范新会于灵敏马雪红严文
关键词:热蒸发法氧化锌纳米线光学性能
紫光激发对CeO_2掺杂ZnO纳米线气敏性能的影响被引量:2
2009年
以物理热蒸发法制备的CeO2掺杂ZnO纳米线为气敏基料,制作成旁热式气敏元件,采用紫光(波长(为3702~395nm)激发,用静态配气法对浓度均为1×10-2%的甲烷和一氧化碳进行了气敏性能的测试。结果表明,在紫光激发下,CeO2掺杂ZnO纳米线气敏元件对甲烷和一氧化碳的灵敏度分别提高了300%和305%,对甲烷和一氧化碳的响应时间分别缩短了3s和4s;恢复时间分别缩短了2s和4s。并且随着紫光强度的增大,元件的气敏性能提高。
林贺范新会于灵敏严文
关键词:ZNO纳米线气敏性能
紫光激发对ZnO纳米线氨气气敏性能的影响被引量:7
2007年
分析了ZnO基气体传感器在应用中存在灵敏度低、响应和恢复时间长的问题.以物理热蒸发法制备的ZnO纳米线为气敏基料,制作成旁热式气敏元件.采用紫光(波长为370~395 nm)激发,用静态配气法对浓度为100 mL/m^3的氨气进行了气敏性能的测试.ZnO纳米线气敏元件对氨气检测的灵敏度提高了353%,响应时间和恢复时间分别缩短了4 s和1 s.
范新会林贺牛迎宾于灵敏严文
关键词:ZNO纳米线气敏性能氨气
Ni掺杂对ZnO纳米线甲烷气敏性能的影响
以采用物理热蒸发法制备的纯 ZaO 纳米线和 Ni 掺杂 ZaO 纳米线为气敏基料,制备成旁热式气敏元件,用静态配气法对浓度为10的甲烷气体进行了气敏性能的测试。结果表明 Ni 掺杂使 ZaO 纳米线对甲烷灵敏度提高了1...
林贺范新会于灵敏严文
关键词:掺杂气敏性能甲烷
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