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高功率半导体激光国家重点实验室基金(04ZS3601)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：薄报学姜会林曲轶刘国军更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇半导体
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  • 2篇半导体激光器
  • 2篇高性能
  • 1篇量子阱半导体...
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  • 1篇功率
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  • 1篇INGAAS...
  • 1篇高功率

机构

  • 2篇长春理工大学

作者

  • 1篇刘国军
  • 1篇曲轶
  • 1篇姜会林
  • 1篇薄报学

传媒

  • 1篇中国科学（E...

年份

  • 2篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
高性能1．3μm InGaAsN量子阱半导体激光器
利用金属有机气相沉积(MOCVD)生长了 InGaAsN 量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化(PAO)技术制作了脊型波导半导体激光器。制作的条宽为100μm,腔长为1500μm 的激光器在室温下可实现最高962mW...
曲轶张晶李辉高欣薄报学
关键词：激光技术高功率半导体激光器
文献传递
高性能高应变InGaAs量子阱脊型波导半导体激光器被引量：1
2006年
介绍了利用分子束外延系统生长高应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化技术制作脊型波导半导体激光器.4μm条宽脊型波导半导体激光器在室温下单面连续输出功率达到50mW.腔长600μm时,器件阈值电流密度为300A/cm2.在100mA电流下,激光器的峰值波长为1.19μm,激光器的最大斜率效率为0.45W/A.在20℃至100℃温度下,激光器的特征温度为129K.
曲轶J.X.ZhangA.UddinS.M.WangM.SadeghiA.Larsson薄报学刘国军姜会林
关键词：高应变
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