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北京有色金属研究总院创新基金(C-04-3-82248)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子技术
  • 1篇气敏
  • 1篇热氧化
  • 1篇热氧化法
  • 1篇SNO
  • 1篇SNO2

机构

  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 1篇杜军
  • 1篇毛昌辉
  • 1篇杨志民
  • 1篇熊玉华
  • 1篇王磊

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
液相生长热氧化法制备SnO_2气体敏感薄膜
2007年
在不同的热氧化温度下,用液相生长热氧化法(RGTO)制备了SnO2薄膜。探讨了热氧化温度对SnO2薄膜结构和成分的影响,并进一步研究了不同热氧化温度下制备的SnO2薄膜的气敏性能。测试结果表明:260℃工作温度下,600℃热氧化制备的SnO2薄膜气敏元件,对氢气的灵敏度最佳。在100～1 000 mg.kg–1的氢气浓度范围内,灵敏度由47递增至70。
王磊杜军毛昌辉杨志民熊玉华
关键词：电子技术SNO2气敏
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