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教育部科学技术研究重大项目(311019)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：吴幸孙立涛徐峰更多>>
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相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶生长
  • 1篇电沉积
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学沉积
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化铜
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线

机构

  • 1篇东南大学

作者

  • 1篇徐峰
  • 1篇孙立涛
  • 1篇吴幸

传媒

  • 1篇电子显微学报

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
单晶CuS纳米线的电沉积合成及结构表征被引量：1
2014年
采用多孔AAO模板辅助的有机溶剂电化学沉积技术,制备出尺寸均匀,平均直径30nm的单晶CuS纳米线。利用透射电子显微技术研究了纳米线的晶体结构和元素成分,分析了不同沉积电流密度对CuS纳米晶形核及生长过程的影响。研究结果表明,电流密度过小,容易导致S单质向S2-还原速度竞争不过Cu2+与S2-反应成核的速度,从而出现Cu34S32(即CuS0.95);电流密度过大,则会导致成核过程抑制生长过程,得到的CuS纳米晶均为多晶形态。
王裕希吴幸徐峰孙立涛
关键词：电化学沉积单晶生长
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共1页<1>
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