创新研究群体科学基金(60221502)
- 作品数：9 被引量：30H指数：3
- 相关作者：杨建荣何力方维政魏彦锋王庆学更多>>
- 相关机构：中国科学院清华大学更多>>
- 发文基金：创新研究群体科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- HgCdTe/CdZnTe液相外延材料的倒易空间图研究被引量：2
- 2005年
- 采用高分辨X射线衍射的倒易空间图研究了HgCdTe/CdZnTe(-0.044%晶格失配)液相外延材料界面处晶格结构,结果显示,通常使用的10μm厚的碲镉汞液相外延材料的晶格相对碲锌镉衬底已处于完全弛豫状态,并且外延层和衬底的晶向发生了0.01°的偏离,但是,由于外延层中存在着组分梯度以及衬底和外延层热膨胀系数存在着差异,界面处外延层中仍存在着应力和应变。对称衍射和非对称衍射的实验结果均显示外延材料的倒易空间图沿垂直于散射矢量方向有所扩展,这一结果表明晶格失配的弛豫使得界面处外延层的晶体结构呈镶嵌结构。实验也发现,外延层的非对称衍射倒易空间图的扩展偏离散射矢量方向,根据弛豫线模型,这也是由于界面处外延层存在组分梯度和应变梯度所造成的。
- 王庆学魏彦锋方维政杨建荣何力
- 碲锌镉表面腐蚀坑所对应缺陷的特性研究
- 2005年
- 文中通过使用Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种常用腐蚀剂对碲锌镉材料的腐蚀坑空间分布特性进行研究,结果显示,20μm厚的(111)晶片A、B面上的腐蚀坑在空间位置上不存在对应关系,这表明腐蚀坑所对应的缺陷不是具有穿越特性的位错。腐蚀坑的空间局限性特征和热处理后腐蚀坑密度(EPD)减少等实验结果表明,腐蚀坑更有可能对应某种微沉淀物缺陷,将目前常用腐蚀剂的EPD作为碲锌镉材料的位错密度是缺乏实验依据的。
- 刘从峰方维政涂步华孙士文杨建荣何力
- 关键词：碲锌镉位错
- HgCdTe组分不均性对X射线反射率的影响
- 2005年
- 本征反射率是X射线衍射摇摆曲线计算机模拟的基础。用X射线动力学理论研究了组分不均匀对HgCdTe材料X射线反射率的影响。研究结果表明,横向组分不均匀性直接影响摇摆曲线的峰形,峰值反射率和半峰全宽随组分不均匀的增大而分别减小和增大,且与组分不均匀性的均方差近似成指数关系,但其积分反射率却基本保持不变;采用多层模型对具有线性组分梯度的HgCdTe半导体材料反射率的计算结果则表明,纵向组分梯度除导致反射率峰值强度下降外,还会引起摇摆曲线产生单边干涉效应,摇摆曲线的半峰全宽和干涉峰间距随组分梯度的增加而增大,而干涉峰间距与干涉周期之间的关系则随组分梯度的增加其偏离线性的程度增大。
- 王庆学杨建荣魏彦锋方维政陈新强何力
- 关键词：光学材料HGCDTE
- 碲锌镉晶体常用腐蚀剂的坑形特性研究被引量：5
- 2006年
- 大面积、高质量碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料,而腐蚀法是常用的揭示碲锌镉晶体缺陷和评价晶体质量的方法之一。对碲锌镉晶体常用的Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种腐蚀剂在碲锌镉材料(111)晶面上的腐蚀坑坑形进行了研究,结果发现,EAg2腐蚀剂在(111)B面上的腐蚀坑为平底坑,Everson腐蚀剂在(111)B面上产生的腐蚀坑包括平底坑和带有不同倾斜方向坑底的三角锥形坑,进一步的研究还表明,三角锥形坑并未沿着坑底的倾斜方向向下延伸。实验中也首次观察到了EAg腐蚀剂的黑白平底坑。对常用腐蚀剂的坑形特性研究,将有助于更好地利用腐蚀剂开展碲锌镉材料缺陷研究和晶体质量评价工作。
- 刘从峰方维政涂步华孙士文杨建荣何力
- 关键词：腐蚀坑碲锌镉碲镉汞红外焦平面
- 新型SiO_2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器被引量：1
- 2006年
- 对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更好的温度稳定性;在制作工艺方面具有更高的工艺重复性和栅介质淀积的均匀性。
- 刘兴明韩琳刘理天
- 关键词：非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器SIO2栅介质
- Hg_(1-x)Cd_xTe/Cd_(1-z)Zn_zTe的X射线反射率及半峰全宽的动力学研究被引量：1
- 2005年
- X射线衍射摇摆曲线的计算机模拟是一种获得材料晶体质量参量的有效方法,其中材料本征摇摆曲线的计算是计算机模拟的基础。用X射线动力学理论计算了Hg1-xCdxTe和Cd1-zZnzTe本征反射率曲线,并研究了组分、膜厚分别对本征反射率和半峰全宽的影响。结果表明Hg1-xCdTe和Cd1-zZnzTe的本征反射率和半峰全宽与材料组分和厚度有明显的依赖关系,且该依赖关系取决于X射线在材料中的散射和吸收的相对强弱。薄膜的厚度也是直接影响本征摇摆曲线峰形、半峰全宽和反射率的重要因素,当薄膜厚度小于穿透深度时,表征本征反射率曲线的各个参量均与薄膜厚度有直接的关系。对于(333)衍射面,碲镉汞材料厚度大于7μm后,本征反射率和半峰全宽将不再发生明显变化。
- 王庆学杨建荣魏彦锋方维政陈新强何力
- 关键词：X射线光学HG1-XCDXTE
- B^+注入HgCdTe外延材料的红外透射光谱分析被引量：12
- 2005年
- 运用多层模型和膜系传递矩阵以及非线性二乘法,模拟了B+注入碲镉汞外延材料的红外透射光谱,结果表明B+注入碲镉汞外延材料的红外透射光谱能够很好地理论再现,并由此获得了结区的自由载流子浓度分布、迁移率、面自由载流子浓度以及折射率和消光系数等相关参量,所得结果与微分Hall法测试的结果是一致的.计算结果也表明B+注入HgCdTe导致红外透射率变化的根本原因是注入层的高载流子浓度的等离子效应改变了该层的折射率和消光系数.
- 王庆学魏彦锋朱建妹杨建荣何力
- 关键词：离子注入红外光谱
- (111)晶向碲锌镉晶片双面腐蚀的对比被引量：2
- 2005年
- 通过对材料减薄,并采用红外透射显微镜观察的手段,实现了对A面和B面腐蚀坑的同时观察.结果发现采用标准腐蚀剂在同一晶片的(111)A和(111)B面上形成的腐蚀坑大都不存在对应关系,深度腐蚀的实验也发现,表面腐蚀坑所对应的缺陷只局限于10μm的表层内,这表明大部分腐蚀坑所对应的不是通常认为的穿越位错.进一步分析的结果表明,不同腐蚀剂形成的腐蚀坑所对应的缺陷有可能是不同类型的位错,甚至也可能起源于微沉淀物,通常将碲锌镉材料的腐蚀坑所对应的缺陷简单地归结为材料的位错是缺乏实验依据的.
- 刘从峰方维政涂步华孙士文杨建荣
- 关键词：碲锌镉位错
- 液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性对红外透射光谱的影响被引量：7
- 2005年
- 用多层模型和膜系传递矩阵计算了HgCdTe/CdZnTe外延薄膜的红外透射光谱,结果表明组分扩散区主要影响透射光谱的干涉条纹和透射率小于10%的区域,而组分梯度区则影响吸收边斜率.横向组分波动也将影响透射光谱的吸收边斜率,当组分均方差小于0. 005时,横向组分波动对透射光谱影响可以忽略.用新的组分分布模型计算了HgCdTe/CdZnTe液相外延薄膜的理论透射光谱,并运用非线性二乘法使理论曲线能够很好地与实验结果吻合,从而获得了更加可信的HgCdTe外延薄膜的纵向组分分布和厚度参数.
- 王庆学魏彦锋杨建荣何力
