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国家民委重点项目(08HB05)

作品数:1 被引量:2H指数:1
相关作者:杨建平李永涛左安友任山令袁作彬更多>>
相关机构:湖北民族大学南京邮电大学更多>>
发文基金:国家民委重点项目更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇热稳定
  • 1篇热稳定性
  • 1篇基底温度
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇南京邮电大学
  • 1篇湖北民族大学

作者

  • 1篇高雁军
  • 1篇李兴鳌
  • 1篇袁作彬
  • 1篇任山令
  • 1篇左安友
  • 1篇李永涛
  • 1篇杨建平

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2010
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
基底温度对直流磁控溅射制备氮化铜薄膜的影响研究被引量:2
2010年
采用反应直流磁控溅射镀膜法,在氮气分压为0.9Pa、不同基底温度下、玻璃基底上制备了纳米多晶Cu3N薄膜,并研究了基底温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明,当基底温度为100℃及以下时,薄膜以[111]方向择优生长为主;在150℃及200℃时,薄膜以[100]方向择优生长为主;250℃时开始出现Cu的[111]方向生长,300℃时已完全不能形成Cu3N晶体,只有明显的Cu晶体。随基底温度的升高,薄膜的沉积速率在13~28nm/min呈U型变化,低温和高温时较高,150℃时最低;薄膜的电阻率显著降低;薄膜的显微硬度先升后降,100℃时显微硬度最大。
李兴鳌杨建平左安友高雁军袁作彬任山令李永涛
关键词:直流磁控溅射基底温度热稳定性
共1页<1>
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