苏州市国际科技合作项目(SH201215)
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 相关作者：王海啸郑新和王乃明甘兴源吴渊渊更多>>
- 相关机构：中国科学院中国科学院大学北京科技大学更多>>
- 发文基金：苏州市国际科技合作项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学更多>>
- 1eV带隙GaNAs/InGaAs短周期超晶格太阳能电池的设计被引量：2
- 2013年
- 使用In,N分离的GaNAs/InGaAs短周期超晶格作为有源区是未来实现高效率GaInNAs基太阳能电池的重要结构之一.同时,考虑到具有1eV带隙的GaInNAs子电池的重要性以及与Ge衬底晶格匹配的优势,基于Ge衬底上的四结及多结太阳能电池无疑荣景可期.为在实验上较好地控制所需带隙,我们利用传输矩阵方法从理论上计算了实现1eV带隙下超晶格的周期数、垒层厚度以及In,N的浓度,并进一步讨论分析1eV带隙下的多个相关参数的对应关系以及超晶格的应变状态.
- 王海啸郑新和文瑜吴渊渊甘兴源王乃明杨辉
- 关键词：太阳能电池
- 1eV吸收带边GaInAs/GaNAs超晶格太阳能电池的阱层设计被引量：4
- 2013年
- 使用In,N分离的GaInAs/GaNAs超晶格作为有源区是实现高质量1eV带隙GaInNAs基太阳能电池的重要方案之一.为在实验上生长出高质量相应吸收带边的超晶格结构,本文采用计算超晶格电子态常用的Kronig-Penney模型比较了不同阱层材料选择下,吸收带边为1 eV的GaInAs/GaNAs超晶格相关参数的对应关系以及超晶格应变状态.结果表明:GaNAs与GaInAs作为超晶格阱层材料在实现1 eV的吸收带边时具有不同的考虑和要求;在固定1 eV的吸收带边时,GaNAs材料作为阱层可获得较好的超晶格应变补偿,将有利于生长高质量且充分吸收的太阳能电池有源区.
- 王海啸郑新和吴渊渊甘兴源王乃明杨辉
- 关键词：KRONIG-PENNEY模型太阳能电池
- 碲和镁掺杂的新型GaAs隧道结的MBE生长与器件特性被引量：1
- 2014年
- 本文采用分子束外延(MBE)的生长方法,研究了单质碲(Te)和单质镁(Mg)分别作为n型和p型掺杂剂时在III-V族半导体GaAs中的掺杂行为,并且实现了以Te和Mg为掺杂剂的新型GaAs隧道结的生长.通过对生长温度、As4与Ga束流强度V/III比和掺杂剂束流强度的优化调节,获得了载流子迁移率较高且晶体质量良好的重掺杂的GaAs样品;在此基础上生长的新型n-GaAs(Te)/p-GaAs(Mg)隧道结的峰值电流密度高达21 A/cm2.
- 甘兴源郑新和吴渊渊王海啸王乃明
- 关键词：砷化镓分子束外延隧道结
- 不同周期厚度的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池材料的MBE生长和器件特性
- 2015年
- 本文采用分子束外延(MBE)生长技术,研究了周期厚度对高含N量1eV GaNAs/InGaAs超晶格的结构品质的影响.高分辨率X射线衍射(HRXRD)与透射电镜(TEM)分析表明:当周期厚度从6 nm(阱层和垒层厚度相同,以下同)增加到20 nm时,超晶格的周期重复性和界面品质变好,然而当继续增加周期厚度至30 nm时,超晶格品质劣化.上述生长现象通过简单模型进行了分析讨论.同时,通过退火优化,实现了周期厚度为20 nm的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池,短路电流密度超过10 mA/cm2.
- 王乃明郑新和陈曦甘兴源王海啸李宝吉卢建娅杨辉
- 关键词：分子束外延太阳电池快速退火
