教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-06-0484)
- 作品数：20 被引量：27H指数：3
- 相关作者：顾晓峰于宗光浦寿杰张庆东周东更多>>
- 相关机构：江南大学中国电子科技集团第五十八研究所无锡辐导微电子有限公司更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”江苏省自然科学基金国家科技型中小企业技术创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 用于VoIP芯片的Σ-Δ调制器系统设计
- 2009年
- 详细分析了Σ-Δ调制器的结构、阶数、量化器位数、过采样率与信噪比的关系;讨论了闪烁噪声和开关热噪声、时钟抖动和运放的有限直流增益等非理想因素对Σ-Δ调制器的影响。通过Matlab行为仿真,确定了调制器的参数。在此基础上,完成了一款三阶2-1级联Σ-Δ调制器的系统结构设计。在Simulink环境下的仿真验证表明,在考虑非理想因素的条件下,调制器的信噪比仍能达到约96dB,可满足VoIP芯片中A/D转换器的16位精度要求。
- 李杨先顾晓峰浦寿杰徐振于宗光
- 关键词：∑-△调制器IP电话非理想因素A/D转换器
- 选择性发射极参数对太阳电池光电特性的影响被引量：2
- 2010年
- 选择性发射极太阳电池具有独特的器件结构及优异的光电特性。基于M·Tucci等人实际制作的一款选择性发射极太阳电池,利用TCAD软件MEDICI建立了其器件结构模型,在比实验更大的参数范围内分析了发射区厚度、n+区和n区掺杂浓度等物理量对太阳电池光电转换效率的影响。结果表明,发射区的最佳厚度约为0·6μm,该厚度下n+区的最佳掺杂浓度约为6×1020cm-3,增加n区浓度则会导致转换效率下降。在优化发射区方块电阻的基础上考虑少子寿命的优化,可获得高达19·16%的光电转换效率,接近当前较大面积同类太阳电池的最佳水平,为实际制备大面积高效单晶硅太阳电池提供了有益的参考。
- 吴正军梁海莲顾晓峰
- 关键词：太阳电池选择性发射极光电转换效率
- 多应力结构CMOS器件的模拟研究
- 2008年
- 使用TCAD仿真工具Sentaurus在45 nm节点工艺下模拟研究了包含多应力结构的应变Si CMOS器件。模拟所得的开关电流比与相同节点工艺下报道的实验结果能很好吻合,验证了所用模型及方法的正确性。用Sentaurus工艺模拟工具得到了器件内部的应力和掺杂分布,并用Sentaurus器件模拟工具分析了各种应力结构对电学特性的影响。结果表明:在nMOS中,SMT和DSL能有效提高器件性能,而STI却会降低器件性能;在pMOS中,SiGe S/D和DSL的存在是性能改善的主要原因,而STI对性能改善的帮助较小。
- 施昊周东张庆东顾晓峰
- 关键词：应变硅互补金属氧化物半导体
- 纳米级应变硅MOSFET的有限元与TCAD模拟研究
- 2011年
- 基于有限元方法对一款具有SiGe源/漏结构的纳米PMOSEFT进行了建模与分析,沟道应变的计算结果与CBED实验测量值呈现良好的一致性,最小误差仅为1.02×10-4。对新型的SiC源/漏结构的纳米NMOSFET的类似研究表明,栅长越短,应变对沟道的影响越显著。另一方面,采用TCAD工具Sentaurus通过工艺级仿真生成了栅长为50 nm的SiGe源/漏结构的PMOSFET模型,计算所得饱和驱动电流与实际制作的器件相差仅约20μA/μm。研究表明有限元法与TCAD两种模拟技术可有效地用于纳米级应变硅器件的设计与优化。
- 张庆东周东顾晓峰
- 关键词：应变硅金属氧化物半导体场效应管
- 应用于TCXO的低功耗Sigma-Delta调制器的设计被引量：1
- 2010年
- 采用CSMC0.35μm混合工艺设计了一个用于温度补偿晶体振荡器(TCXO)的二阶低功耗Sigma-Delta调制器.为减小低频温度信号带宽内的1/f噪声及失调对调制器精度的影响,采用斩波技术把1/f噪声及失调调制到有用信号带宽之外.结合Cadence Spectre及Matlab仿真结果显示,该调制器在温度信号带宽范围内的信噪声比为93.6dB,精度达到15.26位.在3V电源电压下静态功耗小于80μW,满足了该TCXO系统对调制器的低功耗及14位精度的要求.
- 姚舜顾晓峰冯向光于宗光
- 关键词：温度补偿晶体振荡器SIGMA-DELTA调制器斩波运放比较器
- 一种基于匹配优化的BiCMOS带隙基准源的实现
- 2008年
- 提出一种基于匹配优化的温度补偿技术,使用新型BiCMOS低压共源共栅结构,实现一种实用的低温度系数高精度带隙基准源。采用HSpice和Cadence Spectre对电路进行模拟;在SMIC 0.35μm混合信号工艺条件下,蒙特卡罗和工艺角分析表明,匹配优化技术正确可行,在-40℃到80℃之间,温度系数为8.85 ppm/℃,对电源的灵敏度为0.516%。
- 徐波浦寿杰顾晓峰徐振于宗光
- 关键词：带隙基准BICMOS温度补偿
- 面积优化RS编解码器的VLSI设计被引量：1
- 2008年
- 介绍了一种适用于数字电视广播视频(DVB)系统的面积优化RS(204,188)编解码器的VLSI设计。设计中,充分考虑DVB系统的特性,采用软硬件协调和优化的三级流水线结构,运用改进的Berlekamp-Massey迭代算法来实现,有效地缩小了RS编解码器的面积,适合应用于高清晰数字电视芯片。
- 尧勇仕顾晓峰于宗光
- 关键词：数字电视广播面积优化RS编解码器BM迭代算法
- 斩波稳定型开关电容积分器的设计被引量：1
- 2010年
- 利用斩波稳定技术,设计了一种用在Σ-Δ调制器中的低噪声全差分开关电容积分器,电路中的运算放大器采用套筒式共源共栅结构.详细分析了开关电容积分器中存在的非理想特性,同时讨论了斩波稳定的原理,在此基础上对积分器中的运算放大器、开关和电容进行了具体设计.经Cadence环境下的Spectre仿真验证,在3.3V电源电压下,运算放大器的单位增益带宽为110MHz,开环直流电压增益达76dB,积分器在14kHz处的等效输入噪声电压为0.2μV·Hz-1/2.
- 李杨先顾晓峰浦寿杰徐振于宗光
- 关键词：Σ-Δ调制器开关电容电路
- 三阶1-1-1级联Σ-Δ调制器的设计及仿真被引量：4
- 2009年
- 采用MASH结构,设计了一款三阶(1-1-1)级联Σ-Δ调制器;讨论了各个模块的增益系数,设计了数字校正电路,并运用Matlab/Simulink对调制器进行了行为级仿真。当输入信号带宽为20 kHz,过采样比为64时,仿真模型得到87.7 dB的信噪比,精度为14.28位。与其他结构的调制器相比,该调制器更加稳定,动态范围更大,可应用于处理音频信号的A/D转换器。
- 浦寿杰顾晓峰李杨先徐波于宗光
- 关键词：∑-△调制器级联结构增益系数
- 基于SGOI和CESL结构的新型应变硅NMOSFET的有限元研究
- 2010年
- 应变硅技术通过在沟道区引入适当的应变,达到提高载流子迁移率、改善MOS器件性能的目的。利用有限元法,研究了一种基于SGOI与氮化硅CESL应变结构的新型应变硅NMOS-FET。结果表明,与采用单一的SGOI或CESL结构相比,两者共同作用下的新结构能更有效地提高沟道应变。增加氮化硅薄膜的本征应力、减小应变硅层厚度、适当提高锗组分,均能有效增加硅沟道区的应变量。采用有限元分析进行的模拟研究,可弥补实验测量的不足,为纳米级应变硅器件的设计和制造提供参考。
- 周东张庆东顾晓峰
- 关键词：应变硅有限元分析
