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江苏省自然科学基金(BK2011173)

作品数：1 被引量：4H指数：1
相关作者：王玮蔡勇张宝顺更多>>
相关机构：无锡晶凯科技有限公司中国科学院中国科学院研究生院更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：核科学技术理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇电感耦合
  • 1篇电感耦合等离...
  • 1篇射频功率
  • 1篇离子
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀速率
  • 1篇GAN
  • 1篇ICP刻蚀

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇无锡晶凯科技...

作者

  • 1篇张宝顺
  • 1篇蔡勇
  • 1篇王玮

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制被引量：4
2012年
深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,实现了从23°～83°侧壁倾角的大范围工艺控制,为GaN基器件工艺提供了有益指导。
王玮蔡勇张宝顺黄伟李海鸥
关键词：电感耦合等离子体刻蚀氮化镓射频功率
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共1页<1>
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