您的位置： 专家智库 > >

国家重点实验室开放基金(0502060C06)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：裴风丽陈炳若冯震更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所武汉大学更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划国防基础科研计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇迁移率
  • 1篇铝镓氮
  • 1篇晶体管
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇ALGAN/...

机构

  • 1篇武汉大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇冯震
  • 1篇陈炳若
  • 1篇裴风丽

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展被引量：3
2007年
从欧姆接触形成的机理出发,介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法,如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。回顾了近年来这些方法的研究进展。
裴风丽冯震陈炳若
关键词：欧姆接触高电子迁移率晶体管
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0