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国家自然科学基金(51161009)

作品数：18 被引量：26H指数：3
相关作者：胡孔刚段兴凯满达虎丁时锋金海霞更多>>
相关机构：九江学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学电气工程更多>>

文献类型

  • 17篇中文期刊文章

领域

  • 11篇一般工业技术
  • 7篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 8篇SB
  • 7篇TE
  • 7篇掺杂
  • 6篇真空
  • 6篇真空熔炼
  • 6篇热电材料
  • 6篇热电性能
  • 6篇BI
  • 6篇SE
  • 5篇热压
  • 5篇微结构
  • 5篇微结构研究
  • 4篇双掺杂
  • 4篇热压烧结
  • 4篇显微结构
  • 3篇共掺
  • 3篇共掺杂
  • 3篇N型
  • 3篇P型
  • 2篇热导率

机构

  • 15篇九江学院

作者

  • 15篇段兴凯
  • 15篇胡孔刚
  • 14篇满达虎
  • 12篇丁时锋
  • 7篇金海霞
  • 4篇张汪年
  • 3篇江跃珍
  • 3篇林伟明
  • 2篇林伟民
  • 2篇王丽芳
  • 2篇马明亮
  • 1篇郭书超

传媒

  • 5篇热加工工艺
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇稀有金属
  • 2篇Rare M...
  • 2篇材料科学与工...
  • 1篇铸造技术
  • 1篇电源技术
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 5篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
热压烧结制备Sb_2Te_3热电材料的微结构研究被引量：3
2013年
采用石英管真空封装高纯度的Sb和Te粉末,在800℃熔炼12h,炉冷后研磨制备Sb2Te3粉末,真空热压烧结(480℃,20MPa,保温1h),制备出Sb2Te3块体材料。用XRD、SEM和EDS对材料的物相、形貌和成分进行表征。XRD分析表明,真空熔炼合成粉末和热压烧结块体材料的XRD图谱峰与Sb2Te3的标准衍射图谱相对应。Sb2Te3热压块体材料在平行于热压方向的断面上分布有大量层片状结构,层片厚度均小于1μm,在层片状结构之间均匀分布着短的片状结构。与热压方向垂直的断面上也是层片状结构,层片状较短且分布较均匀,层片厚度大多在1μm左右。材料中Sb和Te的原子百分数分别为38.2%、61.8%,接近2∶3的原子百分比。
胡孔刚段兴凯满达虎丁时锋张汪年林伟民
关键词：真空熔炼热压烧结热电材料微观结构
Ga、K双掺杂对N型Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)材料热电性能的影响
2015年
采用真空熔炼及热压方法制备了Ga和K双掺杂N型Bi2Te2.7Se0.3热电材料。XRD分析结果表明,Ga和K已经完全固溶到Bi2Te2.7Se0.3晶体结构中,形成了单相固溶体合金。SEM分析表明,材料组织致密且有层状结构特征。通过Ga和K部分替代Bi,在300~500 K的大部分温度范围内,Ga和K双掺杂对提高Bi2Te2.7Se0.3的Seebeck系数产生了积极的作用,同时双掺杂样品的电导率也得到明显的提高。Ga和K双掺杂样品的热导率都大于未掺杂的Bi2Te2.7Se0.3,Ga0.02Bi1.94K0.04Te2.7Se0.3合金在500 K获得ZT最大值为1.05。
段兴凯胡孔刚丁时锋满达虎林伟明金海霞
关键词：双掺杂显微结构热电性能
Na、Ga共掺杂对n型Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)电热输运性能的影响被引量：1
2015年
采用真空熔炼及热压烧结方法制备了Na和Ga共掺杂n型Bi2Te2.7Se0.3热电材料。XRD结果表明,Na0.04Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3块体材料的XRD图谱与Bi2Te2.7Se0.3的图谱对应一致。通过EDAX技术对Na0.04Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3块体材料的成分进行了分析,无氧化现象。在298~523K温度范围内,在垂直于热压方向对样品的电热输运性能进行了测试分析,结果表明Na和Ga共掺杂可以有效地提高Bi2Te2.7Se0.3的载流子浓度,从而使电导率得到明显改善,但同时Seebeck系数有不同程度的损失。由于晶格热导率减小,Na掺杂及共掺杂样品Na0.04Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3（x=0.04）均使热导率降低。当Na掺杂浓度为0.04时,随着Ga掺杂浓度的增加,热导率呈现递增的现象,Na和Ga共掺杂样品Na0.04Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3（x=0.04）的热电优值获得了较明显的提高,在398K时的最大ZT值为0.75。
段兴凯胡孔刚丁时锋满达虎金海霞
关键词：共掺杂
Ga、K双掺杂P型Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3材料的制备及热电性能被引量：3
2015年
采用真空熔炼和热压方法制备了Ga和K双掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电材料。XRD结果表明,Ga0.02Bi0.5Sb1.48-x Kx Te3块体材料的XRD图谱与Bi0.5Sb1.5Te3的XRD图谱对应一致,但双掺杂样品的衍射峰略微向左偏移。热压块体材料中存在明显的（00l）晶面择优取向。SEM形貌表明材料组织致密且有层状结构特征。Ga和K双掺杂可使Bi0.5Sb1.5Te3在室温附近的Seebeck系数有一定的提高,而双掺杂样品的电导率均得到了不同程度的提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品的电导率得到较明显的改善。在300~500 K测量温度范围内,所有双掺杂样品的热导率高于Bi0.5Sb1.5Te3的热导率,在300 K附近双掺杂样品的ZT值得到提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品在300 K时ZT值达到1.5。
段兴凯胡孔刚丁时锋满达虎张汪年马明亮
关键词：双掺杂真空熔炼热电性能
真空熔炼及热压烧结制备Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)热电材料的微结构研究
2012年
采用真空熔炼制备了三元Bi2Te2.7Se0.3合金材料,再利用热压烧结法烧结成型,用XRD和SEM对材料物相成分和形貌进行了表征。结果表明,Bi、Te、Se单质粉末经真空熔炼形成了单相Bi2Te2.7Se0.3合金,热压烧结过程中未发生相变反应,热压烧结后仍为单相Bi2Te2.7Se0.3;热压烧结后热电材料在微观结构上存在各向异性,沿垂直于压力方向产生优化取向,沿(0001)面的解理断裂局限在单颗晶粒的尺寸范围,这预示着能够在增强材料力学性能的同时提高热电性能。
满达虎王丽芳段兴凯胡孔刚丁时锋张汪年马明亮
关键词：热电材料真空熔炼热压烧结显微结构
真空熔炼及热压烧结制备Na掺杂Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)热电材料的微结构研究被引量：4
2014年
采用真空熔炼/研磨技术制备NaxBi2-xTe2.7Se0.3(x=0,0.02,0.04,0.06)热电材料粉末,利用热压烧结法制备块体样品。通过XRD和SEM对该材料的物相成分和断面形貌进行表征。结果表明:在适当的范围内掺杂Na元素及真空熔炼和热压烧结均不会改变合金的物相,仍为单相Bi2Te2.7Se0.3合金。真空熔炼及热压烧结制备的NaxBi2-xTe2.7Se0.3块体热电材料呈具有一定取向的层状结构、少许的孔隙分布以及结构不均匀性等一系列特征;随Na掺入量的增加,取向程度增大,孔隙数量减少,结构均匀性提高。
满达虎王丽芳段兴凯胡孔刚
关键词：热电材料真空熔炼热压烧结微结构
K、Al共掺杂Bi_2 Te_(2.7) Se_(0.3)热电材料的制备及性能研究被引量：3
2014年
采用真空熔炼和热压烧结技术制备了 K 和Al 共掺杂 Bi2 Te2．7 Se0．3热电材料.利用 X 射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对样品的物相结构和表面形貌进行了表征. XRD 分析结果表明,K0．04 Bi1．96-x Alx Te2．7 Se0．3块体材料的 XRD 图谱与 Bi2 Te2．7 Se0．3的 XRD 图谱对应一致,SEM 形貌表明材料组织致密且有层状结构特征.K0．04 Bi1．92-Al0．04 Te2．7 Se0．3合金提高了材料的 Seebeck 系数,K0．04 Bi1．88 Al0．08 Te2．7 Se0．3和 K0．04 Bi1．84 Al0．12 Te2．7 Se0．3大幅度提高了材料的电导率,通过 K 和 Al 部分替代 Bi,使材料的热导率有不同程度的减小,在300~500 K 温度范围内,K 和 Al共掺杂均较大幅度地提高了 Bi2 Te2．7 Se0．3的热电优值.
段兴凯胡孔刚丁时锋满达虎金海霞林伟明
关键词：共掺杂热导率热电性能
真空熔炼及热压烧结Sb_2Se_3热电材料的微结构研究被引量：3
2012年
采用石英管真空封装高纯度的Sb粉和Se粉,在800℃下熔炼8h,冷却后制成Sb2Se3粉末,在真空下进行热压烧结(470℃,60 MPa)并保温0.5 h,制备出Sb2Se3块体材料。运用XRD、SEM和EDS法对材料物相、形貌和成分进行了表征。结果表明,真空熔炼合成粉末和热压烧结块体材料的XRD图谱与Sb2Se3的标准衍射图谱(01-072-1184)相对应;Sb2Se3热压块体材料在平行和垂直于热压方向的断面上都分布着大量的层片状结构,平行于热压方向的断面上层片状结构沿某一方向择优生长,而在垂直于热压方向的断面上层片状结构分布更均匀,结晶更充分;材料中Sb和Se的原子百分比分别为40.68%、59.32%,接近于2∶3。
胡孔刚段兴凯满达虎丁时锋金海霞
关键词：VACUUMMELTINGHOT-PRESSINGSB
温差电材料Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3双掺杂调控及热电性能研究被引量：1
2015年
采用真空熔炼及热压方法制备Ga和Na共掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电材料。利用X射线衍射（XRD）技术对样品的物相结构进行了表征。在300~500K测量温度范围内,共掺杂样品的Seebeck系数均低于Bi0.5Sb1.5Te3的Seebeck系数,并随着Ga掺杂量的增加,Seebeck系数逐渐减小。共掺杂使样品的载流子浓度增加,从而有效地提高了材料的电导率。所有共掺杂样品的热导率都大于Bi0.5Sb1.5Te3的热导率,在Na掺杂浓度不变的情况下,随着Ga掺杂浓度的增加,热导率逐步增加,Na0.04Bi0.5Sb1.46-xGaxTe3（x=0.12）样品具有高电导率的同时,Seebeck系数和热导率的损失不是很大,材料的热电性能得到了改善,在300~475K测量温度范围内的热电性能优值与Bi0.5Sb1.5Te3相比较均有所提高,325K时的最大ZT值为1.4。
段兴凯胡孔刚丁时锋满达虎金海霞
关键词：双掺杂
Thermoelectric properties of Bi0.5Sb1.4-xNaxIn0.1Te3 alloys被引量：1
2019年
The Bi(0.5)Sb(1.4-x)NaxIn(0.1)Te3(x=0.02-0.20)alloys were fabricated by high vacuum melting and hotpressing technique.The phase structures and morphology of the bulk samples were characterized by X-ray diffraction(XRD) and scanning electron microscope(SEM),respectively.Effects of In and Na co-doping on the electrical and thermal transport properties were studied from room temperature to 500 K.Seebeck coefficient of the Bi(0.5)Sb(1.5)Te3 can be enhanced by substituting Sb with In and Na at near room temperature.The electrical conductivity of the In and Na co-doped samples is lower than that of the Bi(0.5)Sb(1.5)Te3 alloy from room temperature to 500 K.In and Na co-doping of appropriate percentage optimizes the thermal conductivity of the Bi(0.5)Sb(1.5)Te3 alloy.The minimum value of thermal conductivity of Bi(0.5)Sb(1.36)Na(0.04)In(0.1)Te3 alloy is 0.45 W·m^(-1) K^(-1) at 323 K.which leads to a great improvement in the thermoelectric figure of merit(zT).The maximum zT value reaches 1.42 at 323 K.
Yue-Zhen JiangXing-Kai Duan
关键词：MICROSTRUCTURECO-DOPING
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