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国家自然科学基金(11076005)

作品数:4 被引量:11H指数:2
相关作者:杨志民张心强孙小庆陈军陈秋云更多>>
相关机构:北京有色金属研究总院表面物理与化学重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇氧化铈
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 1篇衍射
  • 1篇栅介质
  • 1篇栅介质薄膜
  • 1篇制备及性能
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇外延法
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲激光沉积...
  • 1篇介质
  • 1篇介质薄膜
  • 1篇激光
  • 1篇高真空
  • 1篇二氧化铈
  • 1篇反射高能电子...
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇分子束外延法

机构

  • 3篇北京有色金属...
  • 1篇表面物理与化...

作者

  • 3篇杨志民
  • 2篇张心强
  • 1篇杜军
  • 1篇陈勇
  • 1篇魏峰
  • 1篇陈秋云
  • 1篇屠海令
  • 1篇赵鸿滨
  • 1篇陈军
  • 1篇杨萌萌
  • 1篇孙小庆

传媒

  • 3篇稀有金属
  • 1篇Journa...

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Structure and chemical states of highly eptiaxial CeO_2(001) films grown on SrTiO_3 substrate by laser molecular beam epitaxy
2013年
Highly epitaxial and pure(001)-oriented CeO2films were grown on SrTiO3(001)substrates by laser molecular beam epitaxy method without any gas ambient.Layer-by-layer epitaxial growth mode of CeO2was confirmed by in situ reflection high-energy electron diffraction(RHEED)observations.High-resolution X-ray diffraction(HRXRD)and high-resolution transmission electron microscopy(HRTEM)results indicated the STO(100)//CeO2(100),STO[100]//CeO2[110]epitaxial relationship for out-of-plane and in-plane,respectively.The formation mechanism of the epitaxial film was also discussed in the light of a theoretical model.Chemical states of the LMBE ceria films were evaluated and evidences for the existence of Ce3+and oxygen vacancies were presented.
张俊魏峰杨志民陈秋云陈军王书明
关键词:分子束外延法高分辨透射电子显微镜反射高能电子衍射二氧化铈
高真空脉冲激光沉积CeO_2(111)/Si(111)薄膜的结构与形貌研究被引量:8
2013年
在高真空条件下,采用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了高度(111)取向的CeO2薄膜。使用反射高能电子衍射仪对薄膜制备过程进行了原位监测,衍射花样为清晰条纹状,显示薄膜结晶质量较好,表面平整光滑。采用X射线衍射仪对不同衬底温度、不同激光能量制备的薄膜进行了结构表征,随着温度升高和能量增强,CeO2薄膜(111)峰逐渐增强且峰位越来越靠近标准峰位,表明CeO2薄膜的取向性变好且薄膜应力逐渐下降。通过椭偏仪对薄膜的折射率进行了表征,结果表明薄膜的光学性能强烈依赖其结晶质量,结晶质量最好的样品折射率接近单晶薄膜。使用高分辨透射电镜表征了样品的横断面,照片显示薄膜内部原子排列有序,结晶质量较好,部分区域与衬底取向略有偏差。
孙小庆魏峰杨志民陈秋云陈军
关键词:氧化铈脉冲激光沉积法表面形貌
Gd_2O_3-HfO_2栅介质薄膜的外延制备及Ge-MOS电学特性分析
2012年
以Gd2O3-HfO2(GDH)固溶氧化物作为靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Ge(100)衬底上制备了GDH高k栅介质外延薄膜,其外延生长方式为"cube-on-cube",GDH薄膜与Ge(100)衬底的取向关系为(100)GDH∥(100)Ge和[110]GDH∥[110]Ge。通过反射式高能电子衍射(RHEED)技术研究了激光烧蚀能量和薄膜沉积温度对薄膜晶体结构的影响,分析了二者与薄膜的取向关系,激光烧蚀能量对薄膜取向影响更为显著。得到较优的GDH外延薄膜沉积工艺为:激光烧蚀能量为3 J·cm-2、薄膜的沉积温度为600℃。用磁控溅射制备了Au/Ti顶电极和Al背电极,其中圆形的Au/Ti电极通过掩膜方法获得,直径为50μm。采用Keithley 4200半导体测试仪对所制备Au/Ti/GDH/Ge/Al堆栈结构的Ge-MOS原型电容器进行电学特性分析,测试条件为:I-E测试的电场强度0~6 MV·cm-1,C-V测试的频率300 kHz~1 MHz,结果表明,厚度为5 nm的GDH薄膜具备良好介电性能:k~28,EOT~0.49 nm,适于22 nm及以下技术节点集成电路的应用。
张心强屠海令杜军杨萌萌赵鸿滨杨志民
关键词:GD2O3HFO2
Si(100)衬底上CeO_2薄膜的脉冲激光制备及性能研究被引量:3
2011年
用CeO2陶瓷靶材,使用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上制备了CeO2薄膜。研究了衬底温度、沉积氧压对薄膜性能的影响,实验制备出了高度(111)取向的CeO2薄膜。使用X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)对薄膜进行晶体结构的表征。结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜中的残余宏观应力(拉应力)及微观应力逐渐减小,薄膜结晶质量不断提高,而沉积氧压对此影响较小。RHEED图像显示使用PLD方法在Si衬底上沉积的薄膜具备较高的结晶性及原子级平整的表面。使用原子力显微镜(AFM)对样品进行表面粗糙度分析,发现不同温度下生长的薄膜均具有光滑的表面,方均根粗糙度(RMS)均在0.4 nm以下。使用Keithley4200半导体测试仪、椭偏仪对薄膜进行电性能及光学性能分析,发现衬底温度对薄膜的电学性能有显著影响,并且CeO2薄膜结晶状态与电学性能有直接的联系。
陈勇杨志民张心强
关键词:CEO2
共1页<1>
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