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用于TFT-LCD的大功率LED侧式背光系统被引量：10: 2006年; 用蓝光激发黄色荧光粉发出的1W大功率白光LED作为TFT-LCD背光光源,LED左右两侧各12个以13.2mm等间距排列;采用由反射率为95%的反射镜构成的光学腔代替传统复杂的导光系统进行导光,仅仅用反射镜将LED发出的光导入液晶面板底部,减少了背光结构的复杂程度;利用光学模拟软件Tracepro对设计的侧式背光系统的LED阵列位置及反射镜位置等参数进行模拟优化,设计了可应用于26.4cm(10.4in)TFT-LCD的大功率白光LED侧式背光源系统。经过优化的背光系统,其亮度均匀性和光利用率分别达到87%和74%,背光系统的几何尺寸为292mm×164mm×20mm。; 王文根李瑛邵明王秀如刘敬伟李俊峰王刚孙润光; 关键词：白光LED 亮度均匀性

新型有机光电开关器件: 2005年; 结合有机发光和光电二极管器件,制作了一种新型的有机光电开关器件。器件结构为:ITO/NPB/Alq3/CuPc/C60/NPB/Alq3/LiF/Al。其中,ITO(indiumtinoxide,氧化铟锡)为正极,NPB[N,N-′di(naphthaleneyl)-N,N-′diphenylbenzidine]/Alq3[tris-(8-hydro-xyquinoline,8-羟基喹啉铝)aluminum]作为电致发光层,CuPc(CopperPhthalocyanine,酞菁铜)/C60为光电转换层,LiF/Al为器件负极,即两个电致发光层和一个光电转换层组成的三明治型结构。从低向高施加电压和从高向低施加电压时,该器件呈现出不同的电流密度-电压(J-V)和功率密度电压(P-V)曲线,即器件在相同的电压下可得到不同的电流密度值和功率密度值(亮度值),利用高亮度状态(ON)到低亮度状态(OFF)的转变,可实现开关型有机电致发光器件。器件的光电转换层吸收效率为0.153%。; 陈昊瑜倪抒颖王秀如朱文清孙润光; 关键词：光学材料光电转换电致发光

非晶硅薄膜晶体管有机电致发光单元像素的设计: 2007年; 介绍了两管薄膜晶体管(TFT)和四管TFT有源驱动有机发光二极管工作原理,结合TFT工作条件限制以及实现显示的要求完成了四管TFT有源驱动有机电致发光单元像素的设计,利用Hspice软件验证了单元像素的设计结果,最大输出电流为2.1μA,一帧的时间后变化到2.0μA,变化量小于一个灰阶电流,满足显示要求。; 王文根李瑛邵明王秀如汤昊孙润光; 关键词：薄膜晶体管有源驱动有机发光二极管仿真

被动驱动有机发光二极管矩阵屏老化性能的研究: 2005年; 对102×64点阵的单色被动驱动的有机电致发光(OLED)矩阵屏进行了老化研究。矩阵屏的结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3∶C545/LiF/Al。测量了老化前后矩阵屏的电流-电压-亮度曲线,以及电致发光(EL)和光致发光光谱(PL)。比较发现,老化后的器件在同样恒电流的情况下表现出更高的驱动电压,更小的漏电流,以及在阴极和有机层界面上电致发光和光致发光的光谱强度减弱。矩阵屏在老化17 h后,电致发光和光致发光的强度分别降低到初始值的75.6%和81.4%,分析认为,这是因为老化过程中部分发光材料分解,从而造成对矩阵屏的永久损伤。; 邵明周波陈昊瑜王秀如孙润光; 关键词：有机电致发光

采用光学干涉方法实现高对比度聚合物发光二极管: 2005年; 为了得到高对比度的聚合物发光二极管(PLED),设计并制作了消光干涉结构位于有机层之外的新型聚合物二极管。消光干涉层的结构为:CrOx/Cr/ITO/Cr。在玻璃衬底和ITO阳极之间溅射的光学干涉层可以部分消去背景光的反射。这种方法不需要考虑光学干涉层和OLED或PLED材料之间功函数匹配,以及在溅射过程中对有机层的损伤等问题。制作的器件的对比度为14.7∶1,这比没有采用光学干涉结构的器件的对比度要高得多。结果说明新型的光学干涉结构确实起到了提高器件对比度的效果,对器件参数的进一步优化有望达到一个实用化目标。; 邵明刘宏宇孙润光; 关键词：聚合物发光二极管高对比度

纯化9,10-二萘蒽对OLED器件光电性能的影响(英文)被引量：2: 2006年; 合成了高稳定性蓝光主体材料9,10-二萘蒽(ADN),研究材料纯化对合成材料光电性能的影响。为进一步分析材料经升华提纯对有机电致发光器件性能的影响,以提纯前后ADN为发光层,以NPB为空穴传输层,分别制作双层器件Ⅰ(提纯前)和器件Ⅱ(提纯后),器件结构为ITO(100nm)/NPB(40nm)/ADN(30nm)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),结果表明提纯后材料PL(Photolum inescence)光谱蓝移了2nm,半峰全宽54.2nm,与提纯前一致;杂质影响载流子注入效率和迁移率,对器件光电性能有显著影响,纯化前后器件最大电流效率由1.5cd/A上升至2.5cd/A;器件Ⅱ色纯度有较大提高,CIE色坐标由器件Ⅰ(0.15,0.10)移至(0.15,0.06)。实验结果表明材料提纯是优化器件性能的有效手段之一。; 李瑛王文根邵明王秀如汤昊孙润光; 关键词：提纯色坐标光电性能

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国家自然科学基金(50243020)