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陕西省教育厅规划基金(04jk256)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：翟春雪闫军锋张志勇邓周虎赵武更多>>
相关机构：中国科学院西北大学更多>>
发文基金：陕西省自然科学基金陕西省教育厅规划基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅薄膜
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇I-V特性
  • 1篇场发射
  • 1篇场发射特性
  • 1篇场致发射

机构

  • 1篇西北大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇贠江妮
  • 1篇赵武
  • 1篇邓周虎
  • 1篇张志勇
  • 1篇闫军锋
  • 1篇翟春雪

传媒

  • 1篇天津大学学报

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
碳化硅薄膜制备及其场发射特性被引量：1
2008年
采用热丝化学气相沉积法在Si(111)、Ti(101)衬底上制备了SiC薄膜,并利用X射线衍射和傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析.XRD结果表明,制备的SiC薄膜呈现3C-SiC结晶相,有很好的择优取向性.FTIR谱显示,薄膜的吸收特性主要为Si—C键的吸收,其吸收峰为804.95 cm-1.从原子力显微镜对SiC薄膜表面形貌的测试分析可以看出,样品表面呈规则精细颗粒状结构且薄膜结构致密.此外,在高真空系统中(6.0×10-4Pa)对生长的SiC薄膜进行场致发射特性测试,结果表明生长的SiC薄膜具有场致发射特性:样品的开启电压为82.1 V/μm,最大电流密度为631.5μA/cm2.
赵武张志勇闫军锋翟春雪贠江妮邓周虎
关键词：碳化硅薄膜场致发射I-V特性
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共1页<1>
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