国家重点基础研究发展计划(2006CB604905)
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
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- MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究
- 用MOCVD技术在[0001]取向的蓝宝石衬底上生长出Mn掺杂的GaN薄膜。测试结果表明,Mn掺杂浓度小于2.7%时没有第二相物质出现。Raman谱结果表明,由于Mn离子的介入,替换了Ga位的阳离子,从而使得A1（LO）...
- 崔旭高张荣陶志阔李鑫修向前谢自力郑有炓
- 关键词：金属有机化学气相淀积
- 文献传递
- AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征
- 设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEM结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一AlN_b插入层的生长...
- 肖红领王晓亮张明兰马志勇王翠梅杨翠柏唐健冉军学李晋闽王占国侯洵
- 关键词：HEMT氮化铝电学性能二维电子气
- 文献传递
- 过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较
- 实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS、SQUID对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分...
- 姜丽娟王晓亮王翠梅肖红领冉军学李晋闽王占国侯洵
- 关键词：稀磁半导体氮化镓离子注入快速退火
- 文献传递
- SiC衬底GaN基HEMT结构材料与器件
- 使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在50 mm半绝缘6H-SiC衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEM)材料。50 mmHEM外延片平均方块电阻为305.3Ω/□,不均匀性为3.85%。使用此...
- 王晓亮陈堂胜唐健肖红领王翠梅李晋闽王占国侯洵
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率器件
- 文献传递
- AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究被引量：1
- 2008年
- 研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于体积分数为2×10-4～10-3的CO气体的响应状况。在2V正向偏压下,器件对于低至体积分数2×10-4的CO仍表现出了明显的响应(电流增大0.7mA),随着CO体积分数的升高,器件的电流变化愈加明显,但在反向偏压下,通入CO气体对器件的电流大小无明显影响。对器件在不同体积分数CO下的灵敏度与外加偏压的关系也进行了研究,在正向偏压下,器件的灵敏度随着CO体积分数的升高而增大。当CO气体撤消时,器件表现出了迅速的恢复性能,2V的恒定电压下,器件的恢复速度约为3mA/min。
- 冯春王晓亮杨翠柏肖红领王翠梅侯奇峰马泽宇王军喜李晋闽王占国侯洵
- 关键词：ALGAN-GAN肖特基气体传感器氧化碳
- T-ZnOw高分子复合材料逾渗行为的模拟与研究被引量：1
- 2010年
- 从T-ZnOw独特的空间结构出发,建立了T-ZnOw高分子复合材料的新型三维点阵模型,利用Monte Carlo方法对该系统的逾渗导通行为进行了模拟,得到点阵逾渗阈值为23.2%。结合实际计算获得了T-ZnOw的临界掺入比例,与文献报道的结果基本吻合。计算表明临界掺入比例主要取决于T-ZnOw的长径比,并与晶须尺寸以及复合材料制备工艺有关。
- 马泽宇王晓亮王翠梅肖红领杨翠柏
- 关键词：T-ZNOW逾渗复合材料
- T-ZnOw的制备及其吸波特性研究进展
- 四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备及其吸波特性的研究进展;指出改性...
- 马泽宇王晓亮
- 关键词：氧化锌晶须吸波特性
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- MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化
- 对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现...
- 殷海波王晓亮冉军学胡国新肖红领王翠梅杨翠柏李晋闽侯洵
- 关键词：GANMOCVD数值模拟流场沉积速率
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- C面宝石基MOCVD生长的InN薄膜的In分凝现象的研究
- 研究了 InN 薄膜在不同生长条件下的的物理特性。利用 MOCVD 方法在
- 徐峰谢自力陈敦军刘斌刘启佳江若涟张荣郑有阧
- 关键词：MOCVDAFMXPS
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- MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究
- 2008年
- 用MOCVD技术在[0001]取向的蓝宝石衬底上生长出Mn掺杂的GaN薄膜。测试结果表明,Mn掺杂浓度小于2.7%时没有第二相物质出现。Raman谱结果表明,由于Mn离子的介入,替换了Ga位的阳离子,从而使得A1(LO)模的振动峰向低频方向移动。ESR结果表明,二价的Mn离子替换了三价的Ga离子,尽管如此,薄膜还是仅仅表现出顺磁性。通过Brillouin函数拟合以及ESR结果综合考虑可得,Mn在GaN晶格中的存在状态是孤立的二价顺磁性离子。
- 崔旭高张荣陶志阔李鑫修向前谢自力郑有炓
- 关键词：金属有机化学气相淀积
