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广东省自然科学基金(04000374)
作品数:
1
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相关作者:
梁宗存
柳锡运
沈辉
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相关领域:
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2006
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开口隔离层上多晶硅薄膜制备
2006年
在SSP硅带衬底上制备开口SiO2隔离层,在隔离层上沉积多晶硅薄膜籽晶层;然后以ZMR将制备的多晶硅薄膜区融、进行再结晶,制备了SSP隔离层上多晶硅薄膜,并制备了多晶硅薄膜电池。研究结果表明:ZMR对籽晶层的区融、结晶效果比较理想,晶粒尺寸增大到厘米级长、毫米级宽;经过晶硅薄膜沉积后,开口隔离层的孔洞未完全被多晶硅薄膜层覆盖住;制备的电池的光特性参数Voc、Isc、FF都比较低,电池的最高转换效率为3.83%;指出了改进的工艺措施。
梁宗存
柳锡运
沈辉
关键词:
多晶硅薄膜电池
颗粒硅带
隔离层
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