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辽宁省教育厅高校重点实验室项目(20060131)

作品数:6 被引量:16H指数:3
相关作者:胡礼中张贺秋陈希于东麒王彬更多>>
相关机构:大连理工大学马里兰大学中国科学院更多>>
发文基金:辽宁省教育厅高校重点实验室项目国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇氧化锌
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 2篇纳米
  • 2篇PLD
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇射线衍射
  • 1篇退火
  • 1篇退火处理
  • 1篇退火温度
  • 1篇气相沉积
  • 1篇柱结构
  • 1篇自催化
  • 1篇微米
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇纳米棒
  • 1篇纳米棒阵列
  • 1篇开关比

机构

  • 6篇大连理工大学
  • 1篇辽宁师范大学
  • 1篇昆明理工大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇马里兰大学

作者

  • 6篇胡礼中
  • 5篇张贺秋
  • 3篇于东麒
  • 3篇陈希
  • 2篇李娇
  • 2篇邱宇
  • 2篇付强
  • 2篇乔双双
  • 2篇孙开通
  • 2篇王彬
  • 1篇林颂恩
  • 1篇王维维
  • 1篇赵子文
  • 1篇赵宇
  • 1篇赵杰
  • 1篇胡昊
  • 1篇马金雪
  • 1篇骆英民
  • 1篇刘欣

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇发光学报
  • 1篇中国科学(G...
  • 1篇中国科学:物...

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2010
  • 2篇2009
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
自催化脉冲激光沉积方法制备ZnO纳米棒阵列被引量:3
2009年
采用脉冲激光沉积方法在ZnO作为缓冲层的InP(100)衬底上制备了高密度ZnO纳米棒阵列.扫描电子显微镜图像显示ZnO缓冲层形成较为均匀的岛状结构,ZnO纳米棒具有垂直于衬底的统一生长方向.X射线衍射测试在34.46°出现尖锐的衍射峰,说明ZnO纳米棒具有(002)择优取向.PL谱在380nm出现强的近带边发射峰,在495nm出现弱的深能级发射峰,表明ZnO纳米棒具有较好的光学性质.本实验制备的高质量ZnO纳米棒阵列有望在现在和未来的纳米器件制作中得到应用.
于东麒胡礼中李娇胡昊林颂恩张贺秋陈希付强乔双双
关键词:氧化锌纳米棒阵列缓冲层自催化脉冲激光沉积
CdS_xSe_(1-x)量子点异常的变温光致发光谱特性研究
2010年
采用一种简单的旋涂热蒸发方法在InP衬底上制备出CdSxSe1-x量子点.利用变温光致发光谱(温度范围:10~300K)研究CdSxSe1-x量子点的光学特性.在温度为180~200K范围内,光致发光谱的积分强度随温度升高呈现出一种异常现象.当温度由10K升至300K时,带隙能红移61.34meV.根据Vegard定律,由X射线衍射数据和室温光致发光谱峰位能量计算得到CdSxSe1-x量子点中S和Se的成分比为0.9:0.1.此外,通过光致发光谱峰位能量和曲线拟合得到CdS0.9Se0.1量子点材料Varshni关系参数为:α=(3.5±0.1)10-4eV/K,β=(210±10)K.
于东麒陈希张贺秋胡礼中乔双双孙开通
关键词:量子点
PLD工艺制备高质量ZnO/Si异质外延薄膜被引量:2
2009年
采用脉冲激光沉积工艺在不同条件下以Si(111)为衬底制备了ZnO薄膜。通过对不同氧压下(0~50Pa)沉积的样品的室温PL谱测试表明,氧气氛显著地提高了薄膜的发光质量,在50Pa氧气中沉积的ZnO薄膜具有最强的近带边UV发射。XRD测试说明在氧气氛中得到的薄膜结晶质量较差,没有单一的(002)取向。利用一低温(500℃)沉积的ZnO薄膜作缓冲层,得到了高质量的ZnO外延膜。与直接沉积的ZnO膜相比,生长在缓冲层上的ZnO膜展现出规则的斑点状衍射花样,而且拥有更强的UV发射和更窄的UV峰半高宽(98meV)。对不同温度下沉积的缓冲层进行了RHEED表征,结果表明,在600~650℃之间生长缓冲层,有望进一步改善ZnO外延膜的质量。
赵杰胡礼中王维维
关键词:ZNO薄膜光致发光X射线衍射
ZnO微米刺球的CVD法生长及其在压电应力传感器中的应用被引量:2
2013年
利用化学气相沉积(CVD)方法生长出一种新颖的氧化锌(ZnO)微米刺球状结构,并使用该结构制备出一种新型压电应力传感器件。使用半导体特性分析系统(Keithley 4200)对器件特性进行测试,结果表明该种器件对所施加的应力高度敏感,开关比高达约60,比目前多数ZnO基压电应力传感器件高出数倍,在应力检测和机电开关等领域有很好的应用前景。
刘欣胡礼中张贺秋邱宇赵宇骆英民
关键词:氧化锌化学气相沉积开关比
PLD方法制备的ZnO纳米柱结构及光学特性被引量:5
2010年
采用无催化脉冲激光沉积(PLD)方法,在InP(100)衬底上生长纳米ZnO柱状结构。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)以及光致发光(PL)谱等表征手段对ZnO纳米柱的形貌、晶体结构和光学特性进行了观察。SEM图像观察到ZnO纳米柱状结构具有一定的取向性;XRD测试在2θ=34.10°处观测到强的ZnO(002)衍射峰,证实ZnO纳米柱具有较好的c轴择优取向;室温PL谱在379nm处观察到了强的自由激子发射峰(半峰全宽为19nm),未探测到深能级跃迁发射峰,表明生长的纳米ZnO结构具有很高的光学质量。
孙开通胡礼中于东麒李娇张贺秋付强陈希王彬
关键词:脉冲激光沉积PLXRD
生长和退火温度对磁控溅射法制备的ZnO薄膜性能的影响被引量:4
2010年
利用磁控溅射法于500℃、550℃、600℃和650℃下在A l2O3(001)衬底上生长ZnO薄。对生长的ZnO薄膜后分别进行了800℃退火和1000℃退火处理。利用X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪和透射谱仪对薄膜的结构、电学和光学性质进行了研究,结果表明合适的生长温度和退火温度能够提高ZnO薄膜的结晶质量和性能。
王彬赵子文邱宇马金雪张贺秋胡礼中
关键词:ZNO薄膜磁控溅射退火处理
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