“上海－应用材料研究与发展”基金
- 作品数：312 被引量：974H指数：12
- 相关作者：戎蒙恬刘文江王林军夏义本杨洪斌更多>>
- 相关机构：上海交通大学上海大学复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市科委纳米专项基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- 沉积工艺条件对金刚石薄膜红外椭偏光学性质的影响被引量：5
- 2006年
- 采用红外椭圆偏振光谱仪对不同工艺条件下制备的CVD金刚石薄膜在红外波长范围内的光学参量进行了测量,分析了工艺条件对金刚石薄膜红外光学性质的影响.获得了最佳的沉积工艺参数,优化了薄膜的制备工艺.结果表明薄膜的折射率和消光系数与薄膜质量密切相关,当温度为750℃,碳源浓度为0·9%和压强为4·0kPa时,金刚石薄膜的红外椭偏光学性质最佳,折射率平均值为2·385,消光系数在10-4范围内,在红外波段具有良好的透过性.
- 苏青峰刘健敏王林军史伟民夏义本
- 关键词：薄膜光学金刚石薄膜
- 金属线宽与间距渐变的片上螺旋电感设计规则研究被引量：2
- 2008年
- 在分析片上螺旋电感的磁场分布及射频损耗机制的基础上,研究了电感的金属线宽及线圈间距的变化对电感性能的影响,在大量数值分析基础上提出了金属线宽与间距之和不变,而金属线宽与间距之比从外圈到内圈逐渐减小的渐变型片上螺旋电感,并得到了实验验证,多组样品的测试结果与数值分析结果相吻合,以2.4GHz频段处为例,在高阻硅衬底上制备的5nH渐变结构电感的品质因子Q为11,比具有相同外径和电感值的固定金属线宽及间距的传统电感高19.6%。
- 刘婧石艳玲曹福全唐深群陈大为黄浩叶红波王勇薛琳艳
- 关键词：片上螺旋电感品质因子
- 同时多线程技术被引量：12
- 2008年
- 同时多线程技术结合了超标量处理器与多线程处理器两者的优点,通过增加很少的硬件资源,把一个物理核映射为多个逻辑核,成为一种研制高性能处理器的重要途径。重点介绍了同时多线程处理器出现的原因、优点、基本组成结构、当前的研究成果及影响,并探讨了当前同时多线程技术的发展趋势。
- 刘权胜杨洪斌吴悦
- 关键词：处理器多线程同时多线程同时多线程处理器
- B掺杂CoSi的微观组织和单晶热电性能被引量：2
- 2004年
- 研究了掺杂B后CoSi化合物的微观组织及单晶的热电性能。结果表明 :B在CoSi中的最大固溶度为0 .4 % (摩尔分数 ) ,CoSi化合物的晶格常数随着B含量的增加线性减小 ,当B含量达到其最大固溶度时晶格常数不再变化 ;电弧熔炼制备的CoSi1-xBx 材料具有很多空洞和裂纹 ,单晶试样大大减少了组织上的缺陷 ;掺杂B后CoSi0 .995B0 .0 0 5单晶仍为N型传导 ,Seebeck系数的绝对值增加 ,电阻率下降 ,热导率升高 ;掺杂B后热电优值(ZT)
- 周扬李成川任维丽张澜庭吴建生
- 关键词：固溶晶格常数热电性能
- UWB系统中(解)交织器低复杂度的实现被引量：2
- 2009年
- 提出一种低复杂度的(解)交织器现场可编程门阵列实现方法,采用XilinxFPGA自带的双端口存储器,能有效降低FPGA资源的消耗,且输入位宽和输出位宽无需相同,适用于多带正交频分复用超宽带系统。实验结果表明,系统所占用的slices数目对于交织器和解交织器来说分别降低了46%和78%。
- 李晶峰王雪静叶凡任俊彦
- 关键词：正交频分复用超宽带现场可编程门阵列
- 立方Mg_xZn_(1-x)O晶体薄膜的制备和性能被引量：4
- 2005年
- 采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))和石英玻璃上生长出了MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜,并用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)图谱和紫外-可见光透射光谱对其进行了表征.结果表明,在SiO2/Si(100)和石英玻璃衬底上沉积的MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜表面平整,均呈立方结构,且具有高度的(001)择优取向.立方MgxZn1-xO薄膜具有从紫外到近红外波段良好的透明性,折射率为1.7-1.8,随着波长的增大或Mg组分的增大而降低.
- 余萍吴惠桢陈奶波徐天宁
- 关键词：无机非金属材料折射率
- NiSi/Si界面的剖面透射电镜研究(英文)被引量：1
- 2006年
- 采用不同硅化工艺制备了NiSi薄膜并用剖面透射电镜(XTEM)对样品的NiSi/Si界面进行了研究.在未掺杂和掺杂(包括As和B)的硅衬底上通过物理溅射淀积Ni薄膜,经快速热处理过程(RTP)完成硅化反应.X射线衍射和喇曼散射谱分析表明在各种样品中都形成了NiSi.还研究了硅衬底掺杂和退火过程对NiSi/Si界面的影响.研究表明使用一步RTP形成NiSi的硅化工艺,在未掺杂和掺As的硅衬底上,NiSi/Si界面较粗糙;而使用两步RTP形成NiSi所对应的NiSi/Si界面要比一步RTP的平坦得多.高分辨率XTEM分析表明,在所有样品中都形成了沿衬底硅〈111〉方向的轴延-NiSi薄膜中的一些特定晶面与衬底硅中的(111)面对准生长.同时讨论了轴延中的晶面失配问题.
- 蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗
- 关键词：NISI镍硅化物固相反应
- 一种改进的并行保存划分算法被引量：2
- 2004年
- 在计算需求量很大的电路模拟中 ,经常使用并行模拟技术来减少模拟时间。并行模拟中的划分被认为是提高模拟性能的有效途径。本文研究了针对并行逻辑模拟的一种优秀的启发式多层次划分算法———并行保存划分算法 ,针对其缺点做出了一些改进 ,得到一种新的划分算法。并将这种算法放到并行逻辑模拟框架SAVANT/TYVIS /WARPED中进行了验证 ,得到了较好的结果。
- 简玲吴悦杨洪斌
- 关键词：子图触发器
- 一种新颖的PBG宽阻带低通滤波器被引量：7
- 2004年
- 本文首次提出综合PBG结构和微带线结构两因素 ,来设计滤波器的概念 .与普通PBG结构滤波器不同的是 ,本文采用具有T形和十字形短截线的微带线代替直线微带线 ,在接地板上只需刻蚀一列PBG结构即可构成宽阻带低通滤波器 .文中以T形短截线PBG结构的低通滤波器为例 ,运用时域有限差分法 (FDTD) ,分析了在不同短截线长度和PBG结构方孔边长的情况下 ,该滤波器的传输特性 .文中还给出了该滤波器和Rumsey方法与Kim方法设计的级联、并联两种PBG结构低通滤波器的传输特性的模拟结果及其对比分析 .最后 ,文中给出了模拟结果和测试结果 ,来验证所设计的低通滤波器的有效性 .
- 刘海文孙晓玮程知群李征帆
- 关键词：低通滤波器光子带隙缺陷接地结构
- 纳米金刚石薄膜的光学性能研究被引量：7
- 2006年
- 用热丝化学气相(HFCVD)法在硅衬底上制备了表面光滑、晶粒致密均匀的纳米金刚石薄膜,用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观测薄膜的表面形貌和粗糙度,拉曼光谱表征膜层结构,紫外-可见光分光光度计测量其光透过率,并用椭圆偏振仪测试、建模、拟合获得了表征薄膜光学性质的n,k值.结果表明薄膜的晶粒尺寸在100nm以下,表面粗糙度仅为21nm;厚度为3.26(m薄膜在632.8nm波长处的透过率为25%,1100nm波长处达到50%.采用直接光跃迁机制估算得到纳米金刚石薄膜的光学能隙(Eg)为4.3 eV.
- 蒋丽雯王林军刘健敏阮建锋苏青峰崔江涛吴南春史伟民夏义本
- 关键词：纳米金刚石薄膜表面粗糙度
