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国家自然科学基金(91023040)

作品数:4 被引量:15H指数:2
相关作者:刘泽文钟艳秦健王太宏郭昕更多>>
相关机构:清华大学湖南大学贵州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信机械工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电阻
  • 1篇电路
  • 1篇电阻网络
  • 1篇电阻温度系数
  • 1篇读出电路
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅电阻
  • 1篇英文
  • 1篇衰减器
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子机械
  • 1篇微电子机械系...
  • 1篇微机电系统
  • 1篇显影
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米孔
  • 1篇机电系统
  • 1篇固态
  • 1篇DFP

机构

  • 3篇清华大学
  • 1篇贵州大学
  • 1篇湖南大学

作者

  • 3篇刘泽文
  • 1篇王太宏
  • 1篇傅兴华
  • 1篇李孟委
  • 1篇吴次南
  • 1篇秦健
  • 1篇郭昕
  • 1篇张普
  • 1篇王俊强
  • 1篇钟艳

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇Scienc...

年份

  • 2篇2015
  • 1篇2012
  • 1篇2011
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
固态纳米孔制备技术的发展(英文)
2015年
作为基于纳米孔核酸测序系统的关键组成部分,近年来纳米孔在科研领域吸引了越来越多的关注.虽然早期基于纳米孔的测序系统大多数采用的是生物纳米孔,但由于固态纳米孔拥有更优异的鲁棒性和耐久性,且孔的几何结构及表面性质可控,并与现有的半导体和微流体制造技术相兼容等优势,因而愈来愈受到欢迎.由于高密度的固态纳米/纳米孔阵列可以被大规模地生产出来,固态纳米孔不但可以作为生物分子检测的平台,而且在很多其他领域也拥有广阔的应用前景,例如近场光学、纳米模板光刻和离子逻辑电路等.目前,研究人员已经开发出了各种各样的固态纳米孔制备方法.为了促进固态纳米孔制备技术的研究并拓展固态纳米孔的应用,本文对已经报道的各种典型的固态纳米孔制备方法进行了总结,详细剖析了各种固态纳米孔制备方法的工作机理,比较了各种方法在材料适用性、工艺可控性等各方面的优缺点.此外,在细致分析了各种固态纳米孔的特征,如纳米孔的极限尺寸、内部结构、能否并行大批量生产等的基础上,对不同固态纳米孔的潜在应用进行了总结.
邓涛李孟委王一凡刘泽文
关键词:纳米孔固态表面性质
丙烯酸酯干膜光刻胶曝光特性及其应用被引量:8
2011年
对一种新型的丙烯酸酯干膜光刻胶(DFP)的曝光及显影特性进行了研究,采用该干胶制作出微沟道结构,进行微流道实验研究。在4英寸(1英寸=2.54cm)硅片上实现了厚度为50μm的干胶完好贴敷,从而解决了干胶在硅衬底上的贴敷问题。利用改变曝光时间设定曝光剂量梯度的方法,研究了干胶的曝光特性。采用不同质量分数的显影液,研究干胶的显影特性,获得了优化的结果。采用干胶系统进行了微流体沟道制作,得到了侧壁陡直的微沟道结构。实验发现,65mJ/cm2及以上的曝光剂量可使厚度为50μm的干膜光刻胶充分曝光并获得形貌效果良好的微结构,质量分数为5%的显影液具有最快的显影速度。
秦健刘泽文钟艳王太宏
关键词:显影
一种微型Pt温度传感器及其读出电路的研究被引量:1
2012年
基于电阻温度系数(TCR)原理及微机电系统技术,设计并制作了一种用于微型聚合酶链式反应(PCR)芯片的Pt温度传感器及其读出电路。利用溅射和剥离技术将厚度为100 nm的弯曲条形Pt传感器制作在硅衬底上。其长度和宽度分别为2 030μm和10μm。设计了基于四线法温度测量的读出电路,该电路主要包括一个恒流源电路和一个电压放大电路。测试结果表明,该传感器的电阻温度系数为1.48×10-3℃-1,其电阻变化随着温度的变化具有良好的线性度,当温度在27~100℃变化时,电阻范围在653.5~716.5Ω变化。在接出一个8位的模数转换器以后,整个传感器和读出电路能确保一个精度为0.2℃的温度控制,满足一般PCR测量需要。
张普傅兴华王俊强吴次南刘泽文
关键词:微机电系统电阻温度系数读出电路
基于π型多晶硅电阻网络的片上衰减器被引量:6
2015年
为了满足衰减器低成本、小尺寸和可重用的发展需求,提出一种基于π型多晶硅电阻网络的宽频带(0-20GHz)片上衰减器。对精确控制多晶硅方块电阻(40-400Ω/sq)进行研究,通过控制硼B离子的掺杂浓度(5×1018-1.4×1020cm-3)和热退火条件(950-1 050℃,10-30min),得出薄膜方块电阻随工艺条件的变化规律,方阻误差小于4%。结合片上衰减器的尺寸需求选择方阻,设计了10和20dB片上衰减器,采用HFSS三维建模软件对器件进行仿真优化。仿真结果表明:在0-20GHz内,10dB衰减器的衰减精度为0.26dB,电压驻波比(VSWR)小于1.13;20dB衰减器的衰减精度为0.04dB,VSWR小于1.29。电阻网络的面积均为265μm×270μm,衰减器尺寸小于1 000μm×800μm。所设计的片上衰减器精度高,适用于微波测试仪器前端。
郭昕李孟委龚著浩刘泽文
关键词:多晶硅电阻
共1页<1>
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