内蒙古自治区自然科学基金(20080404MS0101)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 相关领域：理学更多>>
- Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体多层结构中的自旋极化隧穿被引量：2
- 2010年
- 采用转移矩阵法和Airy函数,研究了ZnSe/ZnMnSe/ZnSe/ZnBeSe/ZnSe/ZnBeSe/ZnSe异质结构的自旋极化输运。在外加偏压和磁场对电子透射系数和自旋极化率的影响方面,所得到的结论显现出复杂而有趣的特性。磁场对自旋向上和向下电子隧穿的影响是不同的：对于自旋向上情况,出现双共振向单共振转换现象。
- 杨明宫箭李贺年李硕
- 关键词：稀磁半导体自旋极化共振隧穿
- 强激光场下非对称量子阱结构中子带间的跃迁
- 2010年
- 选取Al0.3Ga0.7As/GaAs的非对称双量子阱结构,在有效质量近似条件下计入电子-电子相互作用所产生的Hartree势,采用转移矩阵方法研究了外加强激光场和电场作用下非对称双量子阱结构中子带间的跃迁和光吸收性质,并且详细讨论了外场对跃迁和吸收的影响。结果发现,通过调节高频激光场和电场强度,非对称双量子阱中子带间的吸收峰将发生蓝移或红移,并且吸收峰峰值也随之发生改变,高频激光场和电场对器件的光学和电学性质具有重要的影响,对电子态的进一步调控具有重要的意义。
- 那顺乌日图宫箭
- 关键词：双量子阱激光场
