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新型高k栅介质HfSiON薄膜的制备及性能研究被引量：2: 2008年; 为了替代传统的SiO2栅介质,利用射频反应溅射法在Si衬底上制备了新型HfSiON薄膜。研究了HfSiON薄膜的成分、结构和介电性能。由XRD图谱可知,HfSiON薄膜经900℃高温退火处理后仍为非晶态,显示出良好的热稳定性。MOS电容的高频C-V曲线测量显示,HfSiON薄膜具有较好的介电特性,其介电常数可达到18.9,电容等效氧化层厚度为4.5nm。I-V测量结果表明,HfSiON薄膜的漏电流密度很低,在外加偏压(Vg)为±1.5V处的漏电流密度分别为3.5×10-7A/cm2(+1.5V)和1.5×10-6A/cm2(–1.5V)。研究表明,HfSiON薄膜将会是一种很有希望取代SiO2的新型高k栅介质材料。; 冯丽萍刘正堂田浩; 关键词：高K栅介质

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西北工业大学基础研究基金(04G53043)