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重庆市自然科学基金(CSTC2006BB4018)

作品数：2 被引量：3H指数：1
相关作者：牛君杰杨云青饶早英胡慧君王蜀霞更多>>
相关机构：重庆大学更多>>
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相关领域：一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇碳纳米管
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米管
  • 1篇电流
  • 1篇电流变化
  • 1篇电子发射
  • 1篇势垒
  • 1篇碳纳米管阵列
  • 1篇热电子
  • 1篇热电子发射
  • 1篇纳米管阵列
  • 1篇场发射
  • 1篇场致发射

机构

  • 2篇重庆大学

作者

  • 2篇王蜀霞
  • 2篇胡慧君
  • 2篇饶早英
  • 2篇杨云青
  • 2篇牛君杰
  • 1篇耿晓菊

传媒

  • 2篇材料导报

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
碳纳米管场发射薄膜发射电流变化的理论分析
2008年
碳纳米管薄膜具有优于传统发射器件的场发射特征,但它的场发射电流曲线只在低场区与特征曲线符合较好,在高场区偏离特征曲线。讨论了热电子发射、量子隧穿导致的位相改变对发射电流的影响,分析了场发射电流、位相的变化,解释了高场区发射电流曲线偏离的原因。
饶早英王蜀霞梁孝云杨云青胡慧君牛君杰
关键词：场发射热电子发射势垒
碳纳米管场发射阴极阵列制备研究与进展被引量：3
2007年
碳纳米管具有良好的电子发射特性,成为理想的场致发射阴极材料,碳纳米管阵列制备研究是碳纳米管平板显示应用的前提。介绍了碳纳米管阴极阵列制备技术如丝网印制法、CVD原位生长法、光刻法和自组织法等研究与进展,并从薄膜残留去除、CNTs膜微结构改变及sp^3缺陷增加等方面概述了目前CNTs场发射性能优化的进展,指出了目前存在的问题并作了简单分析。
杨云青王蜀霞胡慧君牛君杰饶早英耿晓菊
关键词：碳纳米管阵列场致发射
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