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河南省基础与前沿技术研究计划项目(122300410231)

作品数:4 被引量:4H指数:1
相关作者:宋桂林常方高苏健罗艳萍周晓辉更多>>
相关机构:河南师范大学河南省光伏材料重点实验室华北电力大学更多>>
发文基金:河南省科技攻关计划河南省基础与前沿技术研究计划项目河南省教育厅自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学

主题

  • 1篇电致变色
  • 1篇元件
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁性
  • 1篇透射
  • 1篇透射率
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇溅射
  • 1篇共掺
  • 1篇共掺杂
  • 1篇光学
  • 1篇BIFEO
  • 1篇CO
  • 1篇ITO
  • 1篇掺杂
  • 1篇磁电
  • 1篇磁电耦合
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 3篇河南师范大学
  • 1篇华北电力大学
  • 1篇河南省光伏材...

作者

  • 3篇宋桂林
  • 3篇常方高
  • 2篇苏健
  • 1篇周晓辉
  • 1篇杨海刚
  • 1篇詹华伟
  • 1篇曹伟伟
  • 1篇罗艳萍
  • 1篇马桂娟
  • 1篇张卉
  • 1篇张基东

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇河南师范大学...
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
4 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Ho掺杂对BiFeO_3介电、铁磁性及磁电耦合效应的影响
2014年
采用固相反应法制备出Bi1-xHoxFeO3(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2)陶瓷样品,利用X射线衍射仪、精密阻抗分析仪和物性测量系统分别测试了样品的晶体结构、介电特性、磁滞回线并计算出了磁介电系数.结果表明:Ho掺杂量x≤0.1时,Bi1-xHoxFeO3样品呈现扭曲的三方钙钛矿结构,当x≥0.15时,Bi1-xHoxFeO3样品从三方晶系逐渐向正交晶系转变;当频率f=100Hz时,BFO-10%的介电常数是BiFeO3的3倍,且介电损耗相对减小.在f=10kHz,外加磁场为25 00Oe时,BiFeO3,BFO-10%的磁介电系数(MD)分别是-10.17%,-14.65%.在30kOe的磁场作用下,样品的磁滞回线随着掺杂量的增大而逐渐趋向饱和,其剩余磁化强度(Mr)从0.002 4emu/g(BFO)增加到0.116 7emu/g(BFO-20%),说明Ho掺杂显著增强了BFO的铁磁性.
马桂娟宋桂林苏健张卉常方高
关键词:介电常数磁电耦合
Dy,Co共掺杂对BiFeO_3陶瓷磁特性和磁相变温度T_c的影响被引量:3
2013年
采用快速液相烧结法制备BiFeO3和Bi0.95Dy0.05Fe1-xCoxO3(x=0,0.05,0.1,0.15)陶瓷样品.实验结果表明:所有样品的主衍射峰与纯相BiFeO3相符合且具有良好的晶体结构,随着Co3+掺杂量的增大,Bi0.95Dy0.05Fe1-xCoxO3样品的主衍射峰由双峰(104)与(110)逐渐重叠为单峰(110),当掺杂量x>0.05时,样品呈现正方晶系结构;SEM形貌分析可知:Dy3+,Co3+共掺杂使BiFeO3晶粒尺度由原来的3—5μm减小到约1μm.室温下,BiFeO3样品表现出较弱的铁磁性,随着Dy3+和Co3+掺杂,BiFeO3样品的铁磁性显著提高.在外加磁场为30kOe的作用下,Bi0.95Dy0.05Fe1-xCoxO3(x=0.05,0.1,0.15)的Mr分别为0.43,0.489,0.973emu/g;MS分别为0.77,1.65,3.08emu/g.BiFeO3和Bi0.95Dy0.05Fe1-xCoxO3样品磁矩M随着温度T的升高而逐渐减小,Dy掺杂使BiFeO3样品的TN由644K升高到648K,而TC基本没有变化.Dy和Co共掺杂导致BiFeO3样品磁相变温度TC由870K降低到780K,其TC变化主要取决于Fe-O-Fe反铁磁超交换作用的强弱和磁结构的相对稳定性.
宋桂林罗艳萍苏健周晓辉常方高
关键词:磁滞回线
全薄膜电致变色元件的制备及其光学性能研究
2013年
采用磁控溅射法在单层玻璃基片上制备了由多层薄膜构成的电致变色元件,通过XRD、SEM等对薄膜及元件的晶体结构、表面形貌等进行了表征分析。采用可见光透射谱,研究了元件的电致变色性能。结果表明,较低的基片温度和较大的靶基距是采用磁控溅射制备电致变色元件的两个很重要的因素。所制备的全薄膜电致变色元件在处于漂白态和着色态时,对可见光的透过率分别达到了47.19%和15.67%,对光的透射率调节范围为31.52%。该全薄膜电致变色元件在电致变色智能窗领域具有较大的应用潜力。
杨海刚詹华伟张基东曹伟伟宋桂林常方高
关键词:ITO磁控溅射
共1页<1>
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