国家自然科学基金(69876002)
- 作品数：16 被引量：45H指数：4
- 相关作者：张国义杨志坚秦志新陈志忠童玉珍更多>>
- 相关机构：北京大学中国科学院天津大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 用Mg离子注入提高p型GaN的空穴浓度(英文)
- 2001年
- 研究了离子注入对金属有机化学气相淀积法生长的Mg掺杂GaN性质的影响。样品在 80 0℃退火 1小时后 ,我们获得了空穴浓度达 8 2 8× 1 0 17cm-3 的 p型GaN。这一结果可以用于GaN基器件的 p型层的欧姆接触。
- 杨志坚龙涛张国义
- InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱(英文)被引量：3
- 2001年
- 我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层。用X射线衍射 (XRD) ,光致发光谱(PL) ,光吸收谱等测量手段 ,研究了InGaN的辐射发光机制。In组分利用Vegard定理和XRD测量得到。我们发现随着In组分的增加 ,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾 ;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导 ,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽。我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构 ,从而影响了光学吸收特性。而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源。
- 陈志忠秦志新杨志坚童玉珍童玉珍张国义
- 关键词：INGAN光致发光
- X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜被引量：3
- 2001年
- 氮化物研究在90年代取得显著进步,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管.由于氮化镓与衬底(如:蓝宝石,碳花硅)间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配,外延膜中有非常高的位错密度.研究氢化物汽相外延法生长的氮化镓膜中倾斜和扭转现象,并应用到以X射线摇摆曲线的半峰宽计算氮化镓膜中位错密度.Ф扫描曲线表征外延的氮化镓晶体六方对称性,而极图表明氮化镓膜中存在马赛克结构.计算出螺位错密度为:2.93×109cm-2和刃位错密度为:5.25×1010cm-2.
- 周劲杨志坚唐英杰张国义
- 关键词：GANX射线分析
- GaN基白光LED的研制与特性被引量：9
- 2001年
- 本文报导了通过低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)与钇铝石榴石(YAG)荧光粉结合而得的白光发光二极管(W-LED).在室温、正向电流20mA时,W-LED轴向亮度为170mcd,显色指数(CRI)达到82,色温(CCT)为7448K,CIE色坐标是(0.296,0.316),接近纯白色(0.33,0.33).随着注入电流的增强,测量并探讨了白光LED的发射光谱与发光强度的变化.
- 唐英杰王宇方杨志坚张国义
- 关键词：发光二极管
- 制冷系统中润滑油质量分数的实时测量被引量：1
- 2001年
- 根据润滑油和制冷剂对紫外光的不同吸收特性 ,利用GaN基紫外光敏感器件 ,对制冷系统中润滑油质量分数进行实时测量 ,分析了压缩机转速对润滑油质量分数测试结果的影响。通过与标准方法比较 。
- 刘石闫卫平唐祯安张国义
- 关键词：制冷系统润滑油光学测量
- InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱
- 2001年
- 我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽.我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构,从而影响了光学吸收特性.而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源.
- 陈志忠秦志新杨志坚童玉珍丁晓民张国义
- 关键词：INGAN光致发光
- MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究
- 2001年
- 利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1～0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InGaN(0002)的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为0.0684%～2.6396%.根据XRD理论,计算出InN和InGaN的理论衍射强度.InN含量在所有样品中均小于3%,这表明样品的相分离度比较低.还发现InN在InGaN薄膜中的含量与氮气载气流量和反应室气压明显相关.
- 秦志新陈志忠童玉珍陆曙张国义
- 关键词：INGANMOCVD
- 采用N_2-RF等离子体氮化GaAs(001)(英文)
- 2002年
- 研究了在MBE系统中 ,GaAs( 0 0 1 )表面的氮化过程。GaAs( 0 0 1 )表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2 气流下。两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果。在打开N2 发生器挡板的情况下 ,氮化导致GaAs( 0 0 1 )表面损伤 ,并且形成多晶结构。当增加N2 气压时 ,损伤变得更严重。但是 ,在关闭N2 发生器挡板的情况下 ,在 5 0 0℃下 ,经过氮化将观察到 ( 3× 3)再构的RHEED花样 ,表面仍保持原子级的平整度。上述结果表明 ,不开N2 发生器挡板 ,低温 ( 5 0 0℃下 )氮化将在GaN外延生长之前形成平整的薄层c GaN。
- 秦志新陈志忠周建辉张国义
- 关键词：分子束外延GAAS砷化镓氮化镓
- 氮化蓝宝石衬底上GaN薄膜的微结构与光学性质被引量：3
- 2002年
- 用透射电子显微镜 (TEM) ,X射线衍射(XRD)和光荧光谱 (PL)等测量手段研究了GaN薄膜的微结构和光学性质。样品是用光辐射加热MOCVD在蓝宝石衬底上制备的。随着衬底氮化时间的增加 ,扩展缺陷的密度显著增加。在位错密度增加一个数量级时 ,XRD摇摆曲线半宽度 (FWHM)由 1 1″增加到 1 5″,PL谱的黄光发射从几乎可忽略增加到带边发射强度的 1 0 0倍。结合生长条件 。
- 陈志忠秦志新沈波朱建民郑有炓张国义
- 关键词：氮化镓GAN薄膜微结构光学性质
- MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究(英文)
- 2001年
- 利用X射线衍射 (XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量。利用Vegard定理和XRD 2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为 0 1～ 0 34。通过测量XRD摇摆曲线的InN( 0 0 0 2 )和InGaN( 0 0 0 2 )的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为 0 0 6 84 %～ 2 6 396 %。根据XRD理论 ,计算出InN和InGaN的理论衍射强度。InN含量在所有样品中均小于 3% ,这表明样品的相分离度比较低。还发现InN在InGaN薄膜中的含量与氮气载气流量和反应室气压明显相关。
- 秦志新陈志忠童玉珍陆曙张国义
- 关键词：INGANMOCVD
