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影响超快光电导开关关断特性的主次因素被引量：3: 2008年; 超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定,而影响关断特性的因素很多。基于超快光电半导体开关的大量实验,分析了影响关断特性的主要因素和次要因素,认为关断特性主要取决于载流子的寿命、载流子的漂移速度、深能级陷阱作用,其中,载流子寿命是最重要的因素。触发光参数及光电耦合关系、电极工艺、电路参数对关断特性有一定影响。; 王馨梅施卫; 关键词：光电半导体开关关断特性影响因素

Investigation of GaAs photoconductive switches triggered by 900nm semiconductor lasers: ＜正＞Experiment of a lateral semi-insulating GaAs photoconductive semiconductor switch（SI-GaAs PCSS）with differe...; Deming Ma~a; 文献传递

GaAs光电导开关非线性锁定效应的机理研究被引量：5: 2011年; 根据光激发电荷畴模型,研究强电场条件下,半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的瞬态输运过程及载流子与晶格相互作用的性质,并对光激发单极电荷畴的形成、生长、输运及达到稳定平衡状态的全过程进行了分析。认为GaAs光电导开关的非线性锁定效应是光激发单电荷畴处于稳定平衡状态时的必然结果,同时,电荷畴内部及前端的强电场区域伴随有热电子强烈的局部碰撞电离和辐射复合作用,使载流子迅速"雪崩"倍增,形成输出电脉冲的超快上升沿,强电场区出现在GaAs光电导开关的阳极周围,在电荷畴到阳极之间将发生强烈的碰撞电离和辐射复合发光,形成丝状电流。; 薛红施卫纪卫莉韩小卫; 关键词：光电导开关非平衡载流子

半绝缘GaAs光电导开关亚皮秒传输特性的研究: 2008年; 本文应用Ensemble-Monte Carlo方法模拟了半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关基于Auston等效电路亚皮秒传输特性.从载流子在开关体内的动态特性出发,研究了光电导开关在飞秒激光脉冲触发下光电导传输特性、电介质弛豫特性、开关储能特性以及开关工作模式;分析了非线性光电导开关对光能阈值和偏置电场阈值要求的物理机制.; 贾婉丽施卫纪卫莉李孟霞; 关键词：光电导开关 CARLO方法负阻效应

Terahertz emission in tenuous gases irradiated by ultrashort laser pulses: 2009年; Mechanism of terahertz (THz) pulse generation in gases irradiated by ultrashort laser pulses is investigated theoretically. Quasi-static transverse currents produced by laser field ionization of gases and the longitudinal modulation in formed plasmas are responsible for the THz emission at the electron plasma frequency, as demonstrated by particle-in-cell simulations including field ionization. The THz field amplitude scaling with the laser amplitude within a large range is also discussed.; 王伟民盛政明武慧春陈民李春张杰K. Mima; 关键词：TERAHERTZ EMISSION IONIZATION GASES PARTICLE-IN-CELL

强激光与固体靶作用产生的表面电子加速和辐射研究被引量：4: 2008年; 利用单电子在固体靶表面准静态电磁场中运动的模型和非线性汤姆孙散射理论,研究了以大角度斜入射的强激光照射在固体靶表面产生的沿靶面方向发射的高能超热电子的运动及其产生的电磁辐射脉冲.数值模拟表明,靶表面的电子在靶面附近的准静态电磁场和反射的激光场中作振荡.当电子振荡频率接近激光频率时,电子被有效加速,被加速的电子主要沿靶面方向运动并产生向前的阿秒脉冲辐射.讨论了电子在加速前的不同初始速度分布对辐射脉冲的时间和空间特性的影响,模拟了不同初始状态的多电子相干辐射脉冲的频谱特性.; 董晓刚盛政明陈民张杰; 关键词：超热电子阿秒脉冲相干辐射

半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的光电导振荡特性被引量：7: 2009年; 用波长为532nm、脉冲宽度为5ns的超短激光脉冲触发电极间隙为4mm的半绝缘GaAs光电导开关,开关偏置电压从500V开始以步长50V逐渐增加,直到开关出现非线性电脉冲输出.研究表明,线性和非线性电脉冲波形均呈现出在经历一个主脉冲之后,其后跟随几个幅值较小且具有周期性和不同程度的减幅振荡.分析了开关体内载流子(热电子)的微观状态和输运过程,在直流偏置电场作用下,开关体内的热电子在电子-电子、电子-声子相互作用过程中,当它们的弛豫时间大于载流子的寿命时,光电子的输运可通过迁移率变化引起光电导振荡,这是开关输出电脉冲出现振荡的原因.; 施卫薛红马湘蓉; 关键词：光电导开关热电子弛豫

GaAs光电导开关激子效应的光电导特性: 2011年; 从GaAs光电导开关的激子效应和光激发电荷畴理论基础出发,研究了强电场触发下GaAs光电导开关激子效应的光电导特性;光激发电荷畴与激子效应的相互作用以及激子的形成、传输及离解过程形成自由电子和空穴,为激子激发光电导提供了必要的条件。影响激子效应的光电导特性的主要因素有:激子能级的吸收,束缚激子及光激发电荷畴引起的能带重整化效应,多声子跃迁,束缚激子沿位错线发生分裂和漂移。在上述因素的相互耦合作用下,使得GaAs光电导开关激子效应的光电导呈现出一定的振荡特性。; 马湘蓉施卫; 关键词：GAAS光电导开关

半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究被引量：3: 2009年; 利用流体模型对光生载流子的输运进行了模拟研究,结果表明载流子在输运过程中形成的光激发电荷畴是产生电脉冲超快上升特性的主要原因.对光激发电荷畴的形成和吸收过程的进一步研究表明:1)形成过程中的光激发电荷畴增强了电子的浓度梯度;2)光激发电荷畴在被阳极吸收的过程中,光电导开关偏置电压的快速下降能促进电流上升速度.光激发电荷畴的形成和吸收两大过程共同作用下,形成了电脉冲的超快上升特性.; 施卫屈光辉王馨梅; 关键词：光电导开关上升时间

半绝缘GaAs光电导开关的瞬态热效应被引量：8: 2010年; 实验用波长1064nm,触发光能为1.0mJ的激光脉冲触发电极间隙为4mm的半绝缘GaAs光电导开关,当光电导开关的偏置电压达到3800V时,开关进入非线性(lock-on)工作模式,在偏置电场和触发光能不变的条件下,开关输出稳定的非线性电脉冲,1500次触发后GaAs开关表面出现因丝状电流引起损伤的痕迹.分析认为:在一定触发光能和电场阈值条件下,开关芯片内存在两种瞬态热效应:热弛豫效应和光激发电荷畴-声子曳引效应.热弛豫时间很短,在皮秒甚至亚皮秒量级,热弛豫过程导致了热传导的弛豫行为;当光激发电荷畴以107cm/s的速度从阴极向阳极渡越时,在这两种效应的作用下使得开关芯片瞬态温度变化发生了弛豫振荡现象.光激发电荷畴-声子曳引效应在位错运动方向上传播,声子流携带的热能集中在移动的平面内,使得移动区域温度升高,移动轨迹经多次叠加累积呈现出丝状的损伤痕迹.; 施卫马湘蓉薛红

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