全球变化研究国家重大科学研究计划(2006CB921607)
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
- 相关作者：杜为民胡晓东廖辉张国义金元浩更多>>
- 相关机构：北京大学中国科学院更多>>
- 发文基金：全球变化研究国家重大科学研究计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- GaN基激光器多量子阱垒材料的研究被引量：1
- 2009年
- 在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,相对于GaN垒材料,InGaN垒材料,AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量,提高量子阱的量子效率及降低激光器阈值电流。相关的机制为:组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加,阱区收集载流子的能力增强;In的掺入能更多地补偿应力,减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度;In的掺入还减小了量子阱中应力引致的压电场,电子空穴波函数空间交叠得以加强,使得辐射复合增加。
- 陈伟华廖辉胡晓东李睿贾全杰金元浩杜为民杨志坚张国义
- 关键词：GAN基激光器ALINGAN
