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国家自然科学基金(69836020)

作品数：25 被引量：45H指数：4
相关作者：陈培毅郭维廉钱佩信郑云光邓宁更多>>
相关机构：清华大学天津大学帝国理工学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部“985工程”中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 25篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 25篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇晶体管
  • 7篇SI
  • 6篇异质结
  • 6篇探测器
  • 6篇光电
  • 6篇SIGE
  • 5篇锗化硅
  • 5篇量子点
  • 5篇红外
  • 5篇SOI
  • 4篇量子
  • 3篇锗硅
  • 3篇近红外
  • 3篇混合模式晶体...
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 3篇SIGE_H...
  • 3篇硅
  • 3篇GE量子点
  • 3篇MOSFET

机构

  • 18篇清华大学
  • 9篇天津大学
  • 1篇帝国理工学院
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇无锡微电子科...

作者

  • 17篇陈培毅
  • 8篇郭维廉
  • 7篇郑云光
  • 7篇钱佩信
  • 6篇邓宁
  • 5篇黎晨
  • 4篇郭辉
  • 4篇李树荣
  • 3篇罗广礼
  • 3篇莫太山
  • 3篇李志坚
  • 3篇黄文韬
  • 3篇毛陆虹
  • 3篇张世林
  • 3篇贾宏勇
  • 2篇魏榕山
  • 2篇张爽
  • 2篇刘志农
  • 2篇史进
  • 2篇李高庆

传媒

  • 10篇Journa...
  • 3篇固体电子学研...
  • 2篇微电子学
  • 2篇半导体光电
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇Journa...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇Tsingh...

年份

  • 3篇2006
  • 5篇2004
  • 8篇2003
  • 5篇2002
  • 5篇2001
  • 2篇2000
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SOI结构P型SiGe沟道混合模式晶体管器件模型研究被引量：1
2003年
在带有应变SiGe沟道的SOIMOSFET结构中 ,把栅和衬底相连构成了新型的混合模式晶体管 (SiGeSOIBMHMT) .在SIVACO软件的器件数值模拟基础上 ,对这种结构的P型沟道管工作过程作了分析 ,并建立了数学模型 .提出在低电压 (小于 0 7V)下 ,衬底电极的作用可近似等效成栅 ,然后依据电荷增量 (非平衡过剩载流子 )的方法 ,推导出该结构的I V特性方程 .该方程的计算结果与器件模拟结果相一致 .
夏克军李树荣王纯郭维廉郑云光陈培毅钱佩信
关键词：晶体管SIGESOIMOSFET
近红外Si_(0.8)Ge_(0.2)/Si横向pin探测器的模拟与测试被引量：1
2003年
设计了一种新型叉指状近红外 Si0 .8Ge0 .2 / Si pin横向光电探测器。采用半导体器件模拟软件 Atlas分别对该器件平衡条件下物理特性及反向偏压下电场分布、光电特性进行了模拟 ;对实际制作的光电探测器进行了测试 ,结果表明 :其波长响应范围为 0 .4～ 1 .3μm,峰值响应波长在 0 .93μm,响应度达 0 .3 8A/ W,寄生电容小于 2 .0 p F。实验结果和模拟结果符合得很好。其良好的光电性能为应用于近红外光的高速。
莫太山张世林郭维廉郭辉郑云光
关键词：光电集成电路光电性能近红外光
应变Si沟道异质结NMOS晶体管(英文)被引量：3
2002年
通过参数调整和工艺简化 ,制备了应变Si沟道的SiGeNMOS晶体管 .该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道 ,相比于体Si器件在 1V栅压下电子迁移率最大可提高 48 5 % .
史进黄文涛陈培毅
关键词：NMOS晶体管迁移率锗化硅
硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响被引量：3
2002年
研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV/CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下,得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点,用AFM对量子点的形貌进行观察,Ge量子点尺寸的涨落小于±3%,量子点的水平尺寸和高度分别为60nm和10nm,密度为8×109cm-2。实验结果表明,通过预淀积硼表面处理,可以得到尺寸分布很窄的量子点,以满足量子点光电器件方面应用的要求。
邓宁黄文韬王燕罗广礼陈培毅李志坚
关键词：UHVCVDGE量子点
SiGe沟道SOI CMOS的设计及模拟被引量：2
2003年
在 SOI(Silicon on Insulator)结构硅膜上面生长一层 Si Ge合金 ,采用类似 SOICMOS工艺制作成具有Si Ge沟道的 SOICMOS集成电路。该电路不仅具有 SOICMOS电路的优点 ,而且因为 Si Ge中的载流子迁移率明显高于 Si中载流子的迁移率 ,所以提高了电路的速度和驱动能力。另外由于两种极性的 SOI MOSFET都采用 Si Ge沟道 ,就避免了只有 SOIPMOSFET采用 Si Ge沟道带来的选择性生长 Si Ge层的麻烦。采用二维工艺模拟得到了器件的结构 ,并以此结构参数进行了器件模拟。模拟结果表明 ,N沟和 P沟两种 MOSFET的驱动电流都有所增加 。
李树荣王纯王静郭维廉郑云光郑元芬陈培毅黎晨
关键词：SIGECMOS集成电路
Fabrication and Characterization of Silicon on Permalloy Film
Good interface is the key point of effective spin-polarized injection from ferromagnet to semiconductor.Growth...
Lei Zhang
Si-Ge异质结基区混合模式晶体管的提出和模拟
2001年
在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件—— Si- Ge异质结基区混合模式晶体管。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入势垒的提高 ,使 IB空穴电流减小 ,从而提高了注入效率 ;迁移率增高 ,从而提高特征频率。因而这种器件具有 β高、基区电阻低、基区渡越时间短等优点。通过器件模拟证实了该器件具有输出电流大、低温放大倍数极高、常温放大倍数较高、特征频率高等优点 ,是下一代
郭维廉毛陆虹李树荣郑云光王静吴霞宛
关键词：混合模式晶体管
GeSi MOSFET的纵向结构对器件性能的影响
2000年
为了研究器件参数对GeSiMOSFET器件性能的影响 ,本文在建立一个简单的GeSiMOSFET的器件模型的基础上 ,对GeSiMOSFET的纵向结构进行了系统的理论分析 .确定了纵向结构的CAP层厚度、沟道层载流子面密度、DELTA掺杂浓度以及量子阱阱深之间的关系 ,得出了阈值电压与DELTA掺杂浓度、栅氧化层厚度及CAP层厚度之间的关系 ,还得出了栅压与沟道载流子面密度、栅氧化层厚度及CAP层厚度之间的关系 .并且在此基础上得出了一些有意义的结果 .为了更细致、精确地进行分析 ,我们分别对GeSiPMOSFET和GeSiNMOSFET在MEDICI上做了模拟 .
董志伟黎晨陈培毅钱佩信
关键词：GESIMOSFET
CMOS兼容近红外Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si p-i-n(SOI)光电探测器(英文)
2002年
报道了一种采用 U HV/CVD锗硅工艺和 CMOS工艺流程在 SOI衬底上制作的横向叉指状 Si0 .7Ge0 .3/Si p- i-n光电探测器 .测试结果表明 :其工作波长范围为 0 .7～ 1.1μm,在峰值响应波长为 0 .93μm,响应度为 0 .38A/W.在3.0 V的偏压下 ,其暗电流小于 1n A,寄生电容小于 1.0 p F,上升时间为 2 .5 ns.其良好的光电特性以及与 CMOS工艺的兼容性 ,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试 。
郭辉郭维廉郑云光黎晨陈培毅李树荣吴霞宛
关键词：光电探测器SOI近红外
Si基Ge量子点光电探测器的研究被引量：8
2006年
采用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了多层的自组织Ge量子点,用AFM对量子点的形貌和尺寸分布进行了研究。材料的低温(10 K)PL谱测试表明,由于量子点的三维限制作用,跟体材料的Ge相比,Ge量子点的NP峰表现出87 meV的蓝移。在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器。室温下,测得其在1.31μm和1.55μm的响应度分别为0.043mA/W和0.001 4 mA/W,覆盖了体Si探测器所不能达到的响应范围。
魏榕山邓宁王民生张爽陈培毅
关键词：UHV/CVD量子点量子点红外探测器暗电流密度响应度
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