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国家重点实验室开放基金(0502060C06)
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
相关作者:
裴风丽
陈炳若
冯震
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相关机构:
中国电子科技集团第十三研究所
武汉大学
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发文基金:
国家重点实验室开放基金
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相关领域:
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作者
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冯震
1篇
陈炳若
1篇
裴风丽
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半导体技术
年份
1篇
2007
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AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展
被引量:3
2007年
从欧姆接触形成的机理出发,介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法,如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。回顾了近年来这些方法的研究进展。
裴风丽
冯震
陈炳若
关键词:
欧姆接触
高电子迁移率晶体管
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