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国防科技重点实验室基金(9140C0610040609)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：李富强方园刘文杰魏洪涛高学邦更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单刀单掷开关
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇电路
  • 1篇微波单片
  • 1篇微波单片集成
  • 1篇微波单片集成...
  • 1篇开关
  • 1篇集成电路
  • 1篇反射型
  • 1篇DC
  • 1篇GAAS_M...
  • 1篇GAAS微波...
  • 1篇插入损耗

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇吴洪江
  • 1篇高学邦
  • 1篇魏洪涛
  • 1篇刘文杰
  • 1篇方园
  • 1篇李富强

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
DC～40GHz反射型GaAs MMIC SPST开关被引量：3
2008年
介绍了基于GaAs PHEMT工艺设计的一款宽带反射型MMIC SPST开关的相关技术,基于成熟的微波单片集成电路设计平台开展了宽带SPST开关设计。工作频率范围为DC^40 GHz,插入损耗≤0.8 dB,隔离度≥25 dB,驻波比≤1.4∶1。同时,对电路的通孔特性进行了分析,对电路设计流程进行了阐述。要获得期望带宽的开关,如何选择控制器件的通孔连接方式,以及通孔数量对插入损耗等性能的影响。最终,具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成单刀单掷开关电路成功开发。
方园李富强高学邦吴洪江魏洪涛刘文杰
关键词：GAAS微波单片集成电路单刀单掷开关
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