您的位置: 专家智库 > >

教育部科学技术研究重点项目(210072)

作品数:9 被引量:26H指数:2
相关作者:叶波阮颖赵倩李天望朱武更多>>
相关机构:上海电力学院武汉大学华东师范大学更多>>
发文基金:教育部科学技术研究重点项目上海市教育委员会科技发展基金上海市教育委员会创新基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程

主题

  • 3篇芯片
  • 3篇放大器
  • 2篇芯片实现
  • 2篇SDH/SO...
  • 2篇SIGE
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电容
  • 1篇电容式
  • 1篇电源
  • 1篇电阻
  • 1篇移动通信
  • 1篇映射
  • 1篇映射器
  • 1篇用户侧
  • 1篇用户线
  • 1篇预处理
  • 1篇噪声系数
  • 1篇阵列

机构

  • 9篇上海电力学院
  • 2篇华东师范大学
  • 2篇武汉大学
  • 1篇苏州大学
  • 1篇上海大学

作者

  • 4篇叶波
  • 3篇阮颖
  • 2篇朱武
  • 2篇赵倩
  • 2篇李天望
  • 1篇曹家麟
  • 1篇张书霖
  • 1篇胡越黎
  • 1篇赖宗声
  • 1篇张立军
  • 1篇王晓华
  • 1篇潘虎
  • 1篇张伟

传媒

  • 4篇上海电力学院...
  • 2篇光通信技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇电子学报

年份

  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 4篇2010
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
接入网系统SHDSL CPE用户侧接口环回的远程控制方案
2010年
针对接入网系统中SHDSL用户端设备用户侧接口环回的控制困难,在接入网系统中,通过相关软件升级,局端设备利用嵌入式管理信息通道对SHDSL终端设备CPE的用户侧接口进行环回控制.该方案使网络运营商能够通过接入网局端设备DSLAM的网管软件远程控制SHDSL链路上CPE设备用户侧接口的环回,进行误码率测试并获得G.991.2标准规定的误码统计数据.
叶波罗敏
关键词:接入网环回
结合高斯多尺度变换和颜色复杂度计算的显著区域检测被引量:18
2012年
提出一种结合全局和局部对比度的数据驱动自底向上的视觉计算模型,采用高斯多尺度变换和颜色复杂度计算相结合的方法检测图像的显著区域。图像经过高斯金子塔多尺度变换后,用改进的冗余计算方法,在频域中消除全局冗余信息,初步将大范围的目标从周围环境中分离出来,并均匀地突显目标,利用多尺度特征子图点对点平方融合使全局显著区域显著度进一步增强,背景冗余信息进一步得到消弱;同时采用改进的像素颜色复杂度计算方法得到局部显著图,最后用最大类间方差法(Ostu)分割出图像中的显著区域。在多种自然图像上进行实验,实验结果表明,该方法能迅速检测出与人类视觉结果一致的显著区域。
赵倩曹家麟胡越黎
基于FPGA的图像维纳滤波算法设计被引量:1
2013年
针对软件去噪算法难以满足实时图像处理的问题,采用基于FPGA的硬件滤波算法,该方案相对于软件算法具有高度的并行性和灵活的硬件可编程性.采用Matlab和QuartusII的联合测试平台,分析和优化了基于FPGA的维纳滤波算法的设计,同时通过实验结果比较了十字型与3×3型滤波窗口设计对滤波效果的影响,实验证明3×3窗口的滤波效果比十字窗口的滤波效果更好.
赵倩潘虎
关键词:可编程门阵列图像预处理图像滤波维纳滤波
2.5Gb/s SDH/SONET指针处理器芯片实现被引量:2
2010年
提出了一种2.5Gb/s同步光纤网络SDH/SONET中指针处理器芯片实现结构。指针处理器执行指针解释、通路开销性能监测功能,产生新的与系统时钟同步的STM/STS帧。指针解释模块对输入STM/STS通道的H1/H2指针进行解释,支持48通道的指针解释和每个通道的通路开销监测。采用4路总线流水线结构,77.76MHz的系统时钟,即可实时处理2.5Gb/s的SDH/SONET数据。采用TSMC 0.13μm工艺流片,技术指标符合ITU-T标准。
叶波李天望罗敏
关键词:SDH/SONET芯片实现
下一代移动通信LTE中功率放大器芯片设计被引量:2
2012年
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种应用于下一代移动通信3GPP LTE TDD2.6 GHz频段(Band38)的射频功率放大器(PA)芯片。射频功率放大器采用共发射极3级级联的全差分结构,提高了输出电压摆幅,减小了功率晶体管的集电极电流,且降低了寄生的键合线电感。在预放大级和中间放大级、功率级中分别设计了电阻偏置和有源偏置两种偏置电路以提高线性度性能,并通过MOS开关管实现功率控制功能。测试结果表明:在2.57~2.62 GHz工作频段内,正向增益S21大于30.5 dB,输入回波损耗S11和输出回波损耗S22分别均小于-13 dB,功率增益大于31 dB,输出1 dB压缩点功率达28.6 dBm,功率附加效率为18%。
阮颖朱武张书霖赖宗声
关键词:功率放大器SIGEBICMOS移动通信
EFDA泵浦源半导体激光器驱动电源的设计被引量:2
2011年
设计了一种EFDA泵浦源半导体激光器的驱动电源,采用由PC机和单片机构成的上下位机的控制结构,具有恒定功率和恒定电流两种控制模式。该驱动电源具有激光器保护电路,电流精度和光功率控制精度分别为0.15%和0.2%。
阮颖叶波
关键词:光纤放大器驱动电源恒流
PDH到622Mb/s SDH/SONET映射芯片实现被引量:1
2010年
设计了PDH到622 Mb/s SDH/SONET的映射及逆映射芯片.集成了DS1/E1/J1成帧器、DS1/DS3复接电路和E1/E3复接电路,具有622 Mb/s和155 Mb/s的高速标准接口和3通道STM-1/STS-3分插复用总线接口,支持复用段1+1保护和UPSR环形网络拓扑结构.单片实现84通道DS1/J1或63通道E1到STM-1/STS-3的映射复用功能及多通道DS3/E3/STS-1到STM-4/STS-12的映射复用功能.支持点对点应用和环形应用,交换模式支持2016通道DS0/E0的应用.4颗芯片实现336通道DS1/J1或252通道E1到STM-4/STS-12的映射复用功能.采用TSMC 0.13μm CMOS工艺流片,芯片规模约600万门,700管脚PGBA封装,满足光纤通信传输的要求,并成功用于光纤通信设备.
叶波李天望张立军罗敏
关键词:SDH/SONET映射器芯片实现
纳米钛酸钡湿敏元件的两种结构
2010年
用纳米钛酸钡粉末制成电阻式和电容式两种结构的湿敏元件,测量了两种结构元件在不同相对湿度,以及不同频率时的电阻、电容、阻抗等电学参数,对其特性曲线进行了对比分析.讨论了湿敏元件的感湿机理.研究表明,感湿特性主要是由纳米材料丰富的颗粒界面吸附水分产生表面效应和界面效应引起的.
王晓华
关键词:纳米钛酸钡湿敏元件电容式
基于SiGe BiCMOS工艺的5GHz低噪声放大器的设计
2013年
基于0.18μmSiGeBiCMOS工艺,设计了一款应用于WLAN802.11频段的低噪声放大器(LNA).采用了共射级的两级级联结构,发射极运用电感负反馈,有效地提高了增益和线性度.仿真结果表明,在5~6GHz工作频段内,小信号增益S21达20.5dB,噪声系数NF低于2dB,正向传输系数S22小于-19dB和反向传输系数是:小于-18dB,实现了较好的输入输出匹配.
阮颖朱武张伟
关键词:低噪声放大器噪声系数SIGEBICMOS工艺无线局域网
共1页<1>
聚类工具0