国家自然科学基金(6039070)
- 作品数：2 被引量：6H指数：1
- 相关作者：刘斌郑有炓修向前张荣谢自力更多>>
- 相关机构：南京大学更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- AlxGa1-xN/AIN超晶格材料的结构和光学特性
- 随着三族氮化物(AlN,GaN,InN)在蓝绿光和紫外光电子器件领域的广泛应用,垂直共振腔结构被用来提高器件的量子效率。高反射率的 GaN 基分布式布拉格反射镜 (Distributed Bragg Reflctors)...
- 谢自力张荣江若琏刘斌姬小利龚海梅赵红修向前韩平施毅郑有炓
- 文献传递
- MOCVD制备InN薄膜的光学性质被引量：1
- 2007年
- 利用吸收光谱、光致发光谱、喇曼散射光谱和椭圆偏振光谱一系列光学手段,对采用金属有机物气相沉积法(MOCVD)制备的InN薄膜的光学性质进行了系统研究.吸收光谱和光致发光谱的结果清晰地证明了高质量InN薄膜的光学带隙宽度为0.68eV,接近于现阶段主要报道值0.7eV.喇曼散射光谱实验说明窄光学带隙主要源于较低的背景电子浓度.利用椭圆偏振光谱不仅得到了纤锌矿InN临界点跃迁能量的值E0,同时首次得到了在0.65～4.0eV能量范围内复折射率实部n,虚部k的色散曲线.
- 孔洁莹张荣刘斌谢自力张勇修向前郑有炓
- 关键词：氮化铟吸收光谱光致发光谱椭圆偏振光谱
- InN薄膜MOCVD生长初期成核研究与应力分析
- ＜正＞本文系统研究了利用金属有机化学气相沉积生长非故意掺杂 InN 薄膜的初期成核与应力变化过程。InN 生长采用宝石衬底,控制 GaN 缓冲层上 InN 外延层生长时间,以得到处于不同生长阶段的样品。通过表面形貌与扫描...
- 张曾张荣谢自力刘斌修向前江若琏韩平顾书林施毅郑有炓
- 文献传递
- 高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度
- ＜正＞InGaN/GaN 多量子阱作为有源层对 LED,LD 等光电子器件的发光效率具有重要意义。作为表征其结构的 X 射线衍射技术具有对样品的非破坏性和快速获得结果的优点值得深入研究。本文应用高分辨 X 射线衍射技术（...
- 李弋刘斌谢自力张荣修向前江若琏韩平顾书林施毅郑有炓
- 文献传递
- MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质
- ＜正＞高质量的 InN 材料的带隙宽度在0.7eV,对应光谱波长位于红外区,这就使Ⅲ族氮化物（InN、 GaN、AlN）及其合金的带隙宽度对应的光谱覆盖了从红外到紫外范围。因此,InN 及其含 In 组分的合金（InGa...
- 谢自力张荣江若琏修向前刘斌赵红朱顺民韩平施毅顾书林郑有炓
- 关键词：INNPLXRD
- 文献传递
- P型AlxGa1-xN(0≤x≤0．31)薄膜光电学性质研究
- 本文研究的 AlGaN:Mg(0≤x≤0.31)薄膜采用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长,通过在氮气中非原位退火得到 P 型导通。室温下 Hall 测量显示,P 型载流子浓度从接近10cm (x=0)下降至1...
- 刘斌张荣谢自力张曾李亮刘启佳赵红修向前陈鹏陆海顾书林江若琏韩平施毅郑有炓
- 关键词：ALGANCL
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- In_2O_3纳米线制备及其特性被引量：5
- 2006年
- 使用管式加热炉成功地制备出In_2O_3纳米线.通过扫描电子显微镜可以看到样品为In_2O_3纳米线;X射线衍射分析证实该材料是立方结构的In_2O_3;X射线光电子谱分析发现该In_2O_3中存在大量氧缺陷;光致发光谱研究显示制得的In_2O_3纳米线有比较强的发光现象,主要集中在紫外光谱区.同时对反应的气相-固相(V-S)生长机理和In_2O_3的光致发光机理进行了详细分析.
- 谢自力张荣高超刘斌李亮修向前朱顺明顾书林韩平江若琏施毅郑有炓
- 关键词：IN2O3纳米线X射线衍射扫描电子显微镜
- C面宝石基MOCVD生长的InN薄膜的In分凝现象的研究
- 研究了 InN 薄膜在不同生长条件下的的物理特性。利用 MOCVD 方法在
- 徐峰谢自力陈敦军刘斌刘启佳江若涟张荣郑有阧
- 关键词：MOCVDAFMXPS
- 文献传递
