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国家部委资助项目(9140C090303110C0904)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：徐小波魏群张鹤鸣宋建军王冠宇更多>>
相关机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：陕西省自然科学基金国家部委资助项目更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇微扰
  • 1篇微扰法
  • 1篇锗
  • 1篇P

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇王晓艳
  • 1篇马建立
  • 1篇王冠宇
  • 1篇宋建军
  • 1篇张鹤鸣
  • 1篇魏群
  • 1篇徐小波

传媒

  • 1篇中国科学：物...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
单轴应力锗能带结构研究被引量：1
2012年
用形变势理论讨论了单轴<001>和<110>及<111>张/压应力对锗导带各能谷(?能谷、?能谷及L能谷)能级的影响,采用包含自旋-轨道互作用及应力在内的六带k.p微扰法建立了单轴张/压应力作用下锗的价带结构模型,分析了锗价带带边能级随应力的变化情况,获得了锗导带底能谷能级分裂值、价带带边能级分裂值以及禁带宽度随应力的变化关系.量化数据可为单轴应力锗器件及电路的研究与设计提供参考.
马建立张鹤鸣宋建军魏群王晓艳王冠宇徐小波
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