国家高技术研究发展计划(2011AA050513)
- 作品数：5 被引量：11H指数：2
- 相关作者：张德贤蔡宏琨于倩苏超吴限量更多>>
- 相关机构：天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室南开大学东京工业大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程动力工程及工程热物理电子电信天文地球更多>>
- 背接触势垒对a-Si∶H/c-Si异质结太阳电池性能的影响
- 2014年
- 由载流子输运理论推出a-Si∶H/c-Si异质结太阳电池的背接触势垒是其J-V曲线出现S-shape现象的原因之一,此时电池内部存在两个串联反偏的二极管,阻碍载流子输运。通过模拟计算验证该结论,发现硅基异质结太阳电池背接触产生的肖特基势垒高度存在最大临界值,高于此值则电池的开路电压、填充因子和转换效率会急剧衰减,而短路电流密度基本不变。
- 王奉友张德贤蔡宏琨苏超于倩胡楠
- 关键词：异质结太阳电池背接触模拟计算
- 单晶硅表面制绒及其特性研究被引量：5
- 2014年
- 研究了在不同的碱液(NaOH,Na2CO3,NaHCO3,Na2SiO3,Ca(OH)2,CH3COONa)和异丙醇(IPA)制绒下单晶硅表面金字塔结构的变化情况,使用分光光度计测量了不同结构表面的反射率变化。结果表明,金字塔绒面的表面反射率与金字塔结构及大小分布情况有关,实验中获得的最低表面反射率为7.8%。金字塔结构断面SEM图显示金字塔顶角在断面上的投影角度不会随反应条件和金字塔大小改变,维持在80°左右。最后,通过制绒后硅片表面金字塔形貌的扫描电镜图样和反射率的分析,提出了织构率α的概念,得到了快速了解单晶硅表面金字塔覆盖率的方法。
- 戴小宛张德贤蔡宏琨仲玉泉于倩苏超
- 关键词：单晶硅陷光结构反射率
- 基于GaSb/CdS薄膜热光伏电池的器件设计被引量：1
- 2015年
- 基于Ga Sb薄膜热光伏器件是降低热光伏系统成本的有效途径之一,本文主要针对Ga Sb/Cd S薄膜热光伏器件结构进行理论分析.采用AFORS-HET软件进行模拟仿真,分析Ga Sb和Cd S两种材料各自的缺陷态密度、界面态对电池性能的影响.根据软件模拟可以得知,吸收层Ga Sb的缺陷态密度以及Ga Sb与Cd S之间的界面态密度是影响电池性能的重要因素.当Ga Sb缺陷态增加时,主要影响电池的填充因子,电池效率明显下降.而作为窗口层的Cd S缺陷态密度对电池性能影响不明显,当Cd S缺陷态密度上升4个数量级时,电池效率仅下降0.11%.
- 吴限量张德贤蔡宏琨周严倪牮张建军
- 关键词：锑化镓硫化镉
- 基于热光伏电池GaSb多晶薄膜的可控生长（英文）被引量：2
- 2015年
- 采用物理气相沉积(PVD)法在ITO透明导电衬底上制备GaSb多晶薄膜.研究了衬底温度及薄膜厚度对GaSb薄膜结构特性、电学特性以及光学特性的影响.在一定条件下生长的GaSb薄膜择优取向由GaSb(111)晶向转变为GaSb(220)晶向,这是在玻璃衬底上生长GaSb薄膜没有发现的现象.择优取向改变为(220)晶向的GaSb薄膜具有更高的霍尔迁移率.因为这种薄膜材料具有更少的晶粒间界和更少的缺陷.经优化后的GaSb薄膜的光学吸收系数在104cm^(-1)以上,适用于热光伏薄膜太阳电池中.
- 蔡宏琨李涛吴限量张德贤倪牮张建军
- P型微晶硅及其在柔性衬底太阳电池中的应用被引量：3
- 2013年
- 本文以B(CH3)3(TMB)为掺杂剂,通过射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P型微晶硅(c-Si:H)薄膜材料进行了研究.通过测试材料电学、光学及微结构特性等,研究了硅烷浓度与掺杂浓度对薄膜性能的影响.将上述材料分别应用于PEN/ZnO柔性衬底及SnO2玻璃衬底的非晶硅薄膜太阳电池中,PEN柔性衬底的非晶硅太阳电池得到了4.63%的光电转换效率,玻璃衬底非晶硅太阳电池得到了5.72%的光电转换效率.
- 蔡宏琨陶科胡居涛靳果谢轲张德贤
- 关键词：柔性衬底非晶硅太阳电池
