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利用MATLAB研究多螺线管磁场分布被引量：4: 2013年; 利用Matlab软件对多螺线管磁场分布趋势及强度进行了研究,计算结果表明当各个螺线管通以同向电流时,各个螺线管相对几何中心处磁感线相互排斥,且磁场强度变小,当在4个螺线管几何对称中心轴正上方再放置一个螺线管时,各个螺线管产生的部分磁感线会沿着正上方放置的螺线管磁感线方向行走且当计算选取微元和步长越小结果越准确.; 王锴廖斌吴先映李璟史学伟于晶晶; 关键词：螺线管 MATLAB软件

组合体脉冲真空电弧源的初步研究: 2014年; 为得到高密度的等离子体,设计研制了组合体脉冲真空电弧源,它由4套脉冲真空电弧源组合而成.测量了脉冲真空电弧源弧压与弧流的关系;利用静电探针测量了组合体脉冲真空电弧源和单套脉冲真空电弧源产生的等离子体,得到了探针饱和电流(与等离子体密度成正比)与弧压的关系,以及等离子体密度的轴向分布情况;采用飞行时间方法估测了等离子体的飞行速度.组合脉冲真空电弧源最大等离子体密度达到8×1012 cm-3.; 李璟黄杰王锴张荟星彭建华邓春凤吴先映; 关键词：等离子体等离子体密度轴向分布

磁过滤阴极弧法制备CrCN薄膜结构与组分研究被引量：2: 2017年; 目的通过磁过滤阴极弧沉积技术制备质量优异的CrCN涂层。研究乙炔/氮气混合气体流量以及基底偏压对薄膜结构和成分的影响。方法采用磁过滤真空阴极弧沉积技术,在20~100 m L/min变化的乙炔/氮气混合气体流量参数下沉积CrCN复合薄膜。通过X射线衍射、场发射电子显微镜、扫描探针显微镜、X射线光电子能谱仪、透射电镜,对薄膜的物相结构和形貌进行分析。结果随着气体流量的增加,CrCN复合薄膜的晶粒逐渐减小最终向非晶化转变。TEM结果表明,在CrCN复合薄膜中有大量几纳米到十几纳米的纳米晶浸没在非晶成分中。SPM表明,随着基底偏压由–200 V增大到–150 V,CrCN薄膜的表面粗糙度Sa由0.345 nm上升至4.38 nm。XPS、TEM和XRD数据表明,薄膜中Cr元素主要以单质Cr、Cr N以及Cr3C2的形式存在。结论采用磁过滤真空阴极弧沉积技术制备的CrCN复合薄膜具有纳米晶-非晶镶嵌结构。该方法沉积的CrCN薄膜的表面粗糙度与基底负偏压有关。混合气体的流量变化对薄膜组分的变化几乎无影响。; 王浩琦覃礼钊官家建李彬林华李元梁宏廖斌; 关键词：X射线光电子能谱

三维ZnO/CuO纳米树的制备及其光电化学性能的研究被引量：5: 2018年; 采用简单的热氧化法和水热生长法,在泡沫铜上成功制备了三维ZnO/CuO纳米树（3D ZnO/CuO NTs）阵列。利用扫描电镜（SEM）、电子能谱（EDS）和透射电镜（TEM）对3D ZnO/CuO NTs的形貌,成分以及结构进行了表征。结果表明：3D ZnO/CuO NTs是由CuO纳米线（CuO NWs,双晶结构）主干和ZnO纳米线（ZnO NWs,单晶结构）分枝构成的。通过调整ZnONWs的生长时间,得到不同形貌的3D ZnO/CuO NTs,并对其生长机制进行了分析。重点研究了3D ZnO/CuO NTs电极的光电化学性能,包括光电流密度,光稳定性和光生载流子分离/复合的过程。结果表明：随着ZnO NWs生长时间t增加,电极的光电化学性能增加,当t过长,反而下降。本研究中ZnO NWs生长的最佳时间为30 min,3D ZnO/CuONTs电极的光电流密度高达-2.78 mA·cm^-2（-0.5 V vs Ag/AgCl RE）。相比单一的CuO NWs电极,光电流密度增加了38%。并且表现出相对较好的光稳定性,具有优良的光电转换性质。这些成果显示了在泡沫铜上制备的3D ZnO/CuO NTs具有优异的光电化学性能,在光阴极材料方面具有很好的应用潜力。; 于晶晶廖斌张旭; 关键词：热氧化法水热法光电化学性能

热氧化法在泡沫铜上制备CuO纳米线及其光催化性能研究被引量：8: 2016年; 采用热氧化方法,在泡沫铜上制备了高度有序的三维Cu O纳米线（Cu O NWs）阵列;利用扫描电镜（SEM）,X射线衍射仪（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）对Cu O NWs阵列的形貌、成分以及结构等进行了表征。重点研究了不同氧化温度对Cu O NWs形貌和氧化物平均晶粒尺寸的影响,讨论了纳米线的生长机制。结果表明：Cu O NWs直径随温度升高而增大,密度随Cu2O平均晶粒尺寸增大而减小,Cu O NWs的最佳生长温度为400℃,直径在50~120 nm,长度可达5μm,长径比最大,不易脱落。同时也研究了Cu O NWs阵列光催化降解甲基橙的能力。结果表明：Cu O NWs在可见光和紫外光照射下对甲基橙进行光催化降解时,其降解效率分别高达76.6%和87.2%。; 于晶晶廖斌张旭周福增伏开虎吴先映; 关键词：热氧化法 CU 光催化降解甲基橙

MEVVA离子束技术的发展及应用被引量：5: 2014年; 金属蒸汽真空弧放电能够产生高密度的金属等离子体.通过二或三电极引出系统,可以把金属等离子体中的金属离子引出,并加速成为载能的金属离子束,这是MEVVA离子源技术.将载能离子束用于离子注入,可以实现材料表面改性.经过MEVVA源离子注入处理的工具和零部件,改性效果显著,因此MEVVA离子源在离子注入材料表面改性技术中得到很好的应用.另一方面,利用弯曲磁场把等离子体导向到视线外的真空靶室中的同时,过滤掉真空弧产生的液滴(大颗粒),当工件加上适当的负偏压时,等离子体中的离子在工件表面沉积,可以得到高质量的、平整致密的薄膜,称为磁过滤等离子体沉积.是一种先进的薄膜制备的新技术.此外,将MEVVA离子注入与磁过滤等离子体沉积相结合的复合技术,可以首先用离子注入的方法改变基材表面的性能,再用磁过滤等离子体沉积的方法制备薄膜,可以极大的增强薄膜与基材的结合强度,得到性能极佳的薄膜.适用于基材与薄膜性能差别大,结合不易的情况(例如陶瓷、玻璃表面制备金属膜).本文简要介绍了MEVVA离子注入技术、磁过滤等离子体沉积技术和MEVVA复合技术的发展和应用状况.; 吴先映廖斌张旭李强彭建华张荟星张孝吉; 关键词：材料表面改性

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国家自然科学基金(11305009)