国家民委重点项目(08HB05)
- 作品数:1 被引量:2H指数:1
- 相关作者:杨建平李永涛左安友任山令袁作彬更多>>
- 相关机构:湖北民族大学南京邮电大学更多>>
- 发文基金:国家民委重点项目更多>>
- 相关领域:理学电子电信更多>>
- 基底温度对直流磁控溅射制备氮化铜薄膜的影响研究被引量:2
- 2010年
- 采用反应直流磁控溅射镀膜法,在氮气分压为0.9Pa、不同基底温度下、玻璃基底上制备了纳米多晶Cu3N薄膜,并研究了基底温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明,当基底温度为100℃及以下时,薄膜以[111]方向择优生长为主;在150℃及200℃时,薄膜以[100]方向择优生长为主;250℃时开始出现Cu的[111]方向生长,300℃时已完全不能形成Cu3N晶体,只有明显的Cu晶体。随基底温度的升高,薄膜的沉积速率在13~28nm/min呈U型变化,低温和高温时较高,150℃时最低;薄膜的电阻率显著降低;薄膜的显微硬度先升后降,100℃时显微硬度最大。
- 李兴鳌杨建平左安友高雁军袁作彬任山令李永涛
- 关键词:直流磁控溅射基底温度热稳定性