广东省自然科学基金(8152104101000004)
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
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- a-SiN_x/nc-Si/a-SiN_x双势垒结构中的电荷隧穿和存储效应
- 2011年
- 在等离子体增强化学气相沉积系统中利用大氢稀释逐层淀积技术制备nc-Si量子点阵列,用硅烷和氨气混合气体淀积氮化硅层,制备了a-SiNx/nc-Si/a-SiNx不对称双势垒结构,其中隧穿和控制a-SiNx层的厚度分别为3和20nm.利用电导-电压和电容-电压测量研究结构中的载流子隧穿和存储特性.在同一样品中观测到由于电荷隧穿引起的电导峰和由于电荷存储引起的电容回滞现象.研究结果表明,合理地选择隧穿层和控制栅层的厚度,就能够实现载流子发生共振隧穿进入到nc-Si量子点中,并被保存在nc-Si量子点中.
- 王祥黄锐宋捷郭艳青陈坤基李伟
- 对A=11同质异位素核的奇异性质研究
- 2011年
- 在单粒子势模型的框架下,通过在核中心势中引入l2修正项(l表示核子的轨道角动量),计算了A=11同质异位素核的均方根半径值、能级值和密度分布.理论计算得到的半径值和能级结构与实验结果一致.特别是,理论计算能够同时实现镜像核11Be和11N中2s1/2-1p1/2能级间的反转,从而解释了11Be和11N的反常的自旋宇称值.此外,理论结果表明11Li基态为双中子晕态,11Be基态和第一激发态为单中子晕态.
- 郭艳青宋捷
- 关键词：中子晕
- 掺氧氮化硅发光二极管的发光特性研究
- 2010年
- 采用等离子体增强化学气相沉积方法低温制备非晶氮化硅薄膜,在低温下以氧气为气源,等离子体氧化非晶氮化硅薄膜,以这层薄作为有源层制备电致发光器件。实验结果表明以此方法制备的器件在正向偏置电压下可观测到强烈的黄绿光,发光峰位于540 nm,而且电致发光开启电压低,仅为6 V,功耗小。光致发光谱和电致发光谱测量表明发光来自同一种发光中心,即与Si-O相关的发光中心。
- 黄锐王旦清王祥陈坤基
- 关键词：氮化硅电致发光光致发光
- 激发频率对高氢稀释下纳米晶硅薄膜生长特性的影响被引量：1
- 2010年
- 利用等离子体增强化学气相沉积技术,在高氢稀释条件下,研究不同激发频率对纳米晶硅薄膜生长特性的影响.剖面透射电子显微镜(TEM)分析结果显示,不同激发频率下制备的纳米晶硅薄膜晶化区均呈锥状结构生长,但13.56MHz激发频率下制备的纳米晶硅薄膜最初生长阶段存在非晶态孵化层,即纳米晶硅薄膜的形成经历了由非晶态孵化层到晶态结构层的转变.而高激发频率(40.68MHz)下硅纳米晶则能直接在非晶态衬底上生长形成.Raman谱和红外吸收谱测量结果表明高激发频率(40.68MHz)下制备的纳米晶硅薄膜不但具有较高的晶化率,而且具有较低的氢含量和较小的微结构因子。
- 宋捷郭艳青王祥丁宏林黄锐
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积
