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河北省科技厅科研项目(062135110D)

作品数：1 被引量：6H指数：1
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇自掺杂
  • 1篇外延层
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基器件
  • 1篇过渡区
  • 1篇掺杂
  • 1篇衬底
  • 1篇AS

机构

  • 1篇河北普兴电子...

作者

  • 1篇赵丽霞
  • 1篇袁肇耿

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
肖特基器件用重掺As衬底上外延层过渡区控制被引量：6
2009年
掺As衬底外延片很大部分用于肖特基器件,器件对正向压降要求越来越高,因此对外延层参数之一的过渡区宽度提出了更高要求。讨论了影响过渡区的温度、生长速率、本征CAP层以及赶气等因素。通过一系列实验,找到了合理的生长条件,得到了完美的过渡区,解决了器件反向电压和正向压降之间的矛盾。在反向电压一致的条件下,正向压降平均降低了200mV,产品整体成品率提高了两个百分点以上。研究结果已成功应用于大规模生产中。
袁肇耿赵丽霞
关键词：自掺杂过渡区
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