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国家基础科学人才培养基金(J0830310)

作品数:12 被引量:18H指数:2
相关作者:彭国良熊锐郭立平黎明潘春旭更多>>
相关机构:武汉大学中国科学院武汉科技大学更多>>
发文基金:国家基础科学人才培养基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学历史地理金属学及工艺一般工业技术更多>>

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 9篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇历史地理

主题

  • 2篇离子注入
  • 2篇纳米
  • 2篇掺杂
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶生长
  • 1篇导体
  • 1篇低能
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电输运
  • 1篇电输运性质
  • 1篇电子结构
  • 1篇压痕
  • 1篇氧化锌
  • 1篇氧化铈
  • 1篇遗存
  • 1篇遗存分析
  • 1篇原位透射电镜
  • 1篇战国
  • 1篇正电子

机构

  • 12篇武汉大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇武汉科技大学
  • 1篇中国科学院金...
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 3篇郭立平
  • 3篇熊锐
  • 3篇彭国良
  • 2篇刘雍
  • 2篇张悦
  • 2篇李洋
  • 2篇石兢
  • 2篇彭挺
  • 2篇潘春旭
  • 2篇黎明
  • 1篇尹镝
  • 1篇李靖
  • 1篇周睿
  • 1篇刘传胜
  • 1篇刘威
  • 1篇李铁成
  • 1篇杨铮
  • 1篇王丹丹
  • 1篇程莉
  • 1篇魏伟

传媒

  • 4篇物理学报
  • 2篇武汉大学学报...
  • 2篇核技术
  • 1篇物理实验
  • 1篇材料保护
  • 1篇大学物理
  • 1篇电子显微学报

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2009
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种实现边界条件与方程均齐次化的方法被引量:5
2013年
给出了一种在用分离变量法求解具有非齐次边界条件的定解问题时,能将边界条件与方程均实现齐次化的待定函数法,并就物理学中的三类典型数理方程分别具有第一、第二、第三类非齐次边界条件的定解问题进行了讨论,给出了具体的结论和求解模式.
姚端正
关键词:分离变量法非齐次边界条件输运方程拉普拉斯方程二阶线性常微分方程
尖晶石结构自旋有序CaTi_2O_4单晶生长和磁化率特性研究
2010年
通过助溶剂熔融法并在氩气气氛炉中成功生长出高质量大尺寸的CaTi2O4的单晶.X射线衍射实验及能量损失谱EDS证实,制备的CaTi2O4单晶晶胞参数a=9.781A,b=9.966A,c=3.148A,所有样品均为单相,且符合化学计量比,样品高纯.通过直流磁化率的测量,首次给出了晶体的Van-Vleck顺磁因子为6.85×10-5cm3/mol,Cure-Weiss温度为-0.44K,呈弱反铁磁性.同时,通过单晶各向磁化率的测量,进一步确认了CaTi2O4晶体中一维有序Ti-Ti反铁磁dimer链的形成,并明确了其方向.
刘雍周睿李靖张悦熊锐尹镝汤五丰石兢
关键词:磁化率各向异性
Mn离子注入Si材料的结构分析及磁学性质
2009年
采用剂量分别为1×1016(1E16),3×1016(3E16)和5×1016cm-2(5E16)的Mn离子注入方法制备Si基稀磁半导体样品.利用透射电子显微镜(TEM)和交变梯度磁强计(AGM)对不同剂量的样品退火前后的结构和磁学特性的变化进行了表征.实验发现,退火前,只有5E16样品出现球状偏析物,其直径在5 nm左右,但也有个别直径15 nm左右的大团簇.N2环境下800℃退火5 min部分修复了1E16样品注入区域的晶格损伤,并使该剂量样品出现偏析物,直径多在10 nm左右.衍射花样分析表明该偏析物为具有晶面间距0.333,0.191和0.163 nm的微晶,这说明该微晶最有可能是MnSi1.7.退火前,样品饱和磁化强度随注入剂量增大而显著增强,但从3E16到5E16增速放缓,退火使低剂量样品磁性大幅减弱,说明偏析物不利磁性增强.
郭立平欧阳中亮彭国良叶舟黎明彭挺潘杨
关键词:离子注入
CeO_2/ZnO复合纳米结构的水热法研制
2010年
以硅片为衬底,使用六水合硝酸锌(Zn(NO3)2·6H2O)、六水合硝酸铈(Ce(NO3)3·6H2O)以及六次甲基四胺(C6H12N4)为原料,采用水热法在90℃下生长出表面修饰CeO2纳米颗粒的ZnO亚微米杆,运用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)及电子能谱仪(EDX)研究了样品的晶体结构、表面形貌和成分.实验结果表明,在不同的初始溶液浓度下长出的纳米结构有不同的形貌、结构和成分.通过对不同条件产物的形貌和结构的观察,发现在Ce(NO3)3·6H2O与Zn(NO3)2·6H2O的摩尔比例为1∶10时生长出的纳米颗粒浓密且均匀地附着在纳米杆的表面.这种纳米颗粒表面修饰的复合结构在CO的选择性探测方面有更好的应用价值.
王杲祯李洋沐李金钗
关键词:氧化铈氧化锌水热法复合结构
在线低能气体离子源被引量:1
2010年
材料中氦和氢积累可引起材料性能的恶化甚至失效。为研究材料内氦和氢的存在形式、氦与氢及缺陷的相互作用、气泡的形成和演变过程以及各种因素的影响,建立一套离子束能量最高20keV的潘宁型气体离子源引出和聚焦系统,与200kV透射电镜联机,在离子注入现场原位观察氦和氢不同注入浓度下材料内部的微观结构及变化过程。对离子源进行氦离子的起弧、引出和聚焦测试。离子源在15–60mA放电电流范围内稳定地工作。在5×10–3Pa和1.5×10–2Pa工作气压下,放电电压约380V和320V。低气压下引出离子束流比高气压下大,且引出束流随放电电流和吸极电压的增加而增加。等径三圆筒透镜有显著聚焦作用,在距透镜出口150cm处,离子束流密度提高一个量级以上。能量10keV左右的氦离子获得束流密度约200nA·cm–2的离子束,可满足多种材料进行在线离子注入和原位电镜观测的需要。
靳硕学郭立平彭国良张蛟龙杨铮黎明刘传胜巨新刘实
关键词:离子源辐照损伤原位透射电镜
离子注入制备Si_xMn_(1-x)稀磁半导体的X射线衍射
2010年
把1×1016/cm2的200keVMn离子注入p型Si单晶(100)片中,在N2气氛下进行600℃、700℃、800℃和900℃退火,制得SixMn1-x稀磁半导体。用同步辐射X射线衍射技术研究样品结构,发现Mn的注入和退火导致了Si结晶颗粒的产生,随退火温度升高,间隙位的Mn原子逐渐减少,替代位的Mn原子增加,同时晶格发生膨胀。间隙位和替代位Mn原子间的相互作用导致样品的铁磁性增强。
彭国良李铁成张文勇彭挺艾志伟郭立平何庆文闻
关键词:稀磁半导体离子注入X射线衍射
湖北出土战国青铜剑表面富锡层的材料学特征被引量:1
2012年
利用纳米压痕技术,对3把出土于湖北的战国青铜剑残片表面富锡层的力学性能进行测试,并结合金相显微镜、扫描电镜、能谱仪和X射线衍射仪等仪器对其显微组织特征、合金成分进行了系统的表征。研究分析认为:(1)3把青铜剑残片属高锡青铜,表面存在一层由δ相和非晶化合物构成的富锡层;(2)其双层结构中的惰性腐蚀层的特征表明富锡层是在长期埋藏环境中由于发生选择性腐蚀而形成的,排除了古代工匠人为处理的可能性。纳米压痕技术为古代金属样品微米级微区的力学性能的准确测试提供了有力的工具。
何康李洋潘春旭
关键词:纳米压痕技术
Co掺杂纳米ZnO微结构的正电子湮没研究
2011年
利用正电子湮没技术研究了10at.%Co掺杂的Co3O4/ZnO纳米复合物中退火对缺陷的影响.利用X射线衍射(XRD)测量了Co3O4/ZnO纳米复合物的结构和晶粒尺寸.随着退火温度升高,Co3O4相逐步消失,ZnO晶粒尺寸也有显著增加.经过1000℃以上退火后,Co3O4相完全消失,并出现了CoO的岩盐结构.正电子湮没寿命测量显示出Co3O4/ZnO纳米复合物中存在大量的Zn空位和空位团.这些空位缺陷可能存在于纳米复合物的界面区域.当退火温度达到700℃后Zn空位开始恢复,空位团也开始收缩.900℃以上退火后,所有空位缺陷基本消失,正电子寿命接近ZnO完整晶格中的体态寿命值.符合多普勒展宽谱测量也显示Co3O4/ZnO纳米复合物经过900℃以上退火后电子动量分布与单晶ZnO基本一致,表明界面缺陷经过退火后得到消除.
祁宁王元为王栋王丹丹陈志权
关键词:ZNO正电子湮没
热分解法制备MnFe_2O_4纳米粒子及其超顺磁性
2011年
采用热分解法制备了单相的锰铁氧纳米颗粒,X射线衍射以及透射电镜测量显示其颗粒大小约为20 nm.磁滞回线测量显示室温超顺磁性.零场和非零场磁测量显示制备的MnFe2O4纳米粒子平均截止温度为84.3 K,样品中最大颗粒的截止温度为230 K,且平均截止温度与外场H2/3存在线性关系.
尤娜刘海林李美亚熊锐
关键词:超顺磁性
磁性和非磁性元素掺杂的自旋梯状化合物Sr_(14)(Cu_(0.97)M_(0.03))_(24)O_(41)(M=Zn,Ni,Co)的结构和电输运性质被引量:1
2010年
利用固相反应法制备了Sr14Cu24O41及其系列B位掺杂Sr14(Cu0.97M0.03)24O41(M=Zn,Ni,Co)的样品.X射线衍射分析显示,所有样品均为纯相,晶格常数a与c没有明显的变化;Zn掺杂样品晶格常数b没有明显变化,而Ni,Co掺杂样品晶格常数b分别稍有增加.选区电子衍射研究揭示:磁性元素Ni,Co及非磁性元素Zn掺杂,可能主要替代了Sr14Cu24O41结构中自旋链上的Cu原子,从而影响了自旋链上的dimer排列,破坏电荷有序超结构.电输运测量显示:Zn2+,Ni2+,Co3+离子掺杂样品的电阻率降低,但仍体现半导体行为,所有的掺杂样品都存在一个渡越温度Tρ,当T>Tρ时,其导电机理是以单空穴热激发导电占主要地位,在T
程莉汪丽莉蒲十周胡妮张悦刘雍魏伟熊锐石兢
关键词:输运性质
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