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国家自然科学基金(05ZR14139)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：巩航卢海峰曹明霞王新中林朝通更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇湿法化学腐蚀
  • 1篇中位
  • 1篇外延层
  • 1篇化学腐蚀
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN外延层

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇于广辉
  • 1篇林朝通
  • 1篇王新中
  • 1篇曹明霞
  • 1篇卢海峰
  • 1篇巩航

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度
2009年
研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件。通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀速率平缓,表面更平整,腐蚀坑更规则且密度更大。结合两种腐蚀结果,可以初步得出,熔融NaOH对GaN中刃型分量位错敏感,而熔融KOH对螺型分量位错更敏感,两种腐蚀剂相结合能够更完整地揭示GaN内部位错。
曹明霞于广辉王新中林朝通卢海峰巩航
关键词：GAN湿法化学腐蚀
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