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北京市优秀人才培养资助(20061D501500199)
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CuLaO_2薄膜的制备和光电性能研究
2008年
采用传统的固相烧结法制备出纯相CuLaO2粉末,以此为靶材,首次采用射频磁控溅射法制备CuLaO2薄膜并进行退火研究,得到了具有少量杂相的CuLaO2薄膜.其透过率在红外光区较高,近70%,可见光范围相对较低.CuLaO2薄膜的电导率约6.7×10-4S/cm.对比分析了CuLaO2粉末及薄膜室温光致发光性能.测试结果表明,粉末和薄膜在450 nm^650 nm范围都有明显的发光带,而薄膜有少量的杂峰,杂峰是由于La2O3、Cu的氧化物及石英衬底的影响.
董国波
张铭
董培明
赵学平
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磁控溅射
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