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江苏省自然科学基金(BK2002086)

作品数:1 被引量:10H指数:1
相关作者:陈静金国钧马余强更多>>
相关机构:淮阴师范学院南京大学更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇氧空位
  • 1篇钴掺杂
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇半导体
  • 1篇掺杂
  • 1篇磁性能

机构

  • 1篇南京大学
  • 1篇淮阴师范学院

作者

  • 1篇马余强
  • 1篇金国钧
  • 1篇陈静

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2009
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响被引量:10
2009年
从实验和理论上阐述了氧空位对Co掺杂ZnO半导体磁性能的影响.采用磁控溅射法在不同的氧分压下制备了Zn0.95Co0.05O薄膜,研究了氧分压对薄膜磁性能的影响.实验结果表明,高真空条件下制备的Zn0.95Co0.05O薄膜具有室温铁磁性,提高氧分压后制备的薄膜铁磁性逐渐消失.第一性原理计算表明,在Co掺杂ZnO体系中引入氧空位有利于降低铁磁态的能量,铁磁态的稳定性与氧空位和Co之间的距离密切相关.
陈静金国钧马余强
关键词:稀磁半导体第一性原理计算
共1页<1>
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