重庆市自然科学基金(CSTC2007BB4137)
- 作品数：4 被引量：13H指数：3
- 相关作者：刘高斌何阿玲周科杨小飞吴芳更多>>
- 相关机构：重庆大学重庆师范大学重庆科技学院更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金国家教育部“211”工程更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 磁控溅射制备In掺杂ZnO薄膜及NO_2气敏特性分析被引量：5
- 2009年
- 利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上成功制备了In掺杂的ZnO(ZnO∶In)薄膜。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的研究结果显示所制备的ZnO∶In为纤锌矿的多晶薄膜,具有高度C轴择优取向。气敏研究结果表明ZnO∶In薄膜对NO2气体有较强的敏感性,最佳工作温度为273℃,其敏感度与薄膜的厚度和NO2气体的体积分数有关。ZnO∶In薄膜对较高体积分数的NO2气体的灵敏度较高,而薄膜比厚膜的灵敏度高,厚度为90 nm的薄膜在273℃时对体积分数为2×10-5的NO2气体的敏感度高达16,表明ZnO∶In薄膜具有检测较低体积分数NO2的能力。
- 方亮彭丽萍杨小飞黄秋柳周科吴芳刘高斌马勇
- 关键词：氧化锌薄膜磁控溅射二氧化氮
- Mg掺杂CuAlO_2电子结构的第一性原理研究被引量：5
- 2010年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了CuAlO_2晶体电子结构以及替位Mg杂质的特性.结果表明,Mg替代Al原子时形成受主杂质能级,而替代Cu原子时形成施主杂质能级;同时也计算了它们的形成能,发现前者是吸热反应,而后者是放热反应.另外,比较Mg替代Al与Mg替代Cu掺杂前后计算结果,发现前者费米能级变化不是很明显;而后者掺杂后费米能级明显向导带底移动.研究表明掺杂可改变CuAlO_2的导电类型和电导强弱,此结果对实验具有很好的参考价值.
- 何阿玲王新强刘高斌冯庆杨媛媛
- 关键词：电子结构形成能
- 透明导电ZnO∶In薄膜光电性能的研究进展
- 2009年
- 本征ZnO是高阻材料,如何对其进行掺杂,提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。从晶体结构和能带结构、影响光电性能的因素、透明导电机制、提高光电性能的途径等方面综述了In掺杂ZnO(ZnO∶In)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO∶In薄膜电阻率和提高透光率的有效途径,并对未来的发展方向进行了简要说明。
- 方亮彭丽萍杨小飞周科吴芳
- 关键词：宽禁带半导体材料光学性质电学性质
- 基于第一性原理的Mn-AlN和Cr-AlN的半金属性质被引量：3
- 2010年
- 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下研究了纤锌矿Mn-AlN和Cr-AlN的能带结构、态密度与磁学等性质.结果表明,Mn-AlN和Cr-AlN的半金属能隙都随着杂质浓度的增大而减小.原因可能是随着Mn/Cr掺杂浓度的增大,杂质原子间相互作用增强,Mn/Cr 3d与N 2p杂化减弱,使得自旋交换劈裂变小,从而半金属能隙变窄.在同等掺杂浓度下,Mn-AlN比Cr-AlN的半金属能隙大.这是因为Mn 3d态能级比Cr 3d态能级低,Mn 3d与N 2p杂化更强,导致自旋交换劈裂更大,自旋向下子带的导带底相对远离费米能级,因此Mn-AlN的半金属能隙较大.
- 樊玉勤何阿玲
- 关键词：ALN过渡金属掺杂半金属态密度
