广东省自然科学基金(S2012010010030)
- 作品数：7 被引量：7H指数：2
- 相关作者：王新中刘文沈晓霞周志文李世国更多>>
- 相关机构：深圳信息职业技术学院深圳大学深圳市泓亚光电子有限公司更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金深圳市科技计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程金属学及工艺更多>>
- GaN纳米线生长的影响因素与机理分析被引量：1
- 2014年
- 基于气液固（VLS）反应机制，采用厚度为2～3nm的金属镍作为催化剂，金属镓和氨气分别用作Ⅲ族和Ⅴ族的生长源，在自行改造的化学气相沉积（CVD）设备内获得了大面积GaN纳米线。通过扫描电镜（SEM）、能量分散X射线荧光（EDX）谱和透射电镜（TEM）测试，表明GaN纳米线的成核及生长与反应室气路结构有密切关系，水平弯管式气路将有利于GaN纳米线的生长。此外，生长气流将直接影响GaN纳米线的生长状况，生长温度为920℃、NH3和N2的气流量分别为100和500cm^3／min时，可以获得形貌较好的纳米线。同时，探索了Ga源与样品位置间的距离对纳米线中Ga和N的质量分数的影响，并分析了其影响机理。
- 王新中于广辉李世国张春晓
- 关键词：氮化镓纳米线
- 全息干涉法制备的光子晶体带隙特性研究
- 2013年
- 提出了一种利用两次曝光的全息干涉技术提高光子晶体全带隙的方法,通过两次曝光可以适当调整晶格中介质柱的大小和形状,并可以改变光子晶体的对称性,有效地提高光子能带性质。以两种混合三角光子晶体结构为例进行计算,研究表明经过适当优化的结构在很宽的系统参数范围内有全光子带隙存在,并通过引入线缺陷模拟验证了全带隙的存在。
- 沈晓霞王新中周志文
- 关键词：全息干涉光子晶体光子带隙
- 利用复合技术提高光子晶体LED发光效率的研究被引量：2
- 2013年
- 介绍了几种利用复合技术提高光子晶体LED出光效率的方法。利用复合技术在LED上形成光子晶体结构和微腔结构、全方位反射镜、图形化衬底、AlGaN限制层或嵌入式光子晶体层复合的结构,可以改变LED的发光光路与内部导波模式分布,有效地提高光子晶体LED的发光效率。以五种复合结构为例进行分析,通过实验制备和时域有限差分(FDTD)模拟仿真,证实了与传统LED结构相比,经过适当优化参数配置,具有复合结构的LED比只具有表面光子晶体的LED结构出光效率有显著提高。
- 沈晓霞董国艳任亚洲王新中周志文
- 关键词：光电子学LED微腔
- 陶瓷金属基板连接技术研究
- 2014年
- 本文介绍了陶瓷金属两种不同材料互连的特点和主要方法,重点研究了间接钎焊技术中AlN陶瓷表面金属化、焊料的选取与印刷、回流焊接工艺。冷热冲击测试结果表明AlN基板与陶瓷之间有较好连接。此技术有望在高密度LED光源封装中得到广泛应用。
- 王新中刘文鲍锋辉
- 关键词：连接技术金属基板LED光源钎焊技术
- 浅谈共晶焊接在LED封装中的应用被引量：1
- 2014年
- 本文概述了三种不同的固晶方法,对银胶固晶及共晶的芯片进行热阻测量及大电流老化试验,明确了LED共晶方式可以有效降低器件热阻,从而提高封装器件的可靠性。另外,对两种不同共晶方式的成本和工艺问题进行了简要的阐述。
- 王新中刘文鲍锋辉邹仕渊
- 关键词：共晶焊封装热阻
- HCl气体辅助生长GaN纳米线阵列与机理研究
- 2014年
- 研究了一种无金属催化剂生长GaN纳米线阵列的方法。通过HCl气体作为催化剂,利用氢化物气相外延(HVPE)系统在GaN/sapphire模板上制备出纯净的GaN纳米线阵列;利用扫描电镜(SEM)、能量分散X射线荧光(EDX)谱和透射电镜(TEM)测试,研究了生长条件的变化对GaN纳米线阵列的影响,分析了GaN纳米线阵列的生长过程并探索了其生长机理,为GaN纳米线阵列的可控生长提供了理论依据。
- 王新中于广辉李世国
- 关键词：纳米线
- 氮化铝陶瓷基板在高功率LED中应用研究被引量：3
- 2014年
- 随着LED光源向高功率、集成化方向发展,散热基板对于提高器件的发光效率、降低结温、提高器件的可靠度和寿命起着十分重要的作用。本文选择厚度为0.4 mm的氮化铝(AlN)作为封装基板材料,结合磁控溅射镀膜、平面丝网印刷和光刻等半导体工艺技术,在AlN基板表面完成线路设计并增加反光层。通过力学性能测试、表面反光层的反射率表征和光源老化测试,结果显示在1000小时老化后,AlN陶瓷基板上封装的光源在色温漂移、发光效率衰减和可靠性等方面都明显要好于直接将芯片绑定金属基板上的光源。同时,从晶格失配与热失配的角度分析了AlN陶瓷基板在高功率LED光源封装中的优势。
- 王新中刘文鲍锋辉
- 关键词：发光二极管基板氮化铝封装
