国家自然科学基金(69836010)
- 作品数：7 被引量：35H指数：4
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- MLD结构快恢复二极管t_(rr)-T特性的理论分析被引量：1
- 2005年
- 对少数载流子寿命横向非均匀分布 (minority carrierlifetimelateralnon uniformdistribution ,MLD)结构的快恢复二极管进行了理论研究 .首先利用MLD二极管n型基区内部少数载流子在横向上的分布形态 ,给出了MLD结构提高快恢复二极管的反恢时间 温度 (trr T)稳定性的一个定性解释 ,然后利用“平均寿命”对MLD二极管的trr T特性进行了讨论 .
- 潘飞蹊陈星弼
- 关键词：温度稳定性平均寿命
- 一种具有新耐压层结构的IGBT被引量：2
- 2003年
- 介绍了一种具有新型耐压层结构的IGBT——低功耗IGBT。新结构用三重扩散的方法在n- 单晶片上引入了n+ 缓冲层。保留了NPT-IGBT中薄而轻掺杂的背p+层和高载流子寿命的本质优点,同时又具有PT-IGBT中n-/n+ 双层复合的薄耐压层 (即薄基区) 的优点。计算机仿真得出,新结构IGBT的关断损耗比传统的IGBT减小50%左右。针对LPL-IGBT的创新点——新耐压层结构,我们还进行了优化仿真。
- 高琰亢宝位程序
- 关键词：IGBT关断损耗仿真
- 高功率因数Boost变换器电流滞环控制的一种简单实现方案被引量：5
- 2004年
- 通过对传统Boost型功率因数校正 (PFC)电路电流滞环控制方法中开关时间的分析 ,提出了一种简单的控制方案 .将电路的逻辑控制分为两个相对独立的部分 ,分别利用恒导通时间控制技术和平均电感电流信号来确定电感电流的上限和下限 ,即可实现PFC .实验电路用一只RC低通滤波器来代替传统控制方法中的模拟乘法器和输入电压检测环路 ,测试获得了接近 1的功率因数 .
- 潘飞蹊陈星弼
- 关键词：功率因数校正电流滞环控制平均电流
- 高压半导体功率器件的寿命控制工程述评被引量：7
- 2003年
- 对应用于高压功率器件的寿命控制技术进行了述评。着重分析了高能H+辐照、He2+辐照等局域寿命控制技术,利用这种技术有可能实现高压功率器件突破性的进展。
- 贾云鹏亢宝位吴郁吴鹤
- 关键词：半导体
- 低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真被引量：12
- 2001年
- 提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT的优点 ;同时具有由衬底预扩散残留层构成的 n型缓冲层 ,又具有 PT- IGBT的优点 .计算机仿真结果证明 ,它的关断损耗比 PT- IGBT和 NPT- IGBT降低一倍左右 .它的结构比
- 吴郁陆秀洪亢宝位王哲程序高琰
- 关键词：仿真IGBT晶体管
- 一种高性能的新结构IGBT(英文)被引量：3
- 2003年
- 提出了一种低功率损耗的新结构 IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构 ,该耐压层包括深扩散形成的 n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分 .虽然在正常工作条件下 ,该新结构 IGBT工作于穿通状态 ,但器件仍具有非穿通 IGBT( NPT- IGBT)的优良特性 .该新结构 IGBT具有比 NPT- IGBT更薄的芯片厚度 ,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷 .实验结果表明 :与 NPT- IGBT相比较 ,新结构 IGBT的功率损耗降低了
- 程序吴郁刘兴明王哲亢宝位李俊峰韩郑生
- 关键词：缓冲层NPT-IGBT
- 一种高精度带隙基准源和过温保护电路被引量：8
- 2005年
- 设计了一种适用于P阱CMOS工艺的高精度带隙基准源及过温保护电路。基准源信号输出由两路电流相加实现:一路是正比于双极晶体管的发射极-基极电压的电流(IVBE),另一路是基准源内产生的正比于绝对温度的电流(IPTAT);同时,利用这两路电流的不同温度特性,通过直接电流比较的方法,简单地实现了高精度的过温保护电路。
- 潘飞蹊俞铁刚郭超陈卫东
- 关键词：带隙基准源过温保护
