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模拟集成电路国家重点实验室开放基金(51408010301DZ01)

作品数:3 被引量:8H指数:2
相关作者:张鹤鸣戴显英胡辉勇姜涛宣荣喜更多>>
相关机构:西安电子科技大学更多>>
发文基金:模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家部委预研基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

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  • 1篇HBT
  • 1篇存储电荷

机构

  • 3篇西安电子科技...

作者

  • 3篇胡辉勇
  • 3篇戴显英
  • 3篇张鹤鸣
  • 2篇宣荣喜
  • 2篇姜涛
  • 1篇崔晓英
  • 1篇李立
  • 1篇侯慧
  • 1篇吕懿
  • 1篇王青
  • 1篇区健锋
  • 1篇王喜嫒
  • 1篇王伟

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子器件

年份

  • 3篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
SiGe HBT传输电流模型研究被引量:2
2006年
基于SiGe异质结双极晶体管(HBT)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT传输电流模型.重点考虑发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,通过求解流过发射结界面的载流子密度,建立了SiGeHBT传输电流模型.该模型物理意义清晰,拓扑结构简单.对该模型进行了模拟,模拟结果与文献报道的结果符合得较好.将该模型嵌入PSPICE软件中,实现了对SiGeHBT器件与电路的模拟分析,并对器件进行了直流分析,分析结果与文献报道的结果符合得较好.
胡辉勇张鹤鸣戴显英宣荣喜崔晓英王青姜涛
关键词:SIGE异质结双极晶体管PSPICE软件
SiGe HBT大信号扩散电容模型研究
2006年
基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型。该模型从SiGeHBT正反向传输电流出发,研究晶体管内可动载流子所引起的存储电荷(包括正向存储电荷和反向存储电荷)的基础上,同时考虑了厄利效应对载流子输运的影响,其物理意义清晰,拓扑结构简单。将基于大信号扩散电容模型的SiGeHBT模型嵌入PSPICE软件中,实现对SiGeHBT器件与电路的模拟分析。对该模型进行了直流特性模拟分析,直流模拟分析结果与文献报道的结果符合得较好,瞬态特性分析结果表明响应度好。
胡辉勇张鹤鸣戴显英宣荣喜李立姜涛
关键词:SIGE异质结双极晶体管存储电荷PSPICE
SiGe HBT大信号等效电路模型被引量:8
2006年
基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEO(器件方程开发包)中.在PSPICE软件资源的支持下,利用该模型对SiGeHBT器件进行了交直流特性模拟分析,模拟结果与理论分析结果相一致,并且与文献报道的结果符合较好.
胡辉勇张鹤鸣吕懿戴显英侯慧区健锋王伟王喜嫒
关键词:SIGEHBT等效电路模型PSPICE
共1页<1>
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